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最新专利技术
  • 一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池
    一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411165715.2
    本发明公开了一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池。本发明提供的降低光伏硅片电阻率的方法，包括：在碱抛后的硅片背面沉积掺磷非晶硅层；对带有掺磷非晶硅层的硅片进行退火处理，使掺磷非晶硅层内的扩散元素扩散进入硅片背面形成扩散层；以及采用...
    2025-11-30
  • TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件
    TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件_环晟光伏(江苏)有限公司_202411157321.2
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件，涉及光伏组件生产制造技术领域。所述TBC电池的制备方法采用激光掺杂的方式有效提高了钝化接触结构中硼源的掺杂浓度，进而降低了接触电阻，提升了TBC电池的效率；同时本申请采用PECVD制...
    2025-11-30
  • TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池
    TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410996688.7
    本发明提供了一种TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：将TEOS、O2、B2H6和H2通向硅基体进行PECVD工艺，在硅基体表面沉积形成BSG层，之后将BSG层中的硼源推进到硅基体中形成掺杂...
    2025-11-30
  • 太阳能电池的金属化方法、太阳能电池
    太阳能电池的金属化方法、太阳能电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410881918.5
    本发明提供了一种太阳能电池的金属化方法、太阳能电池，涉及太阳能电池金属化的技术领域，该金属化方法包括以下步骤：双面镀镍铜的电池片置于保护性气氛下先通过激光辅助烧结进行修复，再通过光注入处理进行修复，之后镀锡，得到太阳能电池；其中，激光辅助烧...
    2025-11-30
  • TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池
    TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410852607.6
    本发明提供了一种TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池，涉及太阳能电池的技术领域，所述TOPCon电池隧穿氧化层制备方法包括以下步骤：在电池片表面的第一自然氧化层上形成第一杂质氧化层，去除所述第一杂质氧化层和所述第...
    2025-11-30
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410521396.8
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池的制备方法包括：获取硅料，并对所述硅料进行第一沉积处理，以形成钝化接触层，获取磷源，并在所述钝化接触层上进行磷扩散后，在所述钝化接触层上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层及第...
    2025-11-30
  • 用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件
    用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件_横店集团东磁股份有限公司_202410460760.4
    本公开提供用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件。该方法包括对硅片进行制绒、扩散及镀膜，形成光伏结构，其中，光伏结构的镀膜侧的反射率范围为3％至10％；通过光伏结构形成电池片；在正面玻璃上涂布厚度范围为50nm至220nm的增透膜；以及利...
    2025-11-30
  • 电子装置
    电子装置_睿生光电股份有限公司_202410457678.6
    本发明提供一种电子装置，包括传感器、闪烁体层以及波长转换层。闪烁体层设置在传感器上。波长转换层设置在闪烁体层与传感器之间。
    2025-11-30
  • 利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离
    利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离_普赛昆腾公司_202511033335.8
    一种光学器件，包括：衬底、在衬底上的电介质层、在电介质层内的波导、在电介质层中并且耦合至波导的光敏部件(例如，光电探测器)、以及在衬底或电介质层的至少一者中的并且被配置成防止杂散光到达光敏部件的多个光隔离结构。在一些实施例中，多个光隔离结构...
    2025-11-30
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411842536.8
    本公开的一些实施例提供一种影像感测器，包括基板、多个第一光电二极管、第一滤色器单元、及第一光强度分配器。第一光电二极管在基板中。第一滤色器单元在基板上方。第一滤色器单元分别包括第一光电二极管上方的左上区、顶部区、右上区、左侧区、中心区、右侧...
    2025-11-30
  • 图像传感器、摄像装置及电子设备
    图像传感器、摄像装置及电子设备_华为技术有限公司_202410522601.2
    本申请涉及光学技术领域，公开了一种图像传感器，包括至少两个图像处理单元，图像处理单元包括沿第一方向依次设置的分光结构和光处理单元，分光结构设于光处理单元的入射端，分光结构与光处理单元之间具有间隔区域，分光结构用于将入射到其上的光按不同颜色分...
    2025-11-30
  • 像素单元结构及其制备方法
    像素单元结构及其制备方法_上海集成电路研发中心有限公司_202410497566.3
    本发明提供一种像素单元结构及其制备方法，所述像素单元结构包括P型阱区；形成于P型阱区中且沿第一方向设置的N型沟道埋层及P型沟道阻止层；设于N型沟道埋层上且沿第二方向依次设置的寄存器栅极及输出收集栅极；第一N型掺杂区，设于寄存器栅极下方的N型...
    2025-11-30
  • 用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法
    用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法_纮华电子科技(上海)有限公司_202410458712.1
    本发明提供一种用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法，其包括：将一电路衬底与一暂时性承载衬底彼此靠近，以使得电路衬底被设置在暂时性承载衬底上，其中电路衬底的贯穿开口的底端被暂时性承载衬底所封闭；将一图像感测芯片容置在电路衬底的贯穿开口内且...
    2025-11-30
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202410454496.3
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，包括并列设置光电二极管、存储节点和浮置扩散区，存储节点设置在光电二极管和浮置扩散区之间；传输管栅极，设置在光电二极管和存储节点之间；复位管栅极，设置在存储节点...
    2025-11-30
  • 一种半导体探测器的散热封装模块
    一种半导体探测器的散热封装模块_无锡鉴微华芯科技有限公司_202511016121.X
    本发明公开了一种半导体探测器的散热封装模块，涉及散热封装技术领域，包括DBC基板以及散热模块；所述半导体探测器包括适配连接的像素型探测传感器、连接器以及多个处理器芯片，其中，所述像素型探测传感器设置于DBC基板正面，所述连接器以及多个处理器...
    2025-11-30
  • 光学保护结构与其形成方法
    光学保护结构与其形成方法_采钰科技股份有限公司_202411285783.2
    本公开涉及光学保护结构与其形成方法。光学保护结构包含透明基板及第一抗反射结构，第一抗反射结构设置于透明基板的一侧之上。第一抗反射结构具有第一光路区域、第一凸起区域及第一阶梯区域，第一凸起区域围绕第一光路区域，第一阶梯区域位于第一光路区域与第...
    2025-11-30
  • 图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法
    图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411184766.X
    本发明提供了图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法。一种图像传感器像素，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有前表面和与该前表面相对的后表面；光敏元件诸如光电二极管，该光敏元件形成在该半导体衬底的该前表面中并且被配置为感测第一波长范围中的光；...
    2025-11-30
  • 具有可见光和短波红外检测的图像传感器
    具有可见光和短波红外检测的图像传感器_半导体元件工业有限责任公司_202411155271.4
    本公开涉及具有可见光和短波红外检测的图像传感器。本发明提供了一种图像传感器像素，包括：半导体衬底，具有前表面和背表面；光敏元件，形成在该半导体衬底的该前表面中并且被配置为感测第一波长范围中的光；互连堆叠，该互连堆叠形成在该半导体衬底的该前表...
    2025-11-30
  • 一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件
    一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件_科微半导体(珠海)有限公司_202510772634.7
    本发明涉及光电技术领域，公开一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件。光电二极管阵列包括若干个光电二极管集，每个光电二极管集包括第一光电二极管组和第二光电二极管组，第一光电二极管组和第二光电二极管组具有90度相位差且被配置成两列，...
    2025-11-30
  • 基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法
    基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511382235.6
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种基于离子注入的硅基图像传感器的制备方法。本发明通过离子注入的方式将离子注入光电二极管内，有利于形成表面结构复杂的光学调控结构。制备过程中通过热处理形成的稳定的光学调控结构，能够避免因蚀刻制程中因表面态及...
    2025-11-30
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