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  • 本发明涉及显示屏技术领域,且公开了一种具有抗震结构的LED显示屏,包括;LED显示屏,用于显示信息或图像;调节机构,调节机构设置在LED显示屏两侧,调节机构包括固定件,用于调节LED显示屏;安装机构,安装机构包括防护框,防护框的顶部设有固定...
  • 本申请公开了一种基于多语言连续语音流的内容识别方法,涉及语音识别技术领域,该方法包括对重合语音段进行音波数据转换得到主音波数据,并统计第一语音流各自转换后的整体音波数据得到第一整波数据,从第一整波数据中提取出两个语音段所属的第一辅测音波数据...
  • 本发明公开了一种麻醉苏醒期智能语音交互系统及其方法,涉及语言交互技术领域,包括:标准需求数据模块,存储基于聚类分析生成的麻醉苏醒期普遍需求类别;模糊语义识别模块,配置为提取实时语音信号的声学特征;提取实时语音的残缺语义片段;通过模糊匹配算法...
  • 本发明公开了一种基于神经网络的微量级嵌入式系统语音增强方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括获取待处理语音数据的功率谱数据,并为预设滤波器组计算滤波器组系数;将功率谱数据和滤波器组系数输入预训练神经网络,得到初始维纳滤波系数,预训练神经...
  • 一种螺旋管直流蒸汽发生器流动不稳定性边界检测方法,将加热功率、质量流量、压力、入口过冷度、入口节流阻力以及管壳侧耦合等影响因素综合考虑在内,能准确描述螺旋管直流蒸汽发生器系统的流动不稳定性边界,为螺旋管直流蒸汽发生器的设计和安全分析提供支撑...
  • 本发明公开了一种大型变压器翻转设备,包括翻转平台、自动夹紧机构与翻转机构,其中在地面上安装有安装座,在安装座的上方设置有两块相对设置翻转平台,铁心分别放置在两块翻转平台上,在每组翻转平台上安装自动夹紧机构,在两组翻转平台与安装座之间设置有翻...
  • 本发明公开了一种内置反向导体的真空断路器触头,涉及真空断路器技术领域。内置反向导体的真空断路器触头包括触头片、触头杯、导电杆、反向导体和支撑结构,触头片与触头杯的顶部连接,导电杆与触头杯连接,反向导体设置与触头杯的内部,支撑结构通过绝缘杆与...
  • 本发明公开了一种集成永磁体的断路器触头结构及真空断路器,涉及真空断路器技术领域、集成永磁体的断路器触头结构其包括触头片、触头杯、绝缘隔热套、永磁体环和导电杆,所述触头片和所述导电杆分别设置于触头杯的两端,所述绝缘隔热套套设于所述触头杯的外部...
  • 本发明提供一种用于太赫兹行波管的盒型输能窗、太赫兹行波管及方法,该盒型输能窗包括由两端向内依次同中心轴设置的矩形波导腔、圆波导腔和窗片;各圆波导腔的直径沿远离窗片的方向逐渐变小。该盒型输能窗能够有效改善输能窗内部的宽带阻抗匹配特性,降低内部...
  • 本申请的实施例公开了一种半导体自动植球设备及方法,植球设备包括输送机、筛网、第一阻挡件以及第二阻挡件。筛网为圆筒状,能够绕其自身轴线转动。第一阻挡件和筛网围设形成容置多个锡球的容置腔。第二阻挡件用于阻挡网孔中的锡球在重力作用下脱离网孔。其中...
  • 本发明公开了一种应用于增强型氮化镓功率器件有源钝化层的慢速刻蚀修复方法,涉及慢速刻蚀修复技术领域,本发明提供的慢速刻蚀修复方法步骤包括:基于含p‑GaN外延层的基片通过光刻定义栅下刻蚀区域,采用BCl₃等离子体干法刻蚀去除绝大部分p‑GaN...
  • 本发明涉及一种用于晶圆键合设备的加热冷却系统,包括基础单元、加热单元和冷却单元,基础单元包括上盘、加热仓和下盘,加热仓用于容置待键合的晶圆并为其提供真空环境;上盘和下盘可被驱动的相互靠近以以对晶圆施加设定的压力;加热单元的上加热器和下加热器...
  • 本发明提供一种碳化硅芯片的切割方法,碳化硅芯片具有多个芯片形成区域和分隔多个芯片形成区域的划片道区,且划片道区中设有胶材料层,切割方法包括:采用激光工艺对胶材料层进行预切割,形成至少贯穿胶材料层厚度的切槽;基于切槽,通过划线轮和预设应力对碳...
  • 一种用于强化沸腾传热的减材蚀刻微纳多级粗糙结构铜表面及其制备方法,涉及微纳复合结构强化相变传热技术领域。所述蚀刻微纳多级粗糙结构完全覆盖于铜衬底表面,微纳多级粗糙结构包括微米级凹腔、纳米级凹腔/孔洞、以及纳米级颗粒状凸起,三者共同构成多级结...
  • 本发明公开了一种低应力玻璃基板与重布线层的封装结构,包括:玻璃基板;介质层,设置于所述玻璃基板的上表面;至少两个芯片,设置于所述介质层的上表面,且至少两个所述芯片相互之间进行连接;所述芯片的连接区域位于所述介质层的两侧;多个应力释放槽,设置...
  • 本发明涉及镁一次电池技术领域,公开了一种负极表面膜层,包括镁基体,镁基体的表面生成有复合膜层,复合膜层包括植酸分子、Mg2+形成的磷酸骨架、氟化镁、少量氧化镁和氢氧化镁;一种负极表面膜层的制备方法,具体步骤为:首先采用...
  • 本发明涉及电化学技术领域,具体涉及VO2(B)@碳量子点纳米棒及其制备方法、正极材料和锌离子电池。制备方法:将聚丙烯酸、乙二胺和水混合并进行水热反应,得到碳量子点溶液;将VO2(B)纳米棒和碳量子...
  • 本发明提供了一种钠离子电池正极材料及其制备方法和应用,属于钠离子电池技术领域。所述正极材料的化学式为:NamAxByCzFe0.5‑x‑
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,尤其涉及超晶格特征富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池。所述超晶格特征富锂锰基正极材料的X射线衍射图谱中,在布拉格角度为20.7°±0.3°呈现Li2MnO3的超...
  • 本发明提供了一种自驱动高孔隙率快充电极的制备方法,包括以下步骤:A)将电极活性浆料的制备原料与添加剂混合,得到电极浆料;所述添加剂包括异丙醇铝和/或异丙醇镁;B)将电极浆料涂布于集流体表面,得到电极极片;C)将所述电极极片与电解液组装,得到...
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