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最新专利技术
  • 导电性膜及显示装置
    导电性膜及显示装置_TDK株式会社_202480015177.0
    导电性膜具备基板、设置于基板的主面上的树脂层、填充于至少形成于树脂层的槽图案的导电部。树脂层使用含有包含硅的脱模剂以及树脂的树脂组合物而获得， 树脂层具有表面脱模剂偏析层和设置于表面脱模剂偏析层的基板侧的主体部， 表面脱模剂偏析层在与主体部...
    2025-10-25
  • 形成用于互连结构的金属衬垫的方法
    形成用于互连结构的金属衬垫的方法_应用材料公司_202480014792.X
    形成器件的方法包括在基板上形成电介质层， 所述电介质层包括至少一个限定间隙的特征， 所述间隙包括侧壁和底部。所述方法包括在间隙底部上选择性沉积自组装单层(SAM)。SAM包含烃， 所述烃具有化学式H‑C≡C‑R， 其中R是包含1至20个碳原...
    2025-10-25
  • 基板支承组件及等离子体处理装置
    基板支承组件及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480016590.9
    基板支承组件具备基台、基台上的基板支承部以及供给部。基台具有第一流路和第二流路。第一流路是用于第一传热介质的流路。第二流路是用于第二传热介质的流路。供给部与第二流路连接。第二流路在第一流路与基板支承部之间延伸。供给部与第二流路连接以向第二流...
    2025-10-25
  • 静电卡盘装置
    静电卡盘装置_住友大阪水泥股份有限公司_202480016199.9
    一种静电卡盘装置， 其具备：静电卡盘板， 具有介电体基板及吸附电极， 所述介电体基板具有用于搭载试样的载置面， 所述吸附电极位于介电体基板的内部；及基台， 从载置面的相反的一侧支承静电卡盘板， 静电卡盘板具有沿静电卡盘板的厚度方向贯穿的气孔...
    2025-10-25
  • 基板保持装置
    基板保持装置_东丽工程株式会社_202480016102.4
    提供一种即使在基板翘曲成凸状的情况下也能够可靠地保持基板的基板保持装置。具体而言， 提供一种基板保持装置， 其支承并保持基板的下表面， 所述基板保持装置具备：中央支承部， 支承基板的下表面的中央部；外周支承部， 其支承基板的下表面的外周部；...
    2025-10-25
  • 采用活性氧清除的晶片载体
    采用活性氧清除的晶片载体_埃万特公司_202480015114.5
    晶片载体包括：具有内部空间的壳体；以及与内部空间流体连通的氧清除化合物。所述载体在制造加工步骤中为封装在载体内的半导体晶片提供了具有活性氧控制的微环境。
    2025-10-25
  • 半导体装置
    半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480015444.4
    本公开涉及能够实现即使安装在CoW结构的芯片层叠晶圆上的半导体装置的DUT测量的半导体装置。包括单片化的信号处理电路、单片化的存储器电路等的逻辑芯片层叠在其上已形成有多个摄像元件的晶圆上， 端子形成在划线表面上， 划线是在单片化时要切割的部...
    2025-10-25
  • 接合体的制造方法、处理液及处理方法
    接合体的制造方法、处理液及处理方法_富士胶片株式会社_202480014996.3
    本发明的课题在于提供一种接合强度优异的接合体的制造方法。并且， 本发明的课题在于提供一种在接合体的制造方法中所使用的处理液及接合部件的处理方法。本发明的接合体的接合方法包括：准备工序， 准备表面的最大高度Rmax为50nm以下的接合部件；预...
    2025-10-25
  • 导电性物质搭载用掩模和导电性物质搭载用掩模的制造方法
    导电性物质搭载用掩模和导电性物质搭载用掩模的制造方法_奔马有限公司_202380095449.8
    导电性物质搭载用掩模(4)具有第1镀层(10)和第2镀层(20)。第1镀层(10)具有平坦的表面(10b)， 该第1镀层(10)连续地形成而不被分割为多个部分。第2镀层(20)从表面(10b)侧覆盖第1镀层(10)， 该第2镀层(20)连续...
    2025-10-25
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380095366.9
    本发明提供一种半导体装置的制造方法， 其中通过改善密封材料和模具之间的脱模性来提高生产率。本发明的半导体装置的制造方法包括：在至少一个突起突出到设置有包含半导体元件的密封对象物且被开口的模具内部的状态下， 将密封材料填充到模具内部的工序；使...
