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最新专利技术
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511054162.8
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法，其中，外延层位于衬底上，外延层内具有第一沟槽；第一栅氧层位于第一沟槽的内壁面和外延层的表面；屏蔽栅位于第一沟槽内，屏蔽栅包括第一区、及位于第一区上的第二区；第...
    2025-11-30
  • 一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法
    一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法_南京南瑞半导体有限公司_202510951366.5
    本发明公开了一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法，提供一种降低反向输出电容Crss，增加输入电容Ciss，增加输出电容Coss来改善Crosstalk电压尖峰的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，本发明通过在平面碳化硅M...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510950836.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：半导体层；阱区，位于半导体层中；源区，位于阱区中；栅介质层，位于半导体层上；多个栅极导体，位于栅介质层上；以及栅极连接部，分别与多个栅极导体相连，其中，栅极连接部具有多个开孔，每个开孔通过...
    2025-11-30
  • MOS器件及其形成方法
    MOS器件及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510821487.8
    本发明提供MOS器件及其形成方法，MOS器件包括衬底和位于衬底上的栅极，栅极两侧形成有侧墙，栅极的顶表面、侧墙和相邻栅极之间的衬底上设置有刻蚀停止层；刻蚀停止层具有目标拉应力和目标介电常数，刻蚀停止层包括体区和表层，且刻蚀停止层的体区的拉应...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510550742.X
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括基底衬底、基底衬底上的绝缘层以及绝缘层上的SOI层，绝缘层包括铁电层、铁电层上的缓冲层、缓冲层上的拓扑绝缘层；SOI层上的...
    2025-11-30
  • 晶体管结构及其制造方法
    晶体管结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410522846.5
    本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。晶体管结构包括基底、栅极、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅介电层。基底具有主动区，主动区具有彼此相对的第一侧与第二侧。栅极设置于主动区中的基底上，其中栅极包括主体部、第一延伸部与第二延伸部，第一延伸部与第二...
    2025-11-30
  • 一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法
    一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法_山东大学_202511376729.3
    本发明涉及一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法，属于半导体器件领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上方设置有超晶格帽层，超晶格帽层上方设置栅极金属；超晶格帽层由...
    2025-11-30
  • 一种氮化镓半导体器件及其制备方法
    一种氮化镓半导体器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511332267.5
    本发明提供了一种氮化镓半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。氮化镓半导体器件包括依次叠层设置的基底、缓冲层、GaN沟道层及AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层开设位于栅极下方的复合AlGaN纳米柱梯形凹槽，该复合AlGaN纳米柱梯...
    2025-11-30
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511025156.X
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括半导体层、栅极结构、源极、漏极、电流优化结构及场板，其中，半导体层包括沟道层及势垒层；栅极结构位于势垒层上方；源极及漏极分别位于栅极结构两侧；电流优化结构包括位于栅极结构沿X方向两侧...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511025150.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体层、电流增强层、栅极结构、第一和二极及热优化结构，其中，半导体层包括第一和二区；电流增强层覆盖半导体层上表面；多个栅极结构分别位于第一和二区上方；第一和二极分别位于栅极结构两侧，...
    2025-11-30
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202510831590.0
    本发明公开了一种功率器件及其制备方法，功率器件包括：衬底；沟道层，势垒层，栅极结构覆盖部分势垒层；第一钝化结构覆盖栅极结构以及部分势垒层；第一钝化结构包括开口，开口暴露势垒层远离衬底的表面；开口至少包括第一开口，第一开口位于栅极结构邻近漏极...
    2025-11-30
  • 改善外延质量的晶体管及其制备方法
    改善外延质量的晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510805928.5
    本公开提供了一种改善外延质量的晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该晶体管包括：衬底、超晶格缓冲层、沟道层和势垒层，所述超晶格缓冲层、所述沟道层和所述势垒层依次层叠在衬底上；所述超晶格缓冲层包括多个依次层叠的AlxGa(1‑x)N层，所述...
    2025-11-30
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510802519.X
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、第一介质层、第一金属层、第二介质层和第二金属层；势垒层、第一介质层、第一金属层、第二介质层和第二金属层依次层叠在沟道层上；第二介质层包括至少2个介质子层，介质子层为采用PECV...
    2025-11-30
  • 高电子迁移率晶体管、制备方法、功率放大/开关器
    高电子迁移率晶体管、制备方法、功率放大/开关器_华为技术有限公司_202410504231.X
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法、功率放大器和功率开关器，涉及半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括依次层叠连接的衬底、GaN层、AlGaN层和GaN帽层，GaN帽层背向AlGaN层的表面具有间隔设置的第一离子注入区和第二离子注入区，第一...
    2025-11-30
  • 改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构
    改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511375883.9
    本发明公开了一种改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构，属于半导体领域，首先在半导体衬底的有源区刻蚀第一凹槽，之后在第一凹槽内填充压电材料，形成压电材料层；在压电材料层中刻蚀第二凹槽；在第二凹槽内外延与该有源区的阱区类型相同的半导体材料，形...
    2025-11-30
  • 一种改善MOSFET漏电的方法
    一种改善MOSFET漏电的方法_四川广义微电子股份有限公司_202511097085.4
    本发明公开了一种改善MOSFET漏电的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在衬底表面的外延层上生长氧化层，并进行光刻、刻蚀和离子注入，再退火处理形成耐压结；其中，退火处理包括：将晶圆放入730‑770℃的炉管中，在氮气和氧气氛围下，先升...
    2025-11-30
  • 增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法
    增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法_华羿微电子股份有限公司_202511076669.3
    本申请公开了一种增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法，本方案通过在MOSFET器件的有源区沟槽中形成厚栅极氧化层和薄栅极氧化层区域，从而形成高阈值电压元胞和低阈值电压元胞，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，低阈值电...
    2025-11-30
  • 一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法
    一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511018991.0
    本发明公开一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法，属于半导体器件领域。本发明在接触孔腐蚀之后、金属淀积之前，实施氦离子注入以引入缺陷；氦离子注入使用接触孔刻蚀的掩蔽层，为自对准注入；在金属淀积、金属刻蚀后，实施退火以稳定缺陷。缺陷的位置...
    2025-11-30
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_上海新微半导体有限公司_202510983574.3
    本发明提供一种半导体器件结构的制备方法及半导体器件结构，所述半导体器件的制备方法包括：提供器件片和支撑片，所述器件片包括自中心至边缘依次分布的中心区域、中间区域和边缘区域；在所述支撑片的正面和背面中的至少一者上形成导热环；将所述器件片的正面...
    2025-11-30
  • 一种高压LDMOS器件及制作方法
    一种高压LDMOS器件及制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510967180.9
    本发明提供一种高压LDMOS结构及制作方法，在漏端第一漂移区中设置分段式的STI结构，能够在器件表面形成低阻电流路径，提升器件电流密度，在N型漏端第一漂移区中设置有P型注入区，优化电场分布，能够提高器件击穿电压；并且，将位于分段式STI结构...
    2025-11-30
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