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最新专利技术
  • 用以控制喷溅的激光切割
    用以控制喷溅的激光切割_德州仪器公司_202480019346.8
    一个实例方法(100)包括沿着半导体衬底的相应划片道在进入点处将激光光束导引在所述半导体衬底(102)的第一侧表面处。所述衬底包括在所述第一侧表面处具有电路系统且由相应划片道彼此分离的多个裸片。所述激光光束聚焦在所述衬底内以形成经修改区和从...
    2025-11-19
  • 球栅阵列封装
    球栅阵列封装_LG伊诺特有限公司_202480019255.4
    根据本发明的实施例的球栅阵列封装包括：第一电路板；设置在第一电路板上方的第二电路板；设置在第一电路板与第二电路板之间以便彼此间隔开的第一焊球和第二焊球；设置在第一电路板与第二电路板之间以便从第一电路板的上表面沿着第一焊球的第一侧表面延伸到第...
    2025-11-19
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380094849.7
    本公开涉及半导体装置，其目的在于提供能够容易地进行信号线与布线图案的电连接的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体模块；管座，搭载半导体模块，并具有向与半导体模块相同的一侧突出的管座突出部；桥接基板，配置在管座突出部的上表面；引脚；以及...
    2025-11-19
  • 半导体元件搭载用基板
    半导体元件搭载用基板_日本特殊陶业株式会社_202480021466.1
    半导体元件搭载用基板具备：基材，其由金属构成；电极，其与半导体元件连接；以及保护层，其配置于基材与电极之间，该保护层由与形成基材的金属相比耐腐蚀性高的材料形成。
    2025-11-19
  • 导热性片材
    导热性片材_电化株式会社_202480015675.5
    本发明的导热性片材的储能弹性模量为0.3×109～1.2×109Pa，拧紧力矩为0.5N·m时测定的热阻为0.07～0.12K/W。根据本发明，能够提供导热性及阶差追随性优异的导热性片材。
    2025-11-19
  • 半导体装置的制造方法和半导体装置
    半导体装置的制造方法和半导体装置_三菱电机株式会社_202380095997.0
    本发明提供一种半导体装置的制造方法，使包含冷却翅片的半导体装置的可靠性提高。半导体装置的制造方法包括准备保持半导体元件的底板的工序以及将冷却翅片安装到底板的背面的工序。安装冷却翅片的工序包含形成通过焊接将底板和冷却翅片接合后而得的接合部的工...
    2025-11-19
  • 用于冷却至少两个电气和/或电子组件的可流体穿流的冷却器
    用于冷却至少两个电气和/或电子组件的可流体穿流的冷却器_罗伯特·博世有限公司_202480018845.5
    本发明涉及一种可流体穿流的冷却器(100)，其用于冷却至少两个电气和/或电子组件(200)。可流体穿流的冷却器(100)包括第一板(101)、第二板(102)、第三板(103)、至少两个冷却通道(104)和分配通道(105)。第二板(102...
    2025-11-19
  • 导电连接件、包括所述导电连接件的功率半导体模块和制造导电连接件的方法
    导电连接件、包括所述导电连接件的功率半导体模块和制造导电连接件的方法_日立能源有限公司_202380096458.9
    详细说明了一种用于具有至少一个功率半导体部件(19)的功率半导体模块(16)的导电连接件(1)，该导电连接件包括：‑ 外部连接部(2)，该外部连接部被配置为在外部导电地连接，‑ 内部连接部(5)，该内部连接部被配置为导电地连接至功率半导体部...
    2025-11-19
  • 液体冷却的紧凑型功率系统
    液体冷却的紧凑型功率系统_马雷尔动力解决方案股份有限公司_202480019198.X
    装置可以包括具有金属结构、金属元件、金属基座和晶体管的设备。金属结构、金属元件和金属基座中的每一个都可以包括基本上平坦并且相对面向的第一和第二表面。晶体管可以包括第一和第二端子，该第一和第二端子可以分别包括基本上平坦并且相对面向的第一和第二...
