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最新专利技术
  • 一种外腔光栅加环超窄线宽激光器
    一种外腔光栅加环超窄线宽激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202512008475.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种外腔光栅加环超窄线宽激光器，包括：激光增益芯片；低光能损耗BRAGG光栅光波导，设置在所述激光增益芯片的右侧且与所述激光增益芯片耦合对接；低光能损耗环形谐振光波导，设置在所述低光能损耗BRAGG光栅...
    2026-05-02
  • 一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器
    一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511725626.3
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器，包括：衬底；衬底开口，开设于所述衬底的上端面；增益芯片，设置于所述衬底开口内部；铌酸锂薄膜光波导，设置于衬底的上端面；还包括，准直透镜、光学标准具和反射镜；...
    2026-05-02
  • 一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法
    一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法_北京工业大学_202610017338.0
    本发明公开了一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法，包括自下而上依次设置的N面电极、N型衬底、N型DBR层、有源层、P型DBR层和P面电极；有源层与N型DBR层之间设有N面异构相位层和/或有源层与P型DBR层之间设有P面异构相位层，N面异...
    2026-05-02
  • 一种边发射激光器外延结构及其制备方法
    一种边发射激光器外延结构及其制备方法_徐州仟目科技集团有限公司_202512044452.0
    本发明公开了一种边发射激光器外延结构及其制备方法。本发明解决了现有磷化铟基激光器中电子迁移率远大于空穴迁移率所带来的载流子注入不匹配，以及随之而来的激光器光电转换效率过低，发热偏高，器件输出功率受限的问题。通过在N区分别限制层(n‑SCH)...
    2026-05-02
  • 基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器
    基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511834490.X
    本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器，包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光栅光波导衬底、脊背光波导以及平面金属光栅。本发明采用独特的外腔结构，通过两个光栅常数相近且相位差λ/2的金属平面光...
    2026-05-02
  • 一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器
    一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511757405.4
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左右端面分别镀设有高反射膜和第一增透膜；所述增益芯片右侧设置有平面金属光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述平面金属光栅波导的...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器
    一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511752734.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有高反射膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透膜；所述增益芯片右侧设置有金属光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述金...
    2026-05-02
  • 基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器
    基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器_宁波吉亚科技咨询有限公司_202511728014.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜。所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导，所述增益芯片的右...
    2026-05-02
  • 侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法
    侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法_北京邮电大学_202511828683.4
    本发明提供一种侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法，通过N型接触层、N型限制层、有源层、P型限制层及P型接触层的层叠设置，侧向光栅掩埋于脊波导两侧并靠近有源层，利用侧向光栅与有源层光场的横向耦合机制，使得光栅耦合系数主要取决于侧向距离而非刻...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器
    一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511719939.8
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器，包括：光增益芯片；TFLN薄膜铌酸锂光波导，设置在所述光增益芯片的右侧且与所述光增益芯片的右端面抵接；光隔离器，设置在所述TFLN薄膜铌酸锂光波...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器
    一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511719798.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器，包括：光增益芯片；TFLN薄膜铌酸锂光波导，设置在所述光增益芯片的左侧且与所述光增益芯片的左端面抵接；光隔离器，设置在所述光增益芯片的右侧；光放...
    2026-05-02
  • 一种激光器消光比自适应控制电路及方法
    一种激光器消光比自适应控制电路及方法_厦门亿芯源半导体科技有限公司_202610025911.2
    一种激光器消光比自适应控制电路及方法，属于光通信技术领域，本发明为解决传统激光器消光比控制方案因依赖间接温度补偿和片外大电容滤波而导致的控制不精确、响应速度慢的问题。本发明提出一种双闭环直接反馈控制架构。电路包括驱动调制模块、信号监测模块、...
    2026-05-02
  • 基于体布拉格光栅外腔的半导体泵浦激光器
    基于体布拉格光栅外腔的半导体泵浦激光器_中国科学院半导体研究所_202512053590.5
    本公开提供一种基于体布拉格光栅外腔的半导体泵浦激光器，包括：激光器封装壳体，激光器封装壳体的内部形成空腔；空腔内沿激光光路依次设置有背光探测器、增益芯片、准直透镜以及体布拉格光栅；空腔内还设有热沉，体布拉格光栅设置于热沉上；背光探测器用于监...
    2026-05-02
  • 半导体激光器侧面泵浦系统及其制备方法
    半导体激光器侧面泵浦系统及其制备方法_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202610275952.7
    本发明提供了一种半导体激光器侧面泵浦系统及其制备方法，涉及激光器的技术领域，系统包括晶体棒和多组激光模块；每组激光模块分别包括发光结构、匀化组件、第一调制器件和第二调制器件，发光结构用于朝匀化组件发射初始光束；匀化组件用于将初始光束整形为类...
    2026-05-02
  • 基于多区域分时控制的激光驱动系统及方法
    基于多区域分时控制的激光驱动系统及方法_深圳瑞识智能科技有限公司_202511658189.8
    本发明提供一种基于多区域分时控制的激光驱动系统及方法，包括光源模块、多个驱动模块、控制模块和电源模块；光源模块划分为 N 个能够独立工作的激光分区，每个激光分区包括多个激光芯片；多个驱动模块，对各自对应的激光分区的激光芯片进行驱动；控制模块...
    2026-05-02
  • 基于右侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器
    基于右侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511837682.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于右侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器，包括，增益芯片；光栅光波导，设置在所述增益芯片的右侧，所述光栅光波导的左端面与所述增益芯片的右端面抵接；SiO2层，设置在所述光栅光波导的底面；Si衬底，设...
    2026-05-02
  • 基于左侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器
    基于左侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511837458.7
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于左侧高光电系数材料光栅光波导的可调激光器，包括，增益芯片；光栅光波导，设置在所述增益芯片的左侧，所述光栅光波导的右端面与所述增益芯片的左端面抵接；SiO2层，设置在所述光栅光波导的底面；Si衬底，设...
    2026-05-02
  • 半导体激光模块
    半导体激光模块_新唐科技日本株式会社_202512021803.6
    一种半导体激光模块，具有被气密密封的第1半导体激光元件、以及供从第1半导体激光元件射出的第1激光束入射的第1光学元件，在从第1半导体激光元件至第1光学元件的光轴即第1光轴上，设第1激光束的行进方向为第1方向，第1激光束具有与第1方向垂直的第...
    2026-05-02
  • 半导体激光模块
    半导体激光模块_新唐科技日本株式会社_202512021804.0
    一种半导体激光模块，具有：被气密密封的第1半导体激光元件及被气密密封的第2半导体激光元件；封装体，具备板状的底部及中央设置有第1开口部的框体；以及盖部件，所述框体由陶瓷构成，所述第1半导体激光元件及所述第2半导体激光元件被配置在所述第1开口...
    2026-05-02
  • 一种360度激光模组
    一种360度激光模组_广西飓芯科技有限责任公司_202511992956.9
    本发明涉及一种360度激光模组。该360度激光模组包括壳体结构、光源结构和锥形镜结构；壳体结构包括壳体、电路仓、光源安装仓、透光孔、三个限位螺杆，三个限位螺杆相靠近的一端均固定安装有绝缘垫，壳体的顶部固定安装有外螺纹环套管，外螺纹环套管的外...
    2026-05-02
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