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最新专利技术
  • 一种纵向耦合声学滤波器
    一种纵向耦合声学滤波器_电子科技大学_202610067305.7
    一种纵向耦合声学滤波器，涉及薄膜射频声波滤波器。包括耦合层以及设置于耦合层上下的两个压电换能结构层；压电换能结构层自上而下依次为第一电极层、压电层和第二电极层，位于耦合层之上的压电换能结构的第二电极层与位于耦合层之下的压电换能结构的第一电极...
    2026-05-08
  • 弹性波器件及电子模块
    弹性波器件及电子模块_泉州市三安集成电路有限公司_202512049037.4
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种弹性波器件及电子模块。该结构包括压电基板、支撑层、IDT电极、焊盘电极、盖层和金属连接结构，支撑层和IDT电极设置在压电基板上，支撑层具有第一开口，IDT电极位于支撑层的空腔内，焊盘电极设置在压电基...
    2026-05-08
  • 一种弹性波器件
    一种弹性波器件_三安日本科技株式会社_202511526789.9
    本发明涉及一种弹性波器件，其具备：支持基板；媒质层，形成于支持基板上；压电基板，形成于媒质层上；谐振器，包含IDT电极，IDT电极形成于压电基板上；媒质层具有呈条纹状且具有长度方向和宽度方向的第一声学阻抗区域；以及具有呈条纹状且具有长度方向...
    2026-05-08
  • 一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法
    一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法_台晶(宁波)电子有限公司_202610385879.9
    本发明涉及一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法，包括石英晶片、陶瓷基座和金属上盖，陶瓷基座上端密封连接有金属上盖，金属上盖与陶瓷基座之间设置有超高真空内腔室，超高真空内腔室底部并列布置有两个焊盘，其中一个焊盘为具有高刚度的加强结构，另一个...
    2026-05-08
  • 一种晶体谐振器及制备方法
    一种晶体谐振器及制备方法_北京无线电计量测试研究所_202511801312.7
    本发明实施例公开一种晶体谐振器及制备方法。在一具体实施方式中，一种晶体谐振器包括：石英晶片；镀在所述石英晶片的上表面的第一电极和镀在所述石英晶片的下表面的第二电极，所述第一电极与所述第二电极对称设置，所述第一电极和所述第二电极形成谐振电极；...
    2026-05-08
  • 一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法
    一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202610067706.2
    本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法，谐振器包括：由下至上依次连接的第一衬底、键合层、底电极、压电层、第二温补层和顶电极，第一衬底上设有空气腔，底电极内包裹有第一温补层，第一温补层在俯视方...
    2026-05-08
  • 声表面波装置、电子设备
    声表面波装置、电子设备_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202610425473.9
    本发明涉及声表面波装置技术领域，特别涉及一种声表面波装置、电子设备，包括从下至上依次设置的衬底、下电极、压电层和上电极，所述上电极包括沿第一方向间隔设置的一对上汇流条和沿第二方向交替间隔设置的多个上电极指，所述下电极包括沿第二方向间隔设置的...
    2026-05-08
  • 弹性波器件和电子产品
    弹性波器件和电子产品_泉州市三安集成电路有限公司_202512014937.5
    本发明实施例提供的弹性波器件和电子产品，包括：压电层；IDT电极层，设于压电层上，IDT电极层包括：沿第一方向相对设置第一汇流条和第二汇流条，定义第一汇流条和第二汇流条之间的部分为叉指区；电极指，设于叉指区，电极指包括沿第二方向间隔设置的多...
    2026-05-08
  • 声波器件、滤波器以及复用器
    声波器件、滤波器以及复用器_太阳诱电株式会社_202511540430.7
    本发明涉及一种声波器件、滤波器以及复用器。一种声波器件包括压电层和设置在压电层上的一对叉指电极，其中，叉指电极中的每一个包括电极指、虚设电极指和具有电极指和虚设电极指所连接到的侧表面的汇流条，一对叉指电极包括间隙区域和交叉区域，间隙区域沿着...
    2026-05-08
  • 陶瓷基板、复合压电基板、电子器件和模块
    陶瓷基板、复合压电基板、电子器件和模块_泉州市三安集成电路有限公司_202411525694.0
    本发明实施例提供一种陶瓷基板、复合压电基板、电子器件和模块，所述陶瓷基板包括陶瓷材料基体，所述陶瓷材料基体具有相对的第一面和第二面；所述陶瓷材料基体内形成有自所述第一面向逐渐靠近所述第二面的方向延伸预设厚度的掺杂层；所述掺杂层包括掺杂在所述...
