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  • 本发明涉及电力电子技术领域, 公开了一种用于三电平的功能安全逻辑电路, 第一与门的第一输入端接入第一晶体管的控制信号, 第一与门的第二输入端与第四非门的输出端连接, 第一与门的第三输入端与第三非门的输出端连接, 第一与门的输出端与第一晶体管...
  • 本发明提供一种电平转换电路, 包括第一电路和第二电路, 第一电路包括第一电流镜开关元件和第一过驱动开关元件, 第一过驱动开关元件根据输入信号导通或关断, 第一电流镜开关元件和一开关元件组成电流镜电路, 第一电流镜开关元件设于电源VCC与输出...
  • 本申请实施例提供了一种脉冲信号发送电路、方法、设备和介质, 所述电路包括光耦隔离模块、逻辑控制模块和脉冲输出模块, 所述光耦隔离模块通过所述逻辑控制模块与所述脉冲输出模块连接, 其中, 所述光耦隔离模块包括逻辑光耦, 所述脉冲输出模块包括M...
  • 一种电平移位器、芯片和电子设备, 该电平移位器包括:脉冲编码电路, 用于对处在第一电压域的第一控制信号的上升沿信息和下降沿信息进行编码, 得到第一组脉冲信号, 所述第一组脉冲信号中至少两个脉冲信号均包括所述第一控制信号的上升沿信息和下降沿信...
  • 一种栅极驱动电路, 包含模拟电压加法器、驱动器、功率晶体管及电阻。模拟电压加法器包含第一输入端、第二输入端及输出端。第一输入端用以接收参考电压, 第二输入端用以接收共源电压, 输出端用以根据共源电压及参考电压产生总和电压。驱动器包含第一输入...
  • 本公开涉及芯片设计技术领域, 特别地涉及一种芯片辐射抑制电路, 包括:原边地、副边地和隔离芯片;其中, 所述原边地包括第一电容组, 所述副边地包括第二电容组和第一磁珠组;所述第一电容组包括并联连接的第一去耦支撑电容组和第一差模滤波电容, 所...
  • 本申请是关于一种开关、控制信号的生成方法及供电方法, 所述开关包括至少一个按键本体, 用于接收按键操作;第一感应件, 所述第一感应件与对应位置的按键本体联动, 所述按键本体在基于所述按键操作进行状态切换时, 带动所述第一感应件活动;与所述第...
  • 一种集成式热电及光开关器件, 包括一石英衬底基片, 所述石英衬底基片上设置有两个电路, 其中一个为热电模块电路, 另一个为光开关模块电路, 所述热电模块电路、光开关模块电路均为自中部起两延伸端分别蛇形弯曲形成的两排由不同成分电极串联构成的电...
  • 本申请实施例提供的一种开关电路、芯片及设备, 所述电路包括半导体模块及与所述半导体模块串联的滤波模块;所述半导体模块的第一端及所述滤波模块的第一端中的一者用于外接在目标电路上, 所述半导体模块的第一端及所述滤波模块的第一端中的另一者用于与接...
  • 本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域, 揭示了一种射频开关芯片, 所述射频开关芯片的电路结构包括:变压器型差分电感T‑L1、变压器型差分电感T‑L2、一个电容C1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2以及栅极电阻RG1、栅极电阻RG2;...
  • 本发明提供了一种针对底盘one box的预驱动电路, 电路设置有上拉开通模块和稳压模块, 上拉开通模块提供第二驱动电流至功率管的栅极, 以导通功率管。上拉开通模块中的耐压MOS管的栅极接入参考电压, 参考电压和功率管的源极电压之间的差值小于...
  • 本公开提供了一种开关电路及电子设备, 属于功率器件领域。开关电路包括:MOSFET、第一晶体管、第二晶体管、二极管、第一电容C1、控制端子G、第一电极端子S和第二电极端子D;MOSFET的控制极与控制端子G电连接, MOSFET的第一电极与...
  • 本发明公开了一种自驱动多电平混合的桥臂串扰抑制驱动电路, 主要包括推挽电路、栅源极间箝位电路, 其次是由齐纳二极管、电容和电阻等无源元件组成的RC延迟电路以及附加的三极管提供的正向串扰抑制电路。不需要增加额外的控制信号, 利用RC电路充电和...
  • 本申请公开一种固态断路器、电流控制系统以及电流控制方法。固态断路器包括基板以及芯片层。基板表面具有集成栅极驱动电路的控制区, 以及集成热敏电阻传感器的温感区。芯片层位于基板具有控制区和温感区的一侧, 包括控制芯片和第一传感器单元, 控制芯片...
  • 本发明公开了一种基于FPGA的PSM高压电源模块的轮循控制方法。本方法为:1)第i个PSM电源模块将电压信号线性转换为电压频率信号, 并将其转换为光信号经光电转换板卡送入FPGA;2)FPGA将电压频率信号作为计数时钟对输入的计数脉冲信号进...
  • 本发明提供一种半导体开关器件的控温方法及电子设备和计算机可读存储介质, 该半导体开关器件的控温方法包括:获取所述半导体开关器件所处的环境的环境温度和所述半导体开关器件的结温;根据所述环境温度和所述结温, 对所述半导体开关器件进行温度控制。本...
  • 本发明公开了一种抗干扰延时型NMOS高边输出过流短路保护方法, 涉及功率半导体保护电路技术领域。该方法通过分压电阻网络动态检测NMOS管压差, 生成随系统电压自适应的触发差电压;采用高压比较器直接由VC供电, 触发差电压明显增大, 显著抑制...
  • 本发明涉及接近开关技术领域, 具体为一种有过流短路保护的电磁感应接近开关及其应用方法, 接近开关包括:用于为LC振荡器电路、斯密特触发器电路、输出三极管电路提供驱动电压的稳压电路;LC振荡器电路检测到金属物体后, 经斯密特触发器电路整形, ...
  • 本发明涉及供电设备技术领域, 尤其涉及一种一拖四电源信号线, 包括:中央电源分配模块, 用于接收输入电压并分配至多个分支;优先级算法控制单元, 与所述中央电源分配模块电连接;多个分支负载监测模块, 各个分支负载监测模块与所述中央电源分配模块...
  • 本发明公开了一种N‑MOS管高边驱动及快速关断电路, 包括栅极驱动开关电路U1、快速关断电路、第一电阻R1和N‑MOS管T1, 控制信号端CON0分别连接第一电阻R1一端和快速关断电路, 所述栅极驱动开关电路分别连接栅极驱动电压端VG和第一...
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