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  • 本发明公开了一种快速切换Recipe、自动捕捉位置的基片类传感器、及在线诊断的系统和方法, 本发明通过MCU接收来自CMOS图像传感器的图像数据、IMU运动测量芯片的运动数据以及温湿度传感器的环境数据, 进行综合处理后, 一方面通过控制LE...
  • 本发明涉及芯片生产技术领域, 具体涉及一种TO封装芯片的生产及测试装置及方法, 成型组件包括升降器、支撑板、第一弹性件、预压板、弯折板、底模和推板, 弯折板设置在底模的上方, 支撑板固定在弯折板上, 预压板滑动设置在弯折板的一侧, 第一弹性...
  • 本发明属于半导体制造技术领域, 公开了刻蚀设备用气体控制方法及刻蚀设备。该方法包括通入吹扫气体吹扫工艺腔体和所有管路;吹扫完成后向工艺腔体内通入特气和/或普气以对衬底进行处理;向抽气管路注入吹扫气体, 并获取抽气管路的第一气压和工艺腔体内的...
  • 本发明涉及芯片制作技术领域, 具体为一种异构芯片三维堆叠的液冷通道同步成型设备, 包括第一电动推杆, 其特征在于:所述第一电动推杆的活塞杆底端固定安装有一组矩形框架。可转动加热组件则负责对横向部分槽进行热塑形, 这种分工明确的设计能够根据不...
  • 本发明公开了一种将晶圆从切割胶带上取下的装置及方法, 本发明涉及芯片制造技术领域。包括机体, 真空罩, 所述真空罩安装在机体的顶部;控制器, 所述控制器安装在机体的外部;固定架, 所述固定架安装在机体的顶部;进料机构, 所述进料机构设置在机...
  • 本发明提供了一种可识别晶圆翘曲的防碰撞取片方法及系统、存储介质, 其中方法步骤包括:在对准器晶圆垂向面上设置轮廓采集器, 在对准器旋转晶圆过程中, 采集晶圆轮廓点数据, 用以确定晶圆的圆心位置及其与晶圆旋转中心的偏心距离, 以及轮廓采集器在...
  • 本发明提供了一种半导体热处理设备校准方法, 应用于半导体制备技术领域。在本发明中, 可在半导体光刻设置进行周期形的维护后或在执行某种波动较大的半导体制程工艺之前, 均对所述半导体热处理设备先进行一次常规的温度检测, 以实现其承载环上的温度传...
  • 本发明属于先进封装领域, 涉及一种针对先进封装激光解键合的工艺方法, 具体涉及一种针对2.5D/3D先进封装过程中双面工艺需要使用到临时键合和激光解键合的工艺制程。本发明提供了一种利用激光能量将键合片中的玻璃层与释放层相分离的工艺方法, 首...
  • 本发明提供一种硅晶片盒自动清洗检测一体装置, 属于硅晶片生产设备, 包括有工作台与清洗篮, 清洗篮内设有多组硅晶片盒本体, 工作台包括底座和顶台, 顶台上设有转运组件, 转运组件包括轨道和沿轨道滑动的两组机械臂, 机械臂末端均设有夹持清洗篮...
  • 本发明公开了一种无针式晶圆黏膜分离装置, 涉及晶圆加工技术领域, 本发明通过将气孔环绕开设在帽盖顶部边缘位置, 通过气流高速流动对蓝膜底部进行连接, 而后将相互套接的第一顶出块、第二顶出块、第三顶出块、第四顶出块和第五顶出块滑动插接在帽盖顶...
  • 本申请提供了一种芯片封装流程监控方法及系统, 运用于芯片加工技术领域, 通过控制终端获取传感器中对于芯片封装加工流程的监控数据;反馈机制实时反馈传感器监控数据并构建工艺参数;根据传感器监控数据判定是否处于加工标准相符的阈值区间;通过卷积网络...
  • 本发明提供了一种释放晶圆的控制方法和装置。晶圆吸附于静电卡盘上且由顶针承接。控制方法包括:驱动移动对象以第一预设步进方式移动以使静电卡盘远离晶圆, 移动对象为静电卡盘和顶针之一;在完成第一预设步进方式的一步移动的间隔时长内, 获取表征晶圆与...
  • 本发明公开一种芯片测试方法, 包括如下步骤:提供晶圆级的封装结构, 封装结构包括若干待切割的芯片结构;半切封装结构, 以形成分隔若干芯片结构的切槽;自封装结构上取出若干芯片结构中的至少一个;对封装结构上未被取出的芯片结构进行晶圆级测试;将自...
  • 本发明公开了一种确定EMC晶圆与玻璃晶圆低温临时键合最优降温速率的试验方法, 包括:将键合腔内的真空度抽至5×10‑3Pa;将上下加热板的温度升高至200℃并维持该温度3分钟;向键合腔内施加5000N的压力, 并充入氮气以保持压力15分钟再...
  • 本申请公开了一种植球方法、植球设备和植球基板, 涉及植球技术领域, 所述植球方法包括步骤:提供带金属微粒的溶液;将由带金属微粒的溶液形成带金属微粒的液滴, 并喷射到待植球基板上的目标位置;对所述待植球基板上的带金属微粒的液滴进行激光照射, ...
  • 本发明公开了一种扇出型封装方法及结构, 该扇出型封装方法包括以下步骤:1)提供芯片保护结构;2)在芯片保护结构表面涂布绝缘层;3)将芯片和芯片保护结构装配在临时载板上;4)将芯片和芯片保护结构塑封成一体。本发明在塑封料内部嵌入回型金属框架或...
  • 一种封装件及其形成方法, 形成封装件的方法包括:形成覆盖封装组件的顶面的热层堆叠件, 其中, 热层堆叠件包括多个不同的金属子层;将封装组件连接到封装衬底;在封装衬底上和封装组件上沉积模制材料;以及将支撑环附接到模制材料。
  • 本发明公开了一种陶瓷基板上新型线路盖板孔的制作方法, 步骤10, 第一次光刻胶涂敷;步骤20, 第一次曝光显影;步骤30, 第一次电镀处理;步骤40, 对位于第一次曝光区域的第一光刻胶层及附着在第一光刻胶层上的第一电镀金属层进行清除;步骤5...
  • 本发明属于集成电路封装技术领域, 尤其是一种氮化铝CLCC封装外壳及其制备方法。本发明步骤如下:S1、在已经印制好的表贴焊盘表面进行第一次开腔, 形成贯穿表贴焊盘的圆形通孔;S2、在圆形通孔内部进行浆料挂壁, 形成侧面焊盘;S3、将圆形通孔...
  • 本发明涉及功率模块技术领域, 尤其涉及一种陶瓷基板的制作方法、陶瓷基板和功率模块, 该方法包括:提供陶瓷基片、第一金属片和第二金属片;在第二金属片的第一面形成微沟槽冷却腔体, 在第二面形成与微沟槽冷却腔体连通的注射机构, 得到加工后的第二金...
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