Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163654.6
    提供能够抑制钝化膜中的裂纹的产生的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体部件、层间膜、金属层和钝化膜。层间膜设置于半导体部件的上表面侧。金属层以覆盖层间膜的上表面侧的至少一部分区域的方式设置。钝化膜成膜于层间膜的未设置金属...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163652.7
    提供能够提高末端区域中的雪崩耐量的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极、控制电极以及第三电极。半导体部包含第一导电型的第一半导体层以及第二导电型的第二半导体层。第一区域中的半导体部还包含设于第二半导体层与第二电...
    2025-11-22
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202411157094.3
    提供能够降低导通电阻的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；半导体层， 设置在所述第一电极之上；第二电极， 设置在所述半导体层之上；控制电极， 隔着绝缘区域设置在所述半导体层内；第一导电部， 沿着与从所述第...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411141790.5
    提供能够兼顾截止状态时的漏电流降低和导通状态时的电阻的降低的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层， 配置在所述第一电极上；第二半导体层， 配置在所述第一半导体层上， 是第二导电型， 具有第一部分和与所述第一电极的距...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120255.1
    提供能够提高耐压的半导体装置。第1末端沟槽部的第1方向上的宽度大于栅极沟槽部的第1方向上的宽度。第1末端沟槽部的下端位于比栅极沟槽部的下端靠下方的位置。
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120251.3
    实施方式提供能够提高耐量的半导体装置。根据一个实施方式， 半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第1导电部、第2导电型的第5半导体区域、第2导...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410807777.2
    实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层， 设置在第1电极上， 具有在第1方向上位于相互分离的位置且在第2方向上延伸的多个台部；第2电极， 位于在台部的上部设置的凹部， 且在第2方向上延伸；栅极电极， 在第1方向上与...
    2025-11-22
  • 一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法
    一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202511070395.7
    本发明公开了一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法， 包括低阻N+衬底， 低阻N+衬底的两端分别设有漏极金属和外延层， 所述外延层顶部加工有若干沟槽， 沟槽的侧壁覆盖有第一介质层， 沟槽的内设有分裂栅和控制栅; 控制栅...
    2025-11-22
  • 含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件
    含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件_晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司_202510930711.7
    本发明涉及一种含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件， 具体涉及半导体领域， 所述含氢终端的MOSFET外延结构包括：依次设置于衬底上的缓冲层、外延层、氢终端层、P‑N层、栅氧层和多晶栅层；所述氢终端层的厚度为0.5‑1nm。本...
    2025-11-22
  • 一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法
    一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法_重庆理工大学_202510929047.4
    本发明公开了一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法， 旨在解决现有氧化镓横向增强型场效应晶体管器件在输出功耗大和功率输出性能低方面的不足。该结构包括：Ga2O3半绝缘衬底、n型Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3沟道层、β‑(Al0.33...
    2025-11-22
  • 一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法
    一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510877490.1
    本发明提供了一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法， 属于半导体器件技术领域， 自下至上依次包括金刚石衬底、金刚石外延层和氢终端沟道层；源电极和漏电极分别与氢终端沟道层形成欧姆接触；氧终端沟道层形成于氢终端沟道层内；复合栅介质层形成于...
    2025-11-22
  • 屏蔽栅沟槽型器件结构及其制作方法
    屏蔽栅沟槽型器件结构及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779504.6
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型(SGT)器件结构及其制作方法。该SGT器件结构包括：衬底；设置在衬底或其上外延层内的沟槽；设置在沟槽底部的场介质层；设置在场介质层之上的源极多晶硅电极；以及关键的浮置电极， 该浮置电极位于源极多晶硅电极上方， ...
    2025-11-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163655.0
    提供能够降低源极接触电阻的半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极， 与所述第一电极在第一方向上分离而配置；控制电极， 在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第二电极对置而配置；第一绝缘部， 设置于所述第二电...
    2025-11-22
  • 沟槽式半导体结构及其制造方法
    沟槽式半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410396793.7
    本发明提供了沟槽式半导体结构及其制造方法。沟槽式半导体结构包括：半导体材料层， 其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面， 其中所述半导体材料层具有第一导电型；第一沟槽结构， 从所述第一表面往所述第二表面延伸， 其中所述第一沟槽结构包...
    2025-11-22
  • 场效应晶体管及其制备方法
    场效应晶体管及其制备方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396295.2
    本发明实施例提供场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：外延层， 外延层的一侧具有栅氧下区域；氧化层， 设置在栅氧下区域上；多晶硅层， 设置在氧化层背离外延层的一侧；第一源区和第二源区， 沿第一方向分别设置在栅氧下区域的两侧；阱区， 设...
    2025-11-22
  • 场效应管及其制造方法
    场效应管及其制造方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396284.4
    本发明提供了一种场效应管和一种场效应管的制造方法。场效应管包括：第一电性外延层， 一端具有栅极区；两个第二电性掺杂层沿宽度方向分别设于栅极区两侧；第一电性掺杂层嵌设于第二电性掺杂层， 第二电性掺杂层阻隔第一电性掺杂层和第一电性外延层， 第一...
    2025-11-22
  • 氮化镓器件、其制备方法及功率设备
    氮化镓器件、其制备方法及功率设备_深圳平湖实验室_202511303402.3
    本公开提供的氮化镓器件、其制备方法及功率设备， 包括沟道层；势垒层， 位于沟道层一侧；p型帽层， 位于势垒层远离沟道层的一侧；栅极金属层， 位于p型帽层远离势垒层的一侧；导通增强层， 位于栅极金属层与p型帽层之间。通过增加导通增强层， 可以...
    2025-11-22
  • 一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法
    一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511298484.7
    本发明公开了一种L型p‑GaN HEMT器件结构及其制备方法， 其包括半导体层、L型p‑GaN层、源极、漏极、栅极、七层钝化层、通孔金属、互联金属结构及场板结构。L型p‑GaN层分为两子层， 优化电场分布；多层钝化层和场板结构有效抑制界面缺...
    2025-11-22
  • 一种GaN射频器件及其测试方法
    一种GaN射频器件及其测试方法_重庆联晶通半导体科技有限公司_202511284948.9
    本申请公开了一种GaN射频器件及其测试方法。该GaN射频器件结构包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓主体层、势垒层及绝缘层。顶部绝缘层表面设有两类开口形状不同的通孔， 通过在不同目标区域填充导电材料形成欧姆接触， 以测试不同电极配置下的器件性能。...
    2025-11-22
  • 双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511014237.X
    本申请公开了一种双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法， 涉及半导体器件领域， 氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底；依次形成在衬底同一侧的半绝缘高阻层、n型掺杂层、背势垒层以及沟道层；电极结构， 电极结构位于沟道层背离衬底的一侧；电...
    2025-11-22
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证