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最新专利技术
  • 气体分离装置、气体分离装置的管理方法、气体分离方法以及精制气体的制造方法
    气体分离装置、气体分离装置的管理方法、气体分离方法以及精制气体的制造方法_旭化成株式会社_202480010166.3
    本发明提供一种气体分离装置，其是从包含二氧化碳的混合气体中分离出上述二氧化碳的气体分离装置，其具备：吸附塔，其填充有吸附二氧化碳的吸附剂；混合气体供给管线，其将上述混合气体导入至上述吸附塔内；二氧化碳回收管线，其从上述吸附塔取出二氧化碳；减...
    2025-09-27
  • 切换装置及其操作方法
    切换装置及其操作方法_纬创资通股份有限公司_202410346619.1
    本发明公开一种切换装置及其操作方法。切换装置设置于主机板上，且主机板适于连接显示卡。切换装置包括控制模块与切换模块。控制模块接收第一信号与第二信号，并依据第一信号与第二信号，产生第一控制信号与第二控制信号。切换模块连接第一接脚、第二接脚、第...
    2025-09-27
  • 马达以及具备该马达的电动压缩机
    马达以及具备该马达的电动压缩机_三电株式会社_202480012153.X
    本发明提供通过细径的磁导线也能够容易且稳定地将汇流条单元固定于定子的马达。构成马达的定子（21）的绝缘体（27）具备：多个槽（31），形成于外表面且沿着轴向延伸；以及多个凹部，汇流条单元（26）具备：多个定位部（47），进入绝缘体（27）的...
    2025-09-27
  • 半导体制造用光掩模以及光掩模图案形成方法
    半导体制造用光掩模以及光掩模图案形成方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410341962.7
    本发明公开一种半导体制造用光掩模以及光掩模图案形成方法，半导体制造用光掩模包括多个第一区块与多个第二区块。第一区块的线宽(width)与间隔(space)落在一设定范围以外，第二区块在一方向上的线宽与间隔组合落在所述设定范围内。在每个第二区...
    2025-09-27
  • 半导体结构
    半导体结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410341900.6
    本发明公开一种半导体结构，包括中介层。中介层包括基底、重布线层、第一集成被动元件与第二集成被动元件。重布线层位于基底上。第一集成被动元件位于基底中。第二集成被动元件位于重布线层中。
    2025-09-27
  • 防碰撞系统和防碰撞方法
    防碰撞系统和防碰撞方法_纬创资通股份有限公司_202410332963.5
    本发明公开一种防碰撞系统和防碰撞方法。方法包含：通过雷达侦测第一侦测区域和第二侦测区域以产生目标物件的侦测结果，其中第二侦测区域包含第一侦测区域且大于第一侦测区域；根据侦测结果判断目标物件是否入侵第一侦测区域或第二侦测区域；响应于判断目标物...
    2025-09-27
  • 高空轨道状态的侦测方法、处理装置及搬运系统
    高空轨道状态的侦测方法、处理装置及搬运系统_盟立自动化股份有限公司_202410331283.1
    本申请公开一种高空轨道状态的侦测方法、处理装置及搬运系统。高空轨道状态的侦测方法能被处理装置执行。高空轨道侦测方法包含先重复执行收集步骤，再执行数据转换步骤、统计步骤及判断步骤。收集步骤是收集各台搬运车于各段轨道的运行信息。数据转换步骤是将...
    2025-09-27
  • 用于增压设备的涡轮机单元
    用于增压设备的涡轮机单元_博格华纳公司_202410325010.6
    本发明涉及一种用于增压设备(1)的涡轮机单元(10)，该涡轮机单元包括支承壳体(30)和涡轮机壳体(20)，该涡轮机壳体藉由凸缘连接(100)与支承壳体(30)相联接。凸缘连接(100)包括涡轮机壳体侧凸缘(110)和支承壳体侧凸缘(120...
    2025-09-27
  • 安全气囊
    安全气囊_奥托立夫开发公司_202480009982.2
    一种安全气囊(1)，该安全气囊包括相对的第一侧面板和第二侧面板(2,3)，该第一侧面板和该第二侧面板在主接缝(4)处连结在一起，其中：第一侧向接缝(22,23)与该主接缝会合并远离该主接缝延伸，终止于自由端，其中该第一侧向接缝由形成在该第一...
    2025-09-27
  • 仿生手系统及控制方法
    仿生手系统及控制方法_三亚智元医疗科技有限公司_202410320900.8
    本发明公开了本发明提供如下技术方案：仿生手系统，包括：手部组织获取模块，用于对手部的内部结构特征进行获取，得到内部数据；本发明通过对人体手部的外部及内部的结构特征以及形态进行数据获取，并且依据获取数据进行手骨模型的打印制造，再通过控制驱动的...