    2025-11-19
  • 二乘二逻辑小芯片
    二乘二逻辑小芯片_赛灵思公司_202480017129.5
    本文的实施方案描述了集成电路(IC)的各种2x2配置，其中这些IC可以使用芯片到芯片接口与多个相邻IC通信。因此，2x2配置是对其他水平芯片集成格式(诸如1x2、1x3和1x4)的改进，其中这些IC中的一些IC可以仅与一个其他IC直接通信。
    2025-11-19
  • 包括集成器件以及在相同金属层上具有可变厚度金属化互连的金属化部分的封装
    包括集成器件以及在相同金属层上具有可变厚度金属化互连的金属化部分的封装_高通股份有限公司_202480019431.4
    一种封装，包括集成器件和金属化部分。该金属化部分包括至少一个介电层；以及多个金属化互连。该多个金属化互连包括位于第一金属层上的第一金属化互连和位于第一金属层上的第二金属化互连。第一金属化互连包括第一厚度。第二金属化互连包括与第一厚度不同的第...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480019012.0
    半导体装置(A10)具备第一芯片焊盘(21)、第一半导体元件(11)、第二芯片焊盘(22)、第二半导体元件(12)、密封树脂(50)、第一引线(23)、第二引线(24)、第三引线(25)以及第四引线(26)。所述第一引线、所述第二引线、所述...
    2025-11-19
  • 具有减小的接触电阻率的含有双金属硅化物的半导体器件
    具有减小的接触电阻率的含有双金属硅化物的半导体器件_应用材料公司_202480019335.X
    本技术包括具有改进的接触电阻率的半导体器件和方法。半导体器件包括：基板基底；氧化硅，所述氧化硅设置在所述基底上，从而限定一个或多个特征；双金属硅化物层，所述双金属硅化物层设置在所述一个或多个特征中的所述基板上；以及至少第一金属层。所述双金属...
    2025-11-19
  • 具有玻璃芯和玻璃堆积层的衬底
    具有玻璃芯和玻璃堆积层的衬底_英特尔公司_202380095036.X
    本文描述了具有玻璃芯和玻璃堆积层的衬底及其形成方法。在一个示例中，衬底包括玻璃芯、玻璃芯上方和下方的玻璃层、玻璃芯和至少一些玻璃层中的导电迹线、以及衬底的表面上的导电触点。
    2025-11-19
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_哈纳米克罗恩公司_202480016843.2
    本发明涉及半导体封装，其特征在于，包括：第一基板；复数个半导体芯片，配置在所述第一基板的上方；以及连接结构体，配置在复数个所述半导体芯片中的至少一个半导体芯片与所述第一基板之间，将复数个所述半导体芯片中沿水平方向排列的至少两个以上的半导体芯...
    2025-11-19
  • 微电子装置以及相关存储器装置封装及电子系统
    微电子装置以及相关存储器装置封装及电子系统_美光科技公司_202480017173.6
    一种微电子装置包含：控制器装置；第一裸片，其竖直上覆于所述控制器装置；第二裸片，其竖直上覆于所述第一裸片；及引线。所述第一裸片包含与所述控制器装置的水平中心水平分离达第一距离的第一垫。所述第二裸片包含与所述控制器装置的所述水平中心水平分离达...
    2025-11-19
  • 用于处理具有μLED的装置的方法以及该装置
    用于处理具有μLED的装置的方法以及该装置_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202380095889.3
    本发明涉及用于处理具有多个μLED的装置的方法，包括以下步骤：在载体基板上提供多个垂直μLED，μLED在与载体基板相对的顶表面上具有接触区域，以及将多个垂直μLED嵌入到光活性材料中，光活性材料覆盖多个光电子部件中的相邻μLED之间的空间...
    2025-11-19
  • 电极和电极的制造方法以及电化学设备
    电极和电极的制造方法以及电化学设备_株式会社可乐丽_202480023636.X
    电极，其是包含具有三维多孔结构的集电体和活性物质的电极，其满足下述式(i)、(ii)的条件中的任一者或两者。(i)当集电体的平均开口直径为A(μm)、活性物质的中值直径(D50)为B(μm)时，A、B满足下述式(1)的关系。0.10≦B/A...
    2025-11-19
  • 二次电池制造系统和使用其生成中间卷图的方法
    二次电池制造系统和使用其生成中间卷图的方法_株式会社LG新能源_202480017872.0
    根据本发明的示例性实施方式，提供了一种生成中间卷图的方法。该方法包括以下步骤：输入坐标相关测量数据的搜索参数，该坐标相关测量数据是基于电极片的测量而收集的并且包括原始测量数据；以及基于搜索参数输出坐标相关测量数据，其中，搜索参数包括表示电极...
    2025-11-19
  • 用于二次电池制造的辊压装置
    用于二次电池制造的辊压装置_株式会社LG新能源_202480019359.5
    本文公开了一种用于对涂覆有电极活性材料的电极执行热辊压的辊压装置，其中，在一个示例中，预加热器设置在对以卷对卷方式传送的电极执行辊压的辊压单元的上游，并且预加热器沿着电极的表面的宽度方向照射红外激光，以辐射热的形式对电极的表面执行加热。
    2025-11-19
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