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  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法,可以提升太阳能电池的性能和效率。一种太阳能电池,包括:基底和设置于基底沿其厚度方向一侧的发射极;其中,发射极的掺杂类型和基底的掺杂类型相反;发射极中的掺杂元素包括:硼元素和...
  • 本发明属于半导体及太阳能电池技术领域,公开了一种低成本电镀铜栅线异质结太阳电池的制备方法。为解决传统丝网印刷低温浆料制备异质结太阳电池中金属电极时成本高,并且丝网印刷方式难以制备更窄栅线而限制效率提升的问题,本发明在N面采用原位预处理TCO...
  • 本发明涉及激光开膜技术领域,公开了一种激光开膜机及其使用方法,包括机壳,所述机壳上安装有花篮升降模块、空花篮移载模块、伸缩皮带线模块、硅片对中模块、硅片缓存模块、NG下料模块、AOI模块、隐裂检测模块、L摆臂模块、加工载台模块、视觉定位模块...
  • 本发明提供了一种层压机及层压方法,该层压机包括:上腔室,由上箱体、上密封框以及硅胶板密封形成;升降系统,与上腔室连接,用于进行升降;下腔室,包括下密封框和下箱体,硅胶板下降贴紧于下密封框时,与下密封框和下箱体密封连接,下箱体的上表面用于放置...
  • 本发明涉及真空薄膜沉积技术领域,尤其涉及一种太阳能电池薄膜沉积载板。本发明提供的太阳能电池薄膜沉积载板包括托盘本体、承托部以及限位挡块,其中,托盘本体上形成有多个呈阵列排布的容置区域,容置区域用于容置基片,承托部用于承托容置区域中的基片,限...
  • 本发明公开了太阳能片封装领域的一种单晶硅太阳能片封装系统及封装方法,该封装系统包括设置在机架上的工作台和设置在所述工作台两侧的水平输送机构,所述工作台的旁侧还设置有封框机构,所述封框机构包括进给单元、翻转单元和滴胶单元。本发明的封装系统能够...
  • 本发明提供一种晶硅电池及其制造方法,所述晶硅电池包括N型硅基体、隧穿氧化层、N+poly层、AIOx/SiNx、银金属电极、P+层、铝金属电极,所述晶硅电池的制造方法,包括:以下操作步骤:S1:双面清洗制绒:采用尺寸为182.2*183.7...
  • 本发明属于太阳电池相关技术领域,公开了一种太阳电池金属电极及其制备方法和应用。本发明的太阳电池金属电极的制备方法,对传统金属电镀的方法进行了改进,引入激光改性种子层这一步骤,通过种子层金属原子的选择性掺杂,在金属接触区实现了对TCO能带结构...
  • 本发明属于光伏组件生产技术领域,具体的说是一种光伏组件生产用测试装置,包括平台和检测仪,检测仪的正负极上分别设有接线端,设在平台上用于放置光伏组件的承载板;滑动设在平台上的支撑件和卡座,支撑件上设有对引线头进行夹持定位的夹爪;通过在可上下移...
  • 本发明属于太阳能光伏电池镀膜技术领域,具体涉及一种提高异质结电池晶化率的方法、异质结电池,包括:将气体混合物导入反应腔;施加高频电压将气体混合物电离为等离子体;将等离子体在基材表面沉积成薄膜;其中,所述气体混合物包括前驱体气体、稀释气体、工...
  • 本发明涉及光伏电池制造技术领域,具体公开了一种BC电池制备工艺。在制备工艺中引入了通过喷墨打印热熔材料而形成掩膜区,同时结合化学腐蚀方式制备得到P/N型交叉指状结构的加工步骤。本发明中可通过不同步骤各自的加工窗口的调整可以实现多项加工步骤间...
  • 本发明公开了一种半片光伏电池片及其制备方法,包括以下步骤:S1、对原硅片进行制绒,形成半成品电池片;S2、对半成品电池片的一面进行硼扩处理,形成PN结,即正面;S3、采用激光在硼扩处理后的半成品电池片正面,按设定图形完成指定线条数量的开槽;...
  • 本发明公开了一种复合晶圆及其制备方法,该制备方法包括:S1.将非硅光电子材料切割成晶粒,并用临时键合胶将晶粒贴装到载片上,得到载片晶圆;S2.将载片晶圆与目标晶圆A进行晶圆键合,再进行热处理得到键合晶圆A;S3.对键合晶圆A进行解键合,得到...
  • 一种用于光伏电池片的缺陷检测方法及系统,获取每个线激光轮廓仪对应的初始的点对集合,计算该线激光轮廓仪对应的第一校正斜率,进而对该线激光轮廓仪对应的初始的点对集合进行轮廓校正,得到该线激光轮廓仪对应的实时点对集合;根据每个线激光轮廓仪对应的实...
  • 本申请提供一种光电合封结构的封装方法和光电合封结构,方法包括在载板表面形成重构晶圆结构,重构晶圆结构具有多个间隔设置的扇出模组,扇出模组包括多个间隔设置的电芯片;提供光芯片单体,光芯片单体的尺寸小于各扇出模组的尺寸,光芯片单体的第一表面具有...
  • 本发明属于红外探测器制造技术领域,公布了用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法,包括以下步骤:S1,光刻胶涂覆与预处理;S2,光刻与显影;S3,金属沉积;S4,金属层打磨;S5,光刻胶表面金属层的去除;S6,丙酮清洗;S7,酒精清洗;S8,...
  • 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池,制备方法,包括以下步骤:通过对n型硅片进行预清洗处理,以去除所述n型硅片的表面的杂质;对经S1步骤处理后的n型硅片的一表面进行硼扩散吸杂处理,在所述n型硅片的表面形成p++扩散层和硼硅玻璃层;...
  • 本发明公开了一种CdSe/ZnS量子点薄膜及其制备方法与应用,制备方法包括如下步骤:将CdSe/ZnS量子点与甲苯混合,超声处理,得到CdSe/ZnS量子点甲苯溶液;取所述CdSe/ZnS量子点甲苯溶液滴在晶硅异质结太阳能电池片上,旋涂后烘...
  • 本发明公开了一种II‑VI族多元化合物半导体薄膜及其制备方法和应用,属于光电材料技术领域,其制备方法为:CdxM1‑xSe1‑yTey源材料的瞬时气化;沉积薄膜;薄膜热处理。本发明中CdxM1‑xSe1‑yTey化合物半导体元素固溶度高,可...
  • 本发明公开了一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池。本发明提供的降低光伏硅片电阻率的方法,包括:在碱抛后的硅片背面沉积掺磷非晶硅层;对带有掺磷非晶硅层的硅片进行退火处理,使掺磷非晶硅层内的扩散元素扩散进入硅片背面形成扩散层;以及采用...
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