    2025-09-27
  • 浮点数的处理方法与装置、神经网络训练方法与浮点数数据库转换方法
    浮点数的处理方法与装置、神经网络训练方法与浮点数数据库转换方法_旺宏电子股份有限公司_202410322881.2
    本公开提供一种浮点数的处理方法与装置、神经网络训练方法与浮点数数据库转换方法。获取一自定义浮点数，该自定义浮点数包括一符号域与一指数域，其中，该自定义浮点数的一数值决定于该符号域、该指数域、一基底值与一偏差值，该基底值不为整数，且该基底值大...
    2025-09-27
  • 解码器电路及使用于解码器电路的解码方法
    解码器电路及使用于解码器电路的解码方法_慧荣科技股份有限公司_202410319729.9
    本发明涉及解码器电路及使用于解码器电路的解码方法。该解码方法包括：提供通道值存储器接收并储存输入数据作为通道值；提供符号存储器储存符号值；提供梯度下降位元存储器储存该通道值的差异资讯；提供变数节点单元根据该通道值产生第一输出值与第二输出值；...
    2025-09-27
  • 存储器装置及其制造方法
    存储器装置及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410322849.4
    本公开提供了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括阵列区域、阶梯区域、在阵列区域与阶梯区域中的参考结构、在阵列区域与阶梯区域中的堆叠结构以及从阵列区域沿着一方向延伸到阶梯区域的壁结构。参考结构包括导电结构与在阶梯区域中嵌设于导电结构内的...
    2025-09-27
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410319922.2
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，半导体元件包含一金属栅极设于基底上、一间隙壁设于金属栅极旁、一层间介电层环绕金属栅极、一第一气孔设于该金属栅极一侧并设于该间隙壁以及该金属栅极之间以及一第二气孔设于该金属栅极另一侧并设于该间隙壁以及该金...
    2025-09-27
  • 半导体结构以及其制作方法
    半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410319973.5
    本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，半导体结构包含一基底，基底上定义有一第一中高压元件区与一低压元件区彼此相邻，第一中高压元件区内包含有第一栅极接触以及一第一源/漏极接触，低压元件区内包含有两第二源/漏极接触以及一第二栅极接触，其中第二...
    2025-09-27
  • 嵌入式高压半导体元件及其制造方法
    嵌入式高压半导体元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202410320020.0
    本发明公开一种嵌入式高压半导体元件及其制造方法，嵌入式高压半导体元件包含基底，具有低压元件区及高压元件区；ILD层，设于基底上；第一互连金属层，位于低压元件区内的ILD层上；第一IMD层，位于ILD层和第一互连金属层之间；第二互连金属层，位...
    2025-09-27
  • 半导体元件
    半导体元件_联华电子股份有限公司_202410320053.5
    本发明公开一种半导体元件，其主要包含一金属栅极设于一基底上、一层间介电层环绕该金属栅极以及一凹槽设于层间介电层以及金属栅极之间，其中金属栅极包含一高介电常数介电层设于该基底上、一功函数金属层设于高介电常数介电层上以及一低阻抗金属层设于功函数...
    2025-09-27
  • 正极活性材料前体及其制备方法
    正极活性材料前体及其制备方法_株式会社LG化学_202480009536.1
    本发明涉及一种新型结构的正极活性材料前体及其制备方法，其中所述正极活性材料前体所包含的复合过渡金属氢氧化物含有：包含第1一次颗粒的核部分；以及在所述核部分上形成并包含第2一次颗粒的壳部分，其中，在所述正极活性材料前体的截面中，所述第2一次颗...
    2025-09-27
  • 感应式方向盘及其制造方法
    感应式方向盘及其制造方法_原相科技股份有限公司_202410312419.4
    本发明公开一种感应式方向盘及其制造方法。感应式方向盘包括方向盘握把及感应电路层。感应电路层包括弹性基底层、弹性感应图样层及第一绝缘保护层。弹性基底层具有相对的第一表面及第二表面。弹性感应图样层设置在第一表面上，弹性感应图样层以可延展导电材料...
    2025-09-27
  • 半导体结构
    半导体结构_旺宏电子股份有限公司_202410315683.3
    本公开提供一种半导体结构，可应用于三维AND闪存元件。半导体结构包括基底、介电结构、第一密封环结构与第一密封通孔。基底包括元件区。介电结构位于基底上。第一密封环结构位于介电结构中。第一密封环结构围绕元件区。第一密封通孔位于介电结构中。第一密...
    2025-09-27
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