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  • 本发明公开了一种磁透镜和电子显微镜。磁透镜包括第一极靴组件、第二极靴组件和线圈组件;第一极靴组件内形成容纳空间;线圈组件和第二极靴组件均设置于容纳空间内;线圈组件围绕第二极靴组件;其中,第二极靴组件的状态包括第一状态、第二状态和第三状态;在...
  • 箔片透镜校正器、包含箔片透镜校正器的带电粒子显微镜系统及相关方法。在一个示例中,箔片透镜校正器被配置为在带电粒子束中产生抵消性球面像差,并且包含石墨烯箔片。在一个示例中,CPM 系统包含带电粒子源和包含石墨烯箔片的箔片透镜校正器。在一个示例...
  • 本发明提供了一种晶圆载台及刻蚀设备。所述晶圆载台包括电控电极阵列材料盘,从上至下依次包括:第一陶瓷层、阵列电极材料层、第二陶瓷层;其中,所述阵列电极材料层包括一金属薄板,所述金属薄板上分布有多个电控电极阵列单元;每个所述电控电极阵列单元的谐...
  • 本发明公开了一种内部共轴光路的透射电镜原位样品杆,属于透射电子显微镜领域。其包括依次连接的样品杆头、样品杆身和手握柄。样品杆头设有样品载台和聚光透镜,将激发光会聚至样品;样品杆身内设有密封光纤导向通道及容纳于其中的光纤,激发光和样品被激发产...
  • 本发明涉及一种用于原子层刻蚀的简化气体输送系统。该系统通过省去气箱和压力计的需求,降低了整体成本。预设的质量流量控制器(MFC)和三通阀可在ALE工艺的表面改性步骤与溅射步骤中精确控制气体流量。借助ALE工艺的自限性,该系统无需维持腔室稳态...
  • 本发明公开了一种刻蚀腔体的清洁方法、系统及可读存储介质,属于半导体技术领域,该刻蚀腔体的清洁方法,包括提供刻蚀腔体,所述刻蚀腔体内设置有若干零部件,所述刻蚀腔体的内部及所述零部件上均含有氧化硅,刻蚀腔体内存在大量氧化硅材质;在所述刻蚀腔体内...
  • 本发明公开了一种用于真空环境下的图形刻蚀装置以及图形刻蚀方法,所述图形刻蚀装置包括外壳、承载座、掩模版机构以及离子束源;外壳内具有工作腔,所述外壳上还设有连通口,所述工作腔通过连通口与外界相连通;承载座安装于所述外壳的工作腔内;掩模版机构包...
  • 本申请公开了一种刻蚀反应腔的刻蚀方法及刻蚀设备,属于刻蚀技术领域。刻蚀反应腔的刻蚀方法包括:在刻蚀反应腔内执行第一刻蚀制程,以对第一结构进行刻蚀;在第一刻蚀制程结束之后,对刻蚀反应腔进行清洁,以去除残留的沉积聚合物;在清洁后的刻蚀反应腔内进...
  • 本发明提供了一种射频电源动态频率调谐方法及系统,涉及射频电源控制技术领域。该方法包括步骤:采集射频输出端的瞬时电压信号和瞬时电流信号;根据瞬时电压信号和瞬时电流信号,获得平均反射功率值;根据平均反射功率值与预设阈值的比较结果,生成频率调节指...
  • 本发明提供基于射频等离子体的5nm级半导体芯片原子层刻蚀系统,系统包括反应腔室、射频电源子系统、气体注入子系统和控制单元,射频电源子系2包含60MHz高频源和2MHz低频源,控制单元通过时序控制信号实现两者的交替输出,高频脉冲用于激发反应气...
  • 本发明涉及一种可以无损地插入到质谱仪中并可取下的离子光学件。此外本发明还涉及包括根据本发明的离子光学件及用于该离子光学件的容纳元件的套装。本发明还涉及一种质谱仪,尤其是一种MALDI‑TOF质谱仪,其包括根据本发明的离子光学件和/或根据本发...
  • 本发明属于质谱分析仪技术领域,具体地说是一种径向进样磁增强光电子电离源装置,电离源腔体的一侧设有进样接口、相对的另一侧安装有孔电极,电离源腔体内设有磁增强光电子电离区及离子漏斗传输区;推斥电极位于聚焦电极一侧与进样接口之间,聚焦电极的另一侧...
  • 本发明提供一种电子束离子阱系统及高离化态离子提取方法,涉及离子提取技术领域,该系统包括:电子束离子阱装置本体、真空腔室、永磁体模组、真空模组和注气模组;电子束离子阱装置本体设置于真空腔室内部;永磁体模组围绕真空腔室设置,用于为电子束离子阱装...
  • 本发明提供一种空心阴极、空心阴极灯及其制备方法,属于分析测试仪器的放电灯技术领域。空心阴极由单质阴极材料粉末压制成型,孔隙率为10%‑20%。空心阴极制备方法包括如下步骤:1)将块状阴极材料研磨为粉状材料;2)对粉状阴极材料进行压铸;3)对...
  • 本申请提供了一种蜂窝整流结构、装置、等离子体光源及半导体设备,蜂窝整流结构应用于激光维持等离子体光源,所述蜂窝整流结构包括:相邻设置的多个蜂窝单元,所述蜂窝单元形成用于使气流通过的通道结构,所述多个蜂窝单元的轴向延伸方向平行;设置于相邻的所...
  • 本申请公开了一种极片及其制造方法、电池单体、电池包及用电设备,属于电池技术领域,通过在极片的集流体和/或活性层上设置多个凹槽,设置于极片的集流体或者活性层的表面的多个凹槽基于毛细效应形成电解液的浸润通道,从而提高电解液在极片上的浸润速率和浸...
  • 本发明提供一种水系质子电池正极及其制备方法、一种水系质子电池,水系质子电池正极包括导电集流体和设置在导电集流体至少一侧的正极膜片,正极膜片包括正极活性物质、导电剂和粘结剂,粘结剂由橡胶热交联得到,橡胶选自丁腈橡胶、丁苯橡胶、氢化丁腈橡胶、氢...
  • 本发明涉及氧化锰基正极,特别涉及一种预嵌入锌的水系锌离子电池的氧化锰基正极及制备方法。本发明提出使用简易的离子交换法对δ‑MnO₂进行预嵌入锌离子,基于水热法制备了具有2D互联纳米片形貌的δ‑MnO₂材料,其微观形貌十分有利于锌离子的快速脱...
  • 本发明公开了一种用于液态金属电池的自愈合型抑液滴负极及制备方法。本发明将多孔导电基底浸入聚合物溶液,超声辅助渗透后升温固化,得到动态键改性基底;制备低熔点液态金属,改性基底经梯度脱气后,在高温下真空浸渍于熔融合金,进行超声辅助以及加压渗透;...
  • 本发明提供了一种固态电池电极、其制备方法及应用。该制备方法包括:将固态电解质、活性材料、导电剂和粘合剂混合,加入主溶剂和稀释剂,得到电极浆料,涂布在集流体上,依次进行干燥和压实,得到固态电池电极;主溶剂包括异丁酸异丁酯和/或异戊酸异戊酯,稀...
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