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  • 本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域,阱区位于第一区域远离第一表面的一侧,并沿着第一区域表面延伸至第一表面,包括第四表面和第五表面;...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体,半导体本体还包括阱区和第一区域;阱区的离子浓度小于第一区域的离子浓度;第一表面还设置有栅极沟槽,栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中;半导体本...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体;半导体本体还包括阱区和第一区域;二维导电层,包括第一导电部和第二导电部;第一导电部位于第一表面并覆盖阱区远离第二表面的一侧并沿第一区域的表面延...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体,包括阱区和第一区域;阱区为重掺杂;第一表面还设置有栅极沟槽;半导体本体还包括第一绝缘层,第一绝缘层位于栅极沟槽的侧壁;二维导电层,位于栅极沟槽...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体;半导体本体还包括阱区和第一区域;二维导电层,包括第一导电部和第二导电部;第一导电部位于第一表面并覆盖阱区远离第二表面的一侧;第二导电部和第一导...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括:提供半导体本体;半导体本体设置为第一导电类型,且包括相对设置的第一表面和第二表面;在半导体本体形成阱区和第一区域,第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面,...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括:提供半导体本体和二维导电层;半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面;第一表面设置有凹槽;二维导电层设置于凹槽内;半导体本体还包括阱区和第一区域,第一区域...
  • 本公开实施例提供一种功率模块封装结构及功率模块,该结构包括载板、多个金属底板、多个基板、多个芯片、多个外接端子和塑封体,载板的边缘区域设置有多个贯穿其厚度的通孔;金属底板设置于载板的上表面;基板设置于与其对应的金属底板;芯片设置于与其对应的...
  • 本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体,包括第一表面和第二表面;半导体本体还包括阱区、第一区域和第一绝缘层;第一栅极,位于第一绝缘层远离半导体本体的一侧;第二绝缘垫层,位于阱区和第一...
  • 本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,半导体本体还包括阱区和第一区域;第一表面还设置有栅极沟槽,栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中;二维材料层,二维材料层设置为第一导电类型且位...
  • 本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域;第一表面设置有包括连通的第一栅极沟槽和第二栅极沟槽的栅极沟槽,第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽远离第一表面的...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体;半导体本体还包括阱区和第一区域;第一表面设置有第一栅极沟槽和第二栅极沟槽,第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽远离第一表面的一侧;半导体本体还包括第一...
  • 本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,半导体本体还包括阱区和第一区域;第一表面还设置有沟槽,沟槽包括连通的耐压层填充沟槽和栅极沟槽,栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中,耐压层填...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括:半导体本体;半导体本体包括阱区和第一区域;第一表面设置有栅极沟槽;栅极沟槽包括连通的第一栅极沟槽和第二栅极沟槽,第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽远离第一表面的...
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,半导体本体包括:第一区域,设置为第一导电类型且位于第一表面;阱区,设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧;二维材料层,设置为第...
  • 本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,半导体本体包括:第一区域,设置为第一导电类型且位于第一表面;阱区,设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧;第一表面设置有凹槽,凹...
  • 本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体,包括第一表面、第二表面、第一二维材料层、阱区和第一区域,第一表面设置有第一凹槽;第一二维材料层设置为第一导电类型且位于第一凹槽的槽底;第一二维材...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件,包括:半导体本体,包括相对设置的第一表面和第二表面;半导体本体还包括阱区和第一区域;第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面;阱区设置为第二导电类型且位于第一表...
  • 本申请涉及一种散热结构、电子设备、车辆及散热控制方法,该散热结构包括散热器、电制冷器和单向导热件,其中,电制冷器一侧与散热器热耦合,另一侧被配置为与芯片热耦合;单向导热件一侧与散热器热耦合,另一侧被配置为与芯片热耦合,以将芯片的热量单向导通...
  • 本发明公开了一种风冷散热器,包括主箱体,所述主箱体的后部安装有多个散热风机;所述主箱体的左右两个内侧板体的内侧壁上均成型有多个换热凹槽,两个内侧板体的内侧壁面上固定有内水平固定板,内水平固定板覆盖对应的内侧板体上的所有换热凹槽并将所有换热凹...
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