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最新专利技术
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511300899.3
    本申请涉及一种太阳能电池和光伏组件。太阳能电池包括半导体衬底， 包括第一面；第一掺杂半导体层位于第一极性区的第一面， 且包括第一侧壁；堆叠层设于第二极性区的第一面， 且包括覆盖于第一侧壁上的第一分部；导电层设于第一掺杂半导体层和堆叠层背离半...
    2025-11-21
  • 光伏组件及其制备方法、光伏系统
    光伏组件及其制备方法、光伏系统_润马光能科技(金华)有限公司_202510773116.7
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法、光伏系统， 涉及光伏组件领域；本发明的光伏组件包括m组并联的电池组件， 每组电池组件包括n串串联或并联的电池串， 每串电池串包括k片串联的电池片， 其中， k、n和m为整数， k>1；n>1；m≥1；电...
    2025-11-21
  • 一种光伏组件及光伏组件的制备方法
    一种光伏组件及光伏组件的制备方法_晶科能源股份有限公司_202510912508.7
    本申请涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法， 该光伏组件包括光伏电池组、正面封装结构、背面封装结构和限位件， 沿光伏组件的宽度方向， 光伏电池组包括多组间隔设置的电池串， 限位件位于相邻的两组电池串之间， 限位件包括主体部、第一连接部和第二...
    2025-11-21
  • 一种气囊挤压封装的太阳能电池、集成式光伏组件及其安装方法
    一种气囊挤压封装的太阳能电池、集成式光伏组件及其安装方法_壹中新能源(上海)有限公司_202510993073.3
    本发明提供了一种气囊挤压封装的太阳能电池、集成式光伏组件及其安装方法， 涉及太阳能电池技术领域， 包括：两个透明硬外壳， 两个透明薄膜， 太阳能电池片；所述透明硬外壳凹面覆盖有所述透明薄膜， 所述透明薄膜与所述透明硬外壳的内壁组成一个密封的...
    2025-11-21
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202510813257.7
    本申请实施例涉及光伏电池领域， 提供一种光伏组件， 光伏组件包括：背接触电池， 背接触电池包括电池片本体、细栅、焊接部和搭接部；多个细栅位于电池片本体上， 细栅沿第一方向延伸；焊接部位于电池片本体上， 焊接部与细栅电性连接；搭接部设置在焊接...
    2025-11-21
  • 一种背接触光伏组件及其制作方法
    一种背接触光伏组件及其制作方法_福建金石能源有限公司_202510888603.8
    本发明涉及光伏组件领域， 公开了一种背接触光伏组件及其制作方法， 光伏组件依次包括玻璃前板、封装胶膜、若干小电池片、汇流带和图形化导电玻璃背板。图形化导电玻璃背板包括玻璃背板， 玻璃背板上设置有铜线图形线路。铜线外表面电镀有锡层。汇流带通过...
    2025-11-21
  • 一种光伏组件及光伏组件的制作方法
    一种光伏组件及光伏组件的制作方法_晶科能源股份有限公司_202510977062.6
    本申请涉及一种光伏组件及光伏组件的制作方法， 其中光伏组件包括电池串和焊带， 电池串包括多个并排设置的电池片， 焊带位于电池片的一侧， 用于连接多个电池片。在电池片面向焊带的一侧设置多个焊接区域， 沿光伏组件的长度方向， 多个焊接区域间隔设...
    2025-11-21
  • 连接结构、电池串、光伏组件及制备方法
    连接结构、电池串、光伏组件及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511199871.5
    本发明公开了一种连接结构、电池串、光伏组件及制备方法， 涉及光伏组件技术领域。该连接结构包括：承载胶膜， 所述承载胶膜用于覆盖多个所述BC电池单元的背面；焊带， 多条所述焊带间隔设置于所述承载胶膜与所述BC电池单元背面接触的一侧；金属导电浆...
    2025-11-21
  • 焊带及光伏组件
    焊带及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511261268.5
    本申请涉及光伏领域， 本申请实施例提供一种焊带及光伏组件， 该焊带沿其高度方向的至少一侧表面上设置有反光凸起， 多个反光凸起呈阵列分布；在焊带的宽度方向上， 沿焊带的中心指向其两端的方向， 多个反光凸起的高度依次增大。反光凸起所组成的阵列在...
