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  • 本发明公开了一种梯度缓释脱磷剂的制备方法,具体包括以下步骤:(1)将脱磷剂破碎混匀,装入一端密封的钢管内,并压至密实状态;(2)将钢管放置在截段台上,通过截段刀将钢管截成一定长度的脱磷剂块体;(3)将不同管壁直径和不同管壁厚度的脱磷剂块体进...
  • 本发明公开了提高切削能力的锡黄铜合金,本方案中精选锡黄铜合金的原料组分及成型工艺,通过稀土元素及其他微量元素的添加有助扩大合金的a相区,细化合金晶粒,有助增加交流阻抗、减小腐蚀电流密度,有效提高耐腐蚀性能,且成型的铜合金的切削性能优异。
  • 一种低表面能合金材料,合金材料成分,Co含量在40~99.9重量份,Fe、Ni、Cu、Mn或/与Cr含量在0.01~20重量份。Cr含量在0.5~8重量份;Mo含量在0.5~8重量份。应用时合金层的厚度为0.2μm‑500μm;采用喷涂形式...
  • 本发明属于1060铝合金电池箔生产技术领域,涉及一种高强度、高延伸率1060铝合金电池箔毛料及其生产方法,其中高强度、高延伸率1060铝合金电池箔毛料包括以下组分及质量百分比:S i≤0.07%,Fe0.15~0.20%,Cu0.03~0....
  • 本发明提供了一种3D打印用高强铝合金粉末及其制备方法,以及3D打印件及其制备方法。本发明按照Al‑8Zn‑3Mg‑2.5Cu‑0.2Zr‑0.1Sc的化学组成配料并进行真空熔炼,然后通过气雾化制粉技术制备合金粉末,然后筛分选取粒径为18~5...
  • 本发明提供了一种具备耐长时热暴露的高强Al–Zn–Mg系合金及制备方法,所述合金按质量百分比计,包括下述组分:Zn:2.5–3.6%;Mg:2.0–3.3%;Cu:0.8–1.2%;Si:0.5–1.0%;不可避免的杂质≤0.10%,余量为...
  • 本发明公开了一种具有抗氮气毒化的镁基储氢材料,原子比例满足,Nd为2.5‑4at.%,Ni为8‑12at.%,其余为Mg,相组成为同时包含Mg、Mg2Ni和NdH2相,其中,Mg和Mg2...
  • 本发明公开了一种具有抗毒化和再生性能的Mg‑Ni‑Nd储氢合金,Mg‑Ni‑Nd储氢合金的组分为同时包含Nd4Mg80Ni8、Mg和Mg2Ni相,经吸放...
  • 本发明属于镁锂合金技术领域,具体涉及一种镁锂合金材料及其制备方法。镁锂合金材料,以质量百分数计,包括Li、Al和Zn,其余为Mg;在室温下采用多向压缩塑性变形工艺制备得到。在未添加稀有金属的情况下,铝、锌元素与镁、锂协同作用,经过后续室温多...
  • 本发明涉及储氢合金技术领域,公开了一种可抗空气毒化的含Pd钒基固溶体型储氢合金及制备方法,该合金的的化学式为:(VxTiyCrzM100‑x‑y‑z)<...
  • 本发明提出了一种基于三维连续TiC增强的AlCoCrFeNi2.1基耐磨复合材料及其制备方法,属于耐磨复合材料技术领域,通过物理交联反应构筑核壳结构粉末,使TiC均匀包覆在AlCoCrFeNi2.1
  • 本发明公开了一种激光增材制造等轴晶奥氏体不锈钢材料及其制备方法,属于金属材料增材制造领域,本发明基于合理的成分设计以及最优的打印工艺参数选择制备得到激光增材制造等轴晶奥氏体不锈钢材料,该材料中形成细小的等轴晶,通过DED制备得到的样品晶粒尺...
  • 本发明涉及材料表面处理技术领域,尤其涉及一种基于PVD的产品LOGO制作工艺,其技术方案包括产品,所述产品上设置有产品LOGO,所述产品LOGO经过PVD的加工制作工艺,所述产品LOGO适用各种形状外形的产品。本发明PVD真空镀膜技术在真空...
  • 本发明提供一种晶圆镀膜装置及ALD设备,涉及半导体制造领域。在本发明中,由于镀膜模块在带动晶圆旋转的过程中会形成磁场,校准模块便可基于测量模块测量磁场获得的多个第一磁场强度测量值调整晶圆在镀膜模块的晶圆承载面上的晶圆位置,以及调整晶圆的缺口...
  • 本发明提供了一种基于激光渗硼的涂层制备方法、超润滑摩擦体系及其摩擦方法,涉及超润滑材料技术领域,涂层制备方法包括:将硼源材料采用激光渗硼的方式在预处理后的基体材料上制备成多元硼化物涂层,其中,激光渗硼的时间为1‑5分钟,激光熔覆的激光器功率...
  • 本发明公开了一种单晶炉冷却循环余热利用系统,涉及单晶炉余热利用技术领域,本发明包括炉体和热场组件,还包括多个储水箱,炉体外周面还固定设置有进水管;传热组件,其用于将热场组件的热量传递至储水箱内,传热组件包括滑动设置在各储水箱内的散热板,各散...
  • 本发明公开了一种单晶炉生产出料冷却装置,包括单晶炉、设置于其内的坩埚以及驱使坩埚旋转的转轴,还包括被在顶升机构驱使以位于单晶炉内/外切换的冷却机构,其包括:关于冷却水管呈圆周阵列设置的冷却气管;锁止机构,其包括转动设置、并用于将冷却气管收拢...
  • 本申请属于单晶硅棒制备技术领域。提供一种用于制备N型单晶硅棒的组合物、制备N型单晶硅棒的方法。所述组合物包括循环料和第一硅料,其中,所述第一硅料包括N型致密料、P型致密料、珊瑚料中的至少两种。本申请实施例的用于制备N型单晶硅棒的组合物,采用...
  • 本发明涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种太阳能硅单晶棒品质监控系统,能够实时监控当前产出晶棒的少子寿命及电阻率。当检测到异常时,系统会自动反馈至对应控制炉台进行警报,并根据炉台状态决定是否停止拉晶并冻结异常晶棒。同时,系统还能通过对比当前段...
  • 本发明公开了一种用于高频声表面波器件的掺杂改性钽酸锂晶圆材料及其制备方法,本发明涉及半导体材料技术领域。制备方法包括高能球磨混合、预烧结、提拉法晶体生长、晶圆精密切割及化学机械抛光处理。本发明材料的温度频率系数降低至‑10ppm/K以下,机...
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