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最新专利技术
  • 半导体器件结构及相关方法
    半导体器件结构及相关方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510775845.6
    本公开涉及半导体器件结构及相关方法。用于执行隔离图案化工艺的方法和结构包括限定在俯视图中沿第一方向延伸的多个有源区。该方法还包括在多个有源区之上形成多个虚设栅极结构，该多个虚设栅极结构在俯视图中沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。该方法...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411127565.6
    一种能够使动作稳定化的半导体装置及其制造方法，具备：在包括第一、第二绝缘膜及半导体部分的构造体上形成包括第一电极部分及第二电极部分的电极，第一电极部分在第一方向上延伸并横穿半导体部分的正上方区域，第二电极部分从第一电极部分起向与第一方向交叉...
    2025-11-30
  • 高性能鳍式晶体管的形成方法
    高性能鳍式晶体管的形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202410526667.9
    本发明公开了一种高性能鳍式晶体管的形成方法，沿鳍式晶体管沟道长度方向，在鳍式晶体管栅极两端边界位置，存在覆盖鳍式沟道截面的晕环(Halo)注入区，分隔轻掺杂漏(LDD)注入区和鳍式晶体管沟道；所述Halo注入区与所述鳍式晶体管沟道的掺杂类型...
    2025-11-30
  • 半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置
    半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410525477.5
    本申请公开了半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置，该方法先对鳍结构进行横向刻蚀以在鳍结构的相邻沟道材料层之间形成空洞，接着在该空洞中形成内间隔件并于鳍结构的源/漏极开口中形成外延源/漏极区，进而去除横跨在鳍结构上的伪栅极结构以及去除剩余...
    2025-11-30
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410520029.6
    一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于所述衬底表面形成鳍结构；形成掺杂层，所述掺杂层至少包覆所述鳍结构的顶表面和侧壁表面；于所述鳍结构的外周形成保护层，所述掺杂层至少部分位于所述鳍结构与所述保护层之...
    2025-11-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410513425.6
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括第一区以及与其相邻的第二区；在第二区的衬底顶部形成第一介电层，第一介电层与衬底之间具有刻蚀选择比；形成第一介电层之后，在第一区的衬底顶部形成第一沟道层；去除第一介电层，形成由第一沟道层的...
    2025-11-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410497619.1
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部，所述鳍部包括第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层表面的若干层重叠的复合层，所述复合层包括第二牺牲层以及位于所述第二牺牲层表面的沟道层；在所述衬底上形成横跨所...
    2025-11-30
  • 双沟道鳍式晶体管的形成方法
    双沟道鳍式晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410453098.X
    一种双沟道鳍式晶体管的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一区以及与其相邻的第二区，第一区的基底顶部凸立有第一鳍部，第二区的基底顶部凸立有第二鳍部，且第一鳍部的被刻蚀速率小于第二鳍部的被刻蚀速率；对第一鳍部和第二鳍部的表面进行第一改性处...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202410452541.1
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在晶圆的衬底上形成栅极结构；在晶圆正面形成光刻胶，并进行第一体区光刻，使光刻胶露出第一注入窗口；对晶圆正面进行离子注入，在第一注入窗口的下方形成体区的第一注入区；去除光刻胶，然后在晶圆的第...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、电力装置
    半导体器件及其制备方法、电力装置_清华大学_202510781650.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电力装置，半导体器件包括发射极群、第一基区与第二基区，发射极群包括第一发射极及第二发射极，第一发射极与第二发射极的导电类型相反；第一基区沿第一方向设置于第一发射极与第二发射极之间，第一基区与第一发射极...
    2025-11-30
  • 一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT
    一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT_西安电子科技大学_202510862183.6
    本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT，涉及半导体器件技术领域，将表面的第三P‑GaN层用作E‑mode器件的栅极区域，并将刻蚀第二P‑GaN层、势垒层、沟道层和部分漂移层形成的沟槽用作D‑mode器件的...
    2025-11-30
  • 一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法
    一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法_广东先导微电子科技有限公司_202511045990.5
    本发明半导体器件领域，具体公开一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法。本发明的GaAs基HBT器件采用倒置的结构，且将加工工艺当中的半导体衬底作为导电的N型半导体层参与器件的导电，可以使得GaAs基HBT器件具有P型GaAs基极和N型I...
    2025-11-30
  • 辐射增强的双极晶体管
    辐射增强的双极晶体管_德克萨斯仪器股份有限公司_202511008055.1
    本申请公开一种辐射增强的双极晶体管，所公开的示例包括集成电路和双极晶体管(100)，该双极晶体管(100)具有在衬底(102, 104)中的第一导电类型的第一区(106)、设置在衬底(102, 104)中的第二导电类型的集电极区(114)以...
    2025-11-30
  • 一种基于氟等离子体钝化提升β-Ga2O3肖特基二极管性能的方法
    一种基于氟等离子体钝化提升β-Ga2O3肖特基二极管性能的方法_合肥工业大学_202511044307.6
    本发明公开了一种基于氟等离子体钝化提升β‑Ga2O3肖特基二极管性能的方法，该二极管包括具有相对设置的正面与背面的β‑Ga2O3单晶衬底，在β‑Ga2O3单晶衬底的正面设置有β‑Ga2O3外延层，利用SF6/Ar混合气体，采用ICP等离子体...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082313.0
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区，所述基底和第一导电区的表面具有第一金属互连介质层；在所述第一导电区上制备得到功能器件，所述功能器件包括与所述第一导电区电连接的导电层，所述导电层暴露于...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082300.3
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区和第二导电区，所述基底、第一导电区和第二导电区表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀以同时形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔暴露所述第一...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082213.8
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区和第二导电区，所述基底、第一导电区和第二导电区表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀以形成第一通孔，所述第一通孔暴露所述第一导电区；在所述...
    2025-11-30
  • 一种交指电容以及模数转换电路
    一种交指电容以及模数转换电路_华为技术有限公司_202510717384.7
    一种交指电容以及模数转换电路，该交指电容包括：至少一个第一金属层，每个第一金属层中设置有第一电极、与第一电极连接的至少一个第一叉指金属，以及第二电极，与第二电极连接的多个第二叉指金属，与第二电极连接的至少一个第三叉指金属。其中，至少一个第一...
    2025-11-30
  • 变容器结构
    变容器结构_联华电子股份有限公司_202410469264.5
    本发明公开一种变容器结构。上述变容器结构包括衬底、第一导电层、第二导电层、第一介电层、第二介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。第一导电层位于衬底上。第二导电层位于第一导电层上。第一介电层位于衬底与第一导电层之间。第二介电层位于第一导电层与第二导...
    2025-11-30
  • 电感结构及制备方法、芯片封装结构及制备方法
    电感结构及制备方法、芯片封装结构及制备方法_长电科技管理有限公司_202510878569.6
    本申请提供一种电感结构及制备方法、集成电感的芯片封装结构及制备方法，本申请的电感形成在塑封层中的空槽内，利用基板的第一电感图案结构、垂直键合线和第二电感图案结构组成竖直方向的平面电感或立体电感，并填充电感磁胶层，和传统水平方向的平面电感相比...
    2025-11-30
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