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  • 公开互连结构体和集成电路器件。所述互连结构体包括:包括非单晶材料的膜、和位于所述膜上并且包括晶粒的钌膜,其中所述钌膜的具有<001>取向的晶粒具有约0.7至1的晶粒织构化因子F001,并且所述钌膜的平均晶粒尺寸为约50 nm至约200 nm...
  • 实施方式提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,其能够提高金属配线的平坦性。实施方式的半导体装置具备:半导体衬底;绝缘层,相较于半导体衬底,设置在上方;以及配线层,具有以第1金属作为主成分的第1金属含有层、以及以第1金属作为主成分的第2金...
  • 本发明公开了一种基于晶圆级封装的堆叠结构及堆叠方法,涉及半导体封装技术领域,所述基于晶圆级封装的堆叠结构包括:至少一个包括上重布线层、上金属焊盘组的晶圆;基于各晶圆以上下堆叠姿态应用,构成整体晶圆结构时,最下层晶圆经其下表面的下重布线层与金...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底中形成有第一金属层,第一金属层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列,第一方向与第二方向相垂直;形成位于第一金属层上,且贯穿第一金属层上方的基底的互连通孔结构;在基底上形成覆盖互连通孔结构的第...
  • 本发明提供一种半导体器件及具有多个半导体器件的版图结构,该半导体器件包括:半导体器件包括有源区,有源区中包括多晶电极和源极金属层,源极金属层和多晶电极之间设置了第一接触孔,通过第一接触孔将源极多晶与源极金属层相接。本申请提供的半导体器件,通...
  • 本申请涉及一种功率器件的分层封装结构及分层封装方法。该功率器件的分层封装结构包括:依次层叠的驱动回路层、功率回路层和芯片层,通过第一孔洞,驱动电路层能与功率回路层实现电气连接,通过第二孔洞和第三孔洞,驱动回路层能与芯片层实现电气连接,从而使...
  • 本申请公开了一种封装结构、电路板以及封装结构的制作方法,其中,封装结构包括:封装基板,包括多个呈阵列排布设置的子板,子板设置有功能电路图形;各子板边缘设置有测试图形和测试连接件,测试图形与对应测试连接件电连接;至少部分测试图形与功能电路图形...
  • 使品质提高。半导体装置具备:布线基板;第一层叠体,其包含在与上下方向相交的宽度方向上具有第一宽度的N(2以上的整数)个第一板状部,N个第一板状部在布线基板的上方沿上下方向层叠;以及第二层叠体,其包含:第二板状部,其在宽度方向上具有比第一宽度...
  • 本发明公开了采用TOLL封装的大电流半桥封装结构和生产方法,具体涉及半导体封装结构领域,包括引线框架,所述引线框架上设置有两个封装单元,两个封装单元包括单元基岛和引脚,两个单元基岛关于引线框架的中心点呈中心对称布置,引脚包括D极、S极和G极...
  • 本发明属于但不限于功率半导体技术领域,公开了一种压接型功率半导体模块封装架构及其制备方法,包括Pin‑Fin水冷散热器、螺丝连接件、AC基板、Fuzz Button、碳基合金垫块、定位销、定位模具、DC基板;AC基板与DC基板上分别焊接或银...
  • 本发明涉及半导体封装领域,提供了一种引线框架和芯片结构封装方法。包括:外框架;与所述外框架连接的第一引脚;交叉连接所述第一引脚和所述外框架的支撑杆;其中,所述第一引脚包括第一引脚连接部和分别连接所述第一引脚连接部两端的第一引脚内侧部和第一引...
  • 一种包括压印的管芯焊盘的半导体装置,包括:具有顶表面和底表面的管芯焊盘以及安装在管芯焊盘的顶表面上的半导体管芯。管芯焊盘的底表面包括未压印区域和至少两个压印边缘区域。管芯焊盘包括布置在底表面的两个压印边缘区域之间的未压印的连接条。顶表面的面...
  • 本公开内容涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括衬底和嵌入在所述衬底中的管芯,其中,所述衬底是多层衬底,所述多层衬底包括:形成所述半导体装置的顶侧的导电顶侧层;形成所述半导体装置的基板的导电底侧层;在顶侧层和底侧层之间的第一电连接器...
  • 本发明的课题是提供一种改善功率循环耐量的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括导电图案(22)和第一半导体芯片(30a),该导电图案(22)包括在上表面(22a1)具有第一芯片区域(22c1)的导电板(22a)、以及在导电板(2...
  • 本发明提供了一种PCB嵌入式功率模块封装, 包括多个上桥臂功率芯片,下桥臂功率芯片,还包括连接有上桥臂直流输入端子的上层铜箔、连接有下桥臂直流输出端子的中间层铜箔、连接有交流输出端子的下层铜箔,中间层铜箔间隔设置有多个开孔;多个上桥臂功率芯...
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法,其中,半导体结构的形成方法包括:提供形成有半导体器件的晶圆;在所述晶圆中形成盲孔;在所述盲孔内,沉积第一金属材料以形成硅通孔;去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料,并平坦化所述晶圆表面...
  • 本公开提供了一种芯片封装键合方法和键合结构,所述芯片封装键合方法包括:键合焊球形成步骤,在其中,通过对金属焊丝的末端施加瞬间高压来形成初始键合焊球;成形步骤,在其中,通过将初始键合焊球与焊盘相接触,并且在对焊球施加向下的成形压力的同时在纵向...
  • 本公开内容涉及玻璃芯架构中的同轴过孔。在一个实施例中,衬底包括具有多个同轴穿玻璃过孔(TGV)的玻璃芯层。同轴TGV包括其间具有电介质的第一导电部分和第二导电部分。同轴TGV的外导电部分可以使用电镀金属形成,而TGV的内导电部分可以使用金属...
  • 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供能减小半导体元件与引线的电阻的半导体装置。半导体装置(100)具备:半导体元件(30);第一金属层(16),与所述半导体元件(30)电连接;接合层(20),接合于所述第一金属层(16)上,所述接合...
  • 本申请实施例提供一种两相双层交错强化微通道散热器,两相双层交错强化微通道散热器其包括层叠的上层冷板和下层冷板,上层冷板和下层冷板内分别设置有多个阵列排布的第一肋片和第二肋片,以在上层冷板内形成第一微通道群,在下层冷板内形成第二微通道群,第一...
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