    2025-11-21
  • 一种长/长波双色超晶格探测器
    一种长/长波双色超晶格探测器_武汉高芯科技有限公司_202510895066.X
    本发明提供了一种长/长波双色超晶格探测器， 包括衬底以及从衬底向上依次生长的缓冲层、下接触层、第一长波吸收层、电子势垒层、第二长波吸收层、上接触层和盖层， 所述第一长波吸收层和第二长波吸收层均采用弱N型掺杂的InAs/InAsSb超晶格， ...
    2025-11-21
  • 一种长波超晶格红外探测器及其制备方法
    一种长波超晶格红外探测器及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202510895157.3
    本发明提供了一种长波超晶格红外探测器， 包括衬底以及在衬底上由下至上依次生长的缓冲层、下接触层、吸收层、空穴势垒层和上接触层， 所述吸收层和空穴势垒层采用弱P型掺杂的InAs/InAsSb超晶格， 所述吸收层和空穴势垒层形成导带偏差近零的同...
    2025-11-21
  • 光电组件
    光电组件_联亚光电工业股份有限公司_202510999055.6
    一种光电组件， 包含基板、设置于所述基板且与所述基板采同材质的缓冲层、形成于所述缓冲层并以具有初始内应力值的工作材料所制成的接口层、以所述工作材料形成于所述接口层的应变层、形成于所述应变层并具有所述初始内应力值的作用层， 及设置于所述作用层...
    2025-11-21
  • 一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法
    一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202510731906.9
    本发明公开了一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法。级联型胶体量子点光导型焦平面探测器包括有基底层， 基底层上设置有阵列式的叉指电极， 在基底除叉指电极以外的位置上设置有第一层绝缘层；在叉指电极上设置有级联HgTe量子点层构成的...
    2025-11-21
  • 一种光电探测器及制备方法
    一种光电探测器及制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511213791.0
    本发明提供了一种光电探测器及制备方法， 涉及光电探测器技术领域。本发明中光电探测器包括硅衬底、功能层、电极层和绝缘层， 硅衬底包括由下至上依次层叠布置的n型硅层和p型硅层。功能层位于硅衬底的上方， 且包括由下至上依次层叠布置的二硫化钼层和硫...
    2025-11-21
  • 雪崩光电探测器
    雪崩光电探测器_清华大学_202510823336.6
    本申请涉及一种雪崩光电探测器。所述雪崩光电探测器包括：至少一个雪崩光电探测单元；雪崩光电探测单元包括N型掺杂区、P型掺杂区、第一本征区、第二本征区和第三本征区；N型掺杂区、本征区和P型掺杂区沿第一方向依次设置；第一本征区、第二本征区和第三本...
    2025-11-21
  • 一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法
    一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法_西北工业大学_202510828962.4
    本发明提供了一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法， 解决现有InSe光电探测器存在光响应度与响应速度不能兼顾的问题。本发明所提供的技术解决方案是通过对器件的结构设计， 以及将具有不同掺杂或合金化的硫属化合物二维材料进行堆叠， 形...
    2025-11-21
  • 一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510640502.9
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法， 所述方法步骤如下：在衬底上制备光波导；将石墨烯转移至波导上方并进行区域隔离， 形成电光调制器下层有源区和光电探测器沟道区， 并做好电光调制器的下层有源区接触电极和光电探测器的沟道两端接触电极；覆盖...
    2025-11-21
  • 降低键合白边宽度的方法
    降低键合白边宽度的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779411.3
    本发明提供一种降低键合白边宽度的方法， 对第一晶圆和/或第二晶圆执行晶圆修边处理的步骤；在进行晶圆键合之前， 对待键合的第一晶圆和/或第二晶圆的边缘执行围边沉积处理， 以优化第一晶圆和/或第二晶圆的边缘轮廓；将经过围边沉积处理的第一晶圆和第...
    2025-11-21
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779483.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法， 在半导体衬底上形成光电二极管区域和栅结构；在栅结构侧壁形成侧墙结构；在半导体衬底中形成源极/漏极区；在半导体衬底上沉积含预定掺杂元素的掺杂介质层；以及对半导体衬底进行热处理， 以使掺杂介质层中的预定掺杂...
    2025-11-21
  • 改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法
    改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780306.1
    本申请公开了一种改善互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器性能的方法。该方法包括：在CMOS图像传感器的像素区域进行高能离子注入以形成阱区后；部分去除所述像素区域上存在的至少一层第一氧化层；以及在部分去除所述至少一层第一氧化层之后， 在...
    2025-11-21
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