    2026-05-08
  • 一种基于阻抗牵引网络的超导多路耦合器
    一种基于阻抗牵引网络的超导多路耦合器_杭州电子科技大学_202610033205.2
    本发明公开了一种基于阻抗牵引网络的超导多路耦合器。包括公共端、第一可调谐滤波电路、第二可调谐滤波电路和多个阻抗牵引网络，第一可调谐滤波电路包括第一枝节和设置在第一枝节上的多个第一可调谐滤波器，第二可调谐滤波电路包括第二枝节和设置在第二枝节上...
    2026-05-08
  • 层叠型电子部件
    层叠型电子部件_TDK株式会社_202512042805.3
    本发明的层叠型电子部件具备：层叠体，其包括层叠的多个电介质层和多个导体。层叠体包括：多个第一电感器，其分别包括至少一个第一导体层，并且以通过被至少一个第一导体层包围的空间的轴为中心卷绕；以及至少一个第二电感器，其分别包括第二导体层与多个通孔...
    2026-05-08
  • 层叠型电子部件
    层叠型电子部件_TDK株式会社_202512042717.3
    本发明的层叠型电子部件具备：第一端口；使输入第一端口的信号通过的第二端口；在电路结构上设置于第一端口与第二端口之间的第一电感器及第二电感器；以及层叠体，其包括层叠的多个电介质和多个导体，并且具有位于多个电介质层的层叠方向的两端的底面及上表面...
    2026-05-08
  • 有源EMI滤波器、变频器以及空调系统
    有源EMI滤波器、变频器以及空调系统_深圳市杉川海泽万象科技有限公司_202511969800.9
    本发明公开了一种有源 EMI滤波器、变频器以及空调系统。其中，该滤波器包括：检测网络模块，信号处理模块，注入网络模块，其中，信号处理模块包括采样检测电路，包括增益调节元件的增益电路，信号注入电路，滤波器中预定电容对应的电容容积小于预定容积阈...
    2026-05-08
  • 层叠型电子器件
    层叠型电子器件_TDK株式会社_202511424299.8
    层叠型电子器件具备电容器、接地导体层、与接地导体层配合而构成电容器的至少一部分的导体层、结构体以及层叠体。结构体包含柱状导体，该柱状导体具有在层叠方向上相互位于相反侧的第一端以及第二端。第一端与接地导体层连接。在第二端未连接用于构成电容器以...
    2026-05-08
  • 电子元件的封装方法、封装设备及电子设备
    电子元件的封装方法、封装设备及电子设备_三安日本科技株式会社_202411533456.4
    本发明实施例涉及一种电子元件的封装方法、封装设备和电子设备，其中电子元件的封装方法包括：树脂加工工序：将包含颗粒和/或粉末状树脂的密封原材料放置在凹状容器中，通过用与所述凹状容器嵌合的按压部按压所述密封原材料，将所述密封原材料加工成片状树脂...
    2026-05-08
  • 弹性波器件及其制造方法
    弹性波器件及其制造方法_三安日本科技株式会社_202411538786.2
    本发明实施例提供了一种弹性波器件的制造方法和一种弹性波器件。所述弹性波器件的制造方法，包括：芯片制作工序，在一压电基板上形成至少一个谐振器和至少一个焊盘；半切割工序，沿着切割线对所述压电基板进行半切割，在所述压电基板上形成凹槽；封装工序，依...
    2026-05-08
  • 一种滤波器生产的一体化装配设备
    一种滤波器生产的一体化装配设备_春兴精工(麻城)有限公司_202610425086.5
    本发明公开了一种滤波器生产的一体化装配设备，包括机架，机架的内部设置有载具一，载具一的内部固定有均匀分布的滤波器外壳，机架内的内部固定有安装壳，安装壳的内部转动连接有旋转管，旋转管的外壁固定有蜗轮，安装壳的内部转动连接有蜗杆，蜗杆与蜗轮啮合...
    2026-05-08
  • WiFi用低插损高谐波抑制LTCC双工器等效电路及其双工器
    WiFi用低插损高谐波抑制LTCC双工器等效电路及其双工器_深圳市麦捷微电子科技股份有限公司_202610264801.1
    WiFi用低插损高谐波抑制LTCC双工器等效电路及其双工器，本发明以LTCC(低温共烧陶瓷)技术为基础，采用集总参数模型设计实现WiFi用低插损高谐波抑制LTCC双工器的特殊电性能要求。本发明有效实现了低频信号和高频信号的分频功能，具有低损...
    2026-05-08
  • 一种基于LTCC技术的低损耗SIW滤波器及开关滤波组件
    一种基于LTCC技术的低损耗SIW滤波器及开关滤波组件_扬州江嘉科技有限公司_202511782550.8
    本发明公开了一种基于LTCC技术的低损耗SIW滤波器及开关滤波组件。通过将电容性金属盖板嵌入SIW中以引入额外的电容，并通过金属垂直通孔连接到底部宽壁，在波导中引入了额外的接地电感，进一步减小谐振器尺寸，且相比传统的谐振器，Q值有明显提升。...
    2026-05-08
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