    2025-10-25
  • 经表面处理的基材的制造方法、基材表面的选择性修饰方法、组合物及化合物
    经表面处理的基材的制造方法、基材表面的选择性修饰方法、组合物及化合物_JSR株式会社_202480015243.4
    本发明通过包括将组合物涂敷在基材的表面而选择性修饰基材的表面的工序的方法来制造经表面处理的基材。组合物含有具有含氮杂环与碳数4以上的一价有机基的鎓盐、及相对于组合物的总量而为1质量％以上的水。
    2025-10-25
  • 基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物
    基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物_JSR株式会社_202480013658.8
    在包括将组合物涂敷在基材的表面的工序的基材表面的选择性修饰方法中， 作为组合物， 使用如下的组合物， 即， 含有具有含氮杂环及碳数4以上的一价有机基的化合物(A)、以及水。
    2025-10-25
  • 碳膜形成方法和碳膜形成装置
    碳膜形成方法和碳膜形成装置_东京毅力科创株式会社_202480016271.8
    本发明的技术问题是形成耐蚀刻性高的碳膜。解决方案是， 利用旋涂法在基片上涂敷碳膜原料而在基片上形成含碳膜， 对该含碳膜进行加热烧制来形成碳膜， 并对该碳膜照射氦离子。
    2025-10-25
  • 蚀刻方法和蚀刻装置
    蚀刻方法和蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480016237.0
    本公开的蚀刻方法包括蚀刻工序， 在所述蚀刻工序中， 向在表面形成有氧化硅膜的基板供给含卤素气体、氨气以及胺气作为蚀刻气体， 来对所述氧化硅膜进行蚀刻。
    2025-10-25
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202380095138.1
    本发明的基板处理方法包括：疏水化工序(步骤S6)， 向设置于由基材(S)支撑的层叠构造(L)的凹槽(R)内供给疏水化剂(SMT)， 该疏水化剂(SMT)使构成层叠构造(L)的复数个第1层(M1)及复数个第2层(M2)中的复数个第2层(M2)...
    2025-10-25
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480019635.8
    [技术问题]本发明提供一种高效地提高位于循环系统内的处理液的清洁度的技术。[解决方案]基片处理装置包括：贮存处理液的容器；与容器连接的循环管线；泵， 其设置于循环管线， 用于驱动处理液以使处理液在由容器和循环管线构成的循环回路内循环；加热器...
    2025-10-25
  • 化学机械研磨用组合物及研磨方法
    化学机械研磨用组合物及研磨方法_JSR株式会社_202480013481.1
    本发明提供一种可使钨膜的研磨速度大且减少钨表面的腐蚀或缺陷的产生的化学机械研磨用组合物及研磨方法。本发明的化学机械研磨用组合物含有(A)研磨粒、(B1)不包含卤素原子的杂环化合物、(B2)包含至少一个卤素原子的杂环化合物及(C)液状介质， ...
    2025-10-25
  • 等离子体处理方法和等离子体处理装置
    等离子体处理方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480018771.5
    等离子体处理方法包括：步骤(a)， 向基片支承部提供基片；和步骤(b)， 在对蚀刻对象膜进行蚀刻之前， 在基片的表面形成沉积膜， 并去除沉积膜的一部分， 步骤(b)反复进行包含第一期间、第二期间和第三期间的循环， 在第一期间， 向腔室供给具...
    2025-10-25
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480015457.1
    提供使多个处理步骤之间的关系可视化的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行以下处理：获取将为了处理基板而被执行的多个处理步骤基于规定各处理步骤的内容的多个参数的值的范围来进行分类所得到的多个处理步骤组， 在对使用所...
    2025-10-25
  • 制造硅质膜的方法
    制造硅质膜的方法_默克专利有限公司_202480015263.1
    [问题]提供一种在具有沟槽的基板上方制造硅质膜的方法。[解决方案]提供一种制造硅质膜的方法， 包括以下步骤：(a)将硅质膜组合物涂覆到具有沟槽的基板上方以形成组合物层的步骤；(b)将该组合物层暴露于含有碱性化合物气体和水蒸气的环境中的步骤；...
    2025-10-25
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