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  • 本申请提供的一种基于晶圆电性能测试效果图的自动画片设备涉及半导体晶圆加工技术领域。该设备包括工作单元和主控单元,工作单元包括工作台,工作台上设置有固定部装、画线部装和视觉部装。固定部装用于将待画线的晶圆组件固定在工作台上。画线部装包括画笔、...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,且公开了一种半导体芯片清洗烘干一体机,包括作业台,所述作业台的顶部开设有清洗池、烘干池和限位槽,所述作业台的顶部固定装配有固定块,所述固定块的外壁固定装配有电机一,所述电机一的动力输出轴固定装配有联轴器一。在对半...
  • 本发明公开了一种晶圆处理液的供液系统,包括第一供应单元,用于连接容纳装置,以向容纳装置通入第一流量的第一处理液;第二供应单元,与容纳装置连接,以向容纳装置通入第二流量的第二处理液,以使第一处理液与第二处理液混合;其中第二处理液为易挥发液体且...
  • 本发明公开了一种基板供液装置及基板处理设备,基板处理装置包括:供液单元,用于提供处理液;输出管路,一端与供液单元连通,另一端为出液口,用于排出流经输出管路的处理液;泵送装置,设于输出管路,以输送输出管路内的处理液;调节装置,设于输出管路;调...
  • 本发明公开了一种半导体处理设备的检测装置,所述半导体处理设备包括处理腔;所述处理腔内设有待检测件,所述待检测件上开设有多个待检测孔;所述检测装置包括:支撑层,设于所述处理腔内,并与所述待检测件对应;检测层,设于所述支撑层,并置于所述支撑层与...
  • 根据本申请提供了熔接式硅舟及制造方法,包括天板、法兰、沟棒和齿条,沟棒设有多条并从下向上延伸设置,天板固定在沟棒上端,法兰固定在沟棒下端,齿条两端分别固定在不同的沟棒,多个齿条从下至上依次排布。齿条与沟棒采用组装式结构,分开独立制造,可采用...
  • 本申请涉及硅片输送设备技术领域,尤其涉及一种硅片输送机构、清洁方法及太阳电池生产设备。该硅片输送机构包括若干滚轮、若干第一电机、清洁组件以及控制器。滚轮被配置为以预设转速转动而输送硅片。清洁组件包括相连接的伸缩驱动件和擦拭件,伸缩驱动件被配...
  • 本发明涉及晶圆装载端口技术领域,具体公开了一种晶圆装载端口装置和方法,包括装置主体、设在装置主体顶部且可容晶圆放入的密闭晶圆盒,装置主体包括下机匣、设在下机匣顶部并可与密闭晶圆盒连通以容晶圆置入的上晶圆盒匣、设在下机匣顶部并位于上晶圆盒匣侧...
  • 本发明涉及晶圆装卸机技术领域,尤其为一种晶圆装卸机的传送盒盒盖拿取机构,包括主体机架、下部限位板、晶圆盒锁位机构、晶圆检测机构、盒盖拿取机构和晶圆盒解锁机构,所述盒盖拿取机构包括两个和主体机架固定连接的限位块,本发明中,通过设置的磁偶式气缸...
  • 本公开提供了一种传送装置和处理系统。该传送装置可以包括第一传送组件,用于向腔室传送第一工件;第二传送组件,用于从该腔室传送出第二工件;阻隔组件,设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间,用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递;支撑组件,用...
  • 本发明涉及固晶设备技术领域,公开一种晶圆盘上料装置,具有两两垂直的第一方向、第二方向和第三方向,包括承载机构,承载机构包括承载板、第一限位件、第二限位件和第三限位件,承载板的厚度方向平行于第三方向,承载板在第一方向上的一端固定连接第一限位件...
  • 提供一种能够防止在供电端子上发生放电的静电吸盘。静电吸盘(10)具备:电介体基板(100),具有包含放置面的第1部分(101)和从第1部分(101)的外周端进一步向外周侧突出的第2部分(102);内部电极(140),被设置在第2部分(102...
  • 本申请公开一种承载组件及晶圆清洗设备,涉及半导体制备技术领域,所公开的承载组件包括承载盘、驱动组件、多个夹持轴和多个第一弹性件;承载盘的周向间隔设有多个轴孔,夹持轴一一对应设于轴孔内,夹持轴具有用于夹持晶圆的第一位置和松脱晶圆的第二位置,第...
  • 本发明涉及一种晶圆承托装置及定位方法,用于对待加工晶圆定位调平,包括承托单元,其包括承托板和导向块,所述导向块沿第一方向延伸设置于所述承托板,所述导向块设有限位部,所述待加工晶圆可拆卸装配于所述承托板;定位调平单元,其包括底座、水平定位模块...
  • 本发明涉及固晶夹具领域,公开了一种防偏移的固晶机固晶定位夹具及固晶机,定位夹具包括切换机构、夹持组件、定位控制组件及调节组件,夹持组件包括固定安装在第三安装盒内部的隔板;驱动块通过定位控制组件安装在第三安装盒内,并与第三安装盒连接;第一弹簧...
  • 本发明公开了一种芯片制造加工用的封装装置,涉及芯片制造加工技术领域,该芯片制造加工用的封装装置包括封装台,所述封装台的顶部固定安装有滑架,所述滑架的内壁滑动安装有封装板一,所述封装板一的顶部固定贯穿有封装液注口,所述滑动板滑动安装在封装台的...
  • 本发明涉及一种半导体器件隔离结构及其制造方法,尤其涉及一种通过在形成有深沟槽隔离(DTI)区的基板内的埋层下部形成离子注入区,可以缓解所述深沟槽隔离(DTI)区与埋层彼此接触或相邻的一侧上的电场集中,从而提升其隔离特性的半导体器件隔离结构及...
  • 本发明提供了一种空腔绝缘体上硅片及其制备方法,该方法包括:提供第一硅片和第二硅片;在第一硅片的键合面上形成绝缘层;在目标位置形成空腔结构,目标位置全部位于第二硅片,或部分位于第二硅片并延伸贯穿绝缘层,或部分位于第二硅片并延伸贯穿绝缘层至第一...
  • 本发明公开了一种接触孔结构形成方法及接触孔结构和功率器件,方法包括:在衬底的表面上依次形成第一介质层、缓冲介质层和第二介质层;采用光刻和干法刻蚀工艺,在第二介质层的表面上形成底部进入衬底中的过渡接触孔结构;采用湿法去胶工艺,去除剩余的光刻胶...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决如何降低制备互连结构的工艺难度。该半导体结构的制备方法包括:形成中间半导体结构;中间半导体结构包括初始绝缘结构,初始绝缘结构设有沟槽,沟槽由初始绝缘结构...
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