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  • 本发明涉及二次电池技术领域, 具体涉及一种多层负极极片及其制备方法和应用。本发明提供的多层负极极片包括集流体, 覆盖所述集流体至少部分表面的第一涂覆层, 位于所述第一涂覆层远离所述集流体侧的第二涂覆层;所述集流体为带有通孔结构的金属箔;所述...
  • 本发明提供一种复合正极极片及电池和电池系统。该复合正极极片包括:集流体;活性物质层, 活性物质层设置在集流体的至少一侧表面;功能涂层, 功能涂层设置在活性物质层的外表面, 功能涂层包括粘结剂和无机材料;其中, 功能涂层包括至少两层子功能涂层...
  • 本发明提供一种改性负极极片及电池和电池系统。该改性负极极片包括:负极集流体;改性活性材料层, 改性活性材料层设置在负极集流体的至少一侧表面上:改性活性材料层沿着远离负极集流体的方向包括层叠设置的活性材料层和表面修饰层;表面修饰层包括至少两层...
  • 本发明提供了一种复合负极极片及二次电池, 属于二次电池技术领域。本发明针对复合负极极片提出第一负极活性物质层和第二负极活性物质层的关键参数设计, 主要包括粒度设计和表面碳材料的拉曼数值限定, 在其共同作用下, 二次电池可以在保证能量密度的前...
  • 本发明公开了一种高强度不锈钢集流体及其制备方法和应用, 涉及集流体技术领域。所述高强度集流体的制备方法具体包括以下步骤:S1:将不锈钢网依次进行洗涤、烘干、预氧化处理, 得到不锈钢集流体A;S2:将不锈钢集流体A进行一次渗氮处理, 得到不锈...
  • 本发明提供了一种干法低温脉冲的碘正极制备方法和电池, 本发明涉及碘正极制备技术领域, 所述碘正极制备方法包括:将单质碘与活性炭混合得到碳碘复合材料, 然后将固体粉末状的碳碘复合材料、导电剂和聚四氟乙烯放入高速搅拌器, 依次采用恒速间歇性脉冲...
  • 本发明提供了一种具有稳固氢键网络的多钒氧酸盐作为水系锌离子电池正极的制备方法, 步骤如下:(1)通过常规水溶液法合成含结晶水的多钒氧酸盐前驱体(NH4)7[MnV13O38]·4H2O;(2)煅烧去除结晶水, 获得(NH4)7[MnV13O...
  • 本发明涉及一种基于液态金属模板辅助构建无负极电池集流体的方法, 属于电池集流体制造技术领域。本发明通过液态金属模板制备球形碳壳包裹的Ga2O3籽晶粉末, 将球形碳壳包裹的Ga2O3籽晶粉末与粘结剂聚偏二氟乙烯混合后调浆得到浆料, 浆料涂布在...
  • 本发明公开了一种高倍率性能的锂离子电池正极及其制备方法, 该锂离子电池正极的制备方法包括以下步骤:S1.将活性材料浆料与表面接枝两性离子基团的纳米气凝胶混合;S2.对改性浆料进行离心‑真空耦合脱泡;S3.在集流体下方设置交变磁场, 预沉积磁...
  • 公开了一种用于制造电极组件的压模装置。一种用于制造电极组件的压模装置可以是用于成型电极组件的装置, 所述电极组件的未涂覆区域中形成有圆角部分, 并且压模装置可以包括:基体模具, 包括:安置表面, 所述电极组件被安置于其上, 和第一挤压部分,...
  • 本发明提供一种封装结构及其制作方法。封装结构包括电路板、玻璃中介层、第一薄膜重布层、第二薄膜重布层、专用集成电路组件、光子集成电路组件、电子集成电路组件及光纤组件。玻璃中介层包括凹槽及至少一玻璃通孔。第一薄膜重布层与第二薄膜重布层分别配置于...
  • 本发明提供一种光电共封装模块封装结构, 该封装结构包括封装基板、光电模块及载板组件, 其中, 光电模块及载板组件均设置于封装基板上方且与封装基板电连接, 光电模块包括沿第一水平方向延伸且在垂向上分立设置的第一/第二光电单元, 第一/第二光电...
  • 本申请公开了一种半导体结构及其制备方法, 包括:衬底;位于衬底上的器件区, 器件区包括至少一半导体器件, 半导体器件至少包括电极区;位于器件区上的第一介质层, 第一介质层设有开槽, 且开槽在衬底上的投影位置至少部分错位于半导体器件;填充于开...
  • 本申请提供了一种电容器及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备。其中, 电容器包括:第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的铁电层, 铁电层包括非掺杂层和掺杂层。本申请能够提高抗击穿电场能力, 进而提高电容器的耐久性和使用寿命。
  • 本发明提供一种半导体结构及其制备方法, 所述半导体结构包括:衬底, 所述衬底上形成有栅极结构;第一层间介质层, 所述第一层间介质层包围所述栅极结构且延伸至覆盖所述衬底的表面, 所述第一层间介质层内具有通孔, 所述通孔位于所述栅极结构的上方;...
  • 本公开提供了一种显示面板和显示装置, 该显示面板包括显示区、开孔区以及位于显示区和开孔区之间的至少一个过渡区。显示面板还包括基板以及位于基板上的电荷聚集结构, 电荷聚集结构位于基板上且位于过渡区中, 电荷聚集结构环绕至少部分开孔区且至少部分...
  • 本发明公开了一种多胞胎芯片、晶圆及晶圆切割方法, 应用于芯片制备技术领域, 包括:衬底;位于衬底一侧表面的多个功能区;功能区之间由非功能区分隔, 非功能区内设置有参考图形;参考图形用于在芯片进行电性测试时识别测试单元并生成电子Map, 使得...
  • 本发明提供一种电子装置以及其制造方法。电子装置包含基板、通孔、电路结构、至少一电子单元以及至少一记号。基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。通孔贯穿基板, 且通孔的侧壁连接第一表面以及第二表面。电路结构设置于基板上。至少一电子单元设...
  • 本发明公开了一种高过载高可靠性高压触发开关器件及其制备方法, 属于电子器件技术领域, 采用陶瓷封装的形式将多个高压触发半导体芯片封装在密闭管壳内, 多个高压触发半导体芯片利用陶瓷转接板与陶瓷管壳基板焊盘通过倒装焊接方式进行并联互连, 倒装焊...
  • 一种集成电路(1), 包括:形成至少四个修复链(A、B、C、D)的多个互连(2), 每个修复链(A、B、C、D)包括:用于提供信号路径(3)的多个主互连(21), 备用互连(22), 以及被配置用于偏移每个修复链内的信号路径(3)的电路(4...
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