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最新专利技术
  • 光电器件和制造光电器件的方法
    光电器件和制造光电器件的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480017565.2
    本申请涉及一种具有半导体层堆叠(10)的光电器件(1)，该半导体层堆叠(10)包括第一掺杂类型的平面的第一电流传输层(11c)、二维有源层(12)和第二掺杂类型的第二电流传输层(13b)。第一导电接触层(24)与有源层的至少第一部分相对地布...
    2025-11-20
  • 补充包括发光体的透明太阳能收集器件的发电量
    补充包括发光体的透明太阳能收集器件的发电量_安卢卡科技公司_202480008560.3
    本发明的说明性实施方式总体上涉及光伏和太阳能收集器件，并且具体地涉及透明或半透明的光伏和太阳能收集器件，允许足够的可见光通过它们以允许能够通过它们看到物体，并且更具体地涉及用窄带可见光的二次和/或三次吸收来补充它们的主要近紫外光吸收同时保持...
    2025-11-20
  • 建筑用集成式太阳能电池板
    建筑用集成式太阳能电池板_太阳能围栏集团有限公司_202480016515.2
    用于建筑的多个集成式太阳能电池板，其中所述多个集成式太阳能电池板被配置为从太阳辐射产生电力和/或热量，其中所述多个集成式太阳能电池板包括多个太阳能收集部分和多个非收集部分，其中所述多个非收集部分被配置为将太阳能反射和/或聚集到所述多个收集部...
    2025-11-20
  • 半导体继电器和具备该半导体继电器的电气部件单元
    半导体继电器和具备该半导体继电器的电气部件单元_松下知识产权经营株式会社_202480016276.0
    半导体继电器(1)具备第1输入端子(6)、第2输入端子(7)、发光元件(2)、受光驱动元件(5)、第1输出端子(8)、第2输出端子(9)、第1MO SFET元件(3)、第2MOSFET元件(4)和连接导体(12)。连接导体(12)形成于受光...
    2025-11-20
  • 光检测器和电子设备
    光检测器和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480018731.0
    根据本公开实施例的光检测器包括第一光电转换元件、第一读出电路、第二光电转换元件、第二读出电路和电导体。第一光电转换元件对光进行光电转换。第一读出电路包括设置在第一半导体层第一表面侧的第一晶体管，并且构造为输出基于由第一光电转换元件的转换获得...
    2025-11-20
  • 光检测器
    光检测器_索尼半导体解决方案公司_202380095881.7
    本发明公开了一种光检测器，包括第一基体、第二基体和遮光体，第一基体包括布置有第一光电转换元件的第一半导体基板。第一光电转换元件将入射光转换为电荷。第二基体布置在第一基体的与光入射侧相反的一侧，并包括布置有第二光电转换元件的第二半导体基板。第...
    2025-11-20
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480018141.8
    本发明改善了电荷传输特性。该光检测装置包括：半导体层；以及光电转换区域，其设置在半导体层中以被分隔区域分隔。光电转换区域包括：光电转换部，其包括第一导电型的第一半导体区域，并且设置在半导体层中；第二导电型的第二半导体区域，其设置在分隔区域与...
    2025-11-20
  • 成像元件封装件及其制造方法
    成像元件封装件及其制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480017368.0
    [技术问题]提高成像元件封装件中密封玻璃的耐久性，该成像元件封装件具有使用密封玻璃的密封结构。[技术方案]该成像元件封装件包括：固态成像元件；基板，固态成像元件安装在该基板上；密封玻璃，固定至固态成像元件的成像表面侧；以及保护构件，覆盖密封...
    2025-11-20
  • 包括具有不同高度的电路的逻辑电路和相关制造方法
    包括具有不同高度的电路的逻辑电路和相关制造方法_高通股份有限公司_202480017177.4
    一种逻辑电路包括具有第一扩散区和第二扩散区的第一电路以及具有第三扩散区和第四扩散区的第二电路。第一电路中的第一设备各自包括第一扩散区的一部分和第二扩散区的一部分。第二电路中的第二设备各自包括第三扩散区和第四扩散区的部分。第一扩散区位于第二扩...
    2025-11-20
  • 电子装置
    电子装置_株式会社FLOSFIA_202480018126.3
    目的在于提供小型化的电子装置。一种电子装置，具备：模组单元，具备布线基板和安装在该布线基板上的功率元件内置型基板；以及安装基板，所述模组单元以使所述布线基板与所述安装基板平行或大致平行的方式安装在所述安装基板上，在所述布线基板的所述功率元件...
    2025-11-20
  • 具有选择性掺杂栅极电极结构的半导体装置
    具有选择性掺杂栅极电极结构的半导体装置_德州仪器公司_202480018989.0
    本发明描述包含选择性掺杂栅极电极的半导体装置。所述半导体装置包括：衬底(103)，其包含主体区及漂移区(126)；所述衬底(103)上的栅极介电层(134)，所述栅极介电层(134)在所述主体区及所述漂移区(126)上方延伸；及所述漂移区(...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480016548.7
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置，包括晶体管以及第一至第三绝缘体，晶体管包括第二绝缘体上的第一导电体、第三绝缘体上的第二导电体、氧化物半导体、第四绝缘体及第三导电体，第三绝缘体及第二导电体中设置有到达第一导电体的开口部，氧化物半...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480017050.2
    在二极管的恢复时，抑制载流子从二极管区域向IGBT区域流入而载流子集中于边界部从而元件被破坏的情况。在同一芯片内具有IGBT区域(21)和二极管区域(22)的半导体装置(1)中，IGBT具有第一导电型的漂移层(2)、第二导电型的主体层(3)...
    2025-11-20
  • 用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构
    用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构_美光科技公司_202480018424.2
    描述用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构的方法、系统及装置。针对存储器装置的制造操作可包含形成沟槽，及随后形成在第一水平方向、第二水平方向或两者上在所述沟槽之间延伸的多种类型的墩结构。例如，所述沟槽可经布置成以一或多行及一或多列延伸的网格状结...
    2025-11-20
  • 用于具有低维度材料的半导体元件的触点构造
    用于具有低维度材料的半导体元件的触点构造_应用材料公司_202480021571.5
    在非常薄的层中形成的二维(2D)材料改进了半导体元件的操作。然而，在2D材料上形成触点倾向于损坏及穿透所述2D材料。已经开发了相对温和的蚀刻工艺，所述蚀刻工艺对所述2D材料具有非常高的选择性，并且允许将垂直孔向下蚀刻到所述2D材料，而不会损...
    2025-11-20
  • 半导体装置、存储装置、电子设备及处理装置
    半导体装置、存储装置、电子设备及处理装置_株式会社半导体能源研究所_202480017430.6
    提供一种记录密度高的处理装置。处理装置包括第一层及位于第一层的上方的第二层。第一层包括处理部及读出放大器，第二层包括存储单元。另外，存储单元包括在用作处理部的缓存或主存的存储装置中。另外，读出放大器具有读出保持在存储单元中的数据的功能，存储...
    2025-11-20
  • 具有4F2优化单元布局的内存结构
    具有4F2优化单元布局的内存结构_应用材料公司_202480019133.5
    一种4F2二维动态随机存取内存阵列可以包括布置成蜂巢状图案的垂直支柱晶体管，以最大化所述内存阵列的顶部上的可用电容器占地面积。位线可以部分地与所述垂直晶体管的两个相邻行的底部源极/漏极区域相交，其中所述行可以基于所述蜂巢状图案偏移。所述字线...
    2025-11-20
  • 定位装置、安装装置、处理装置、定位方法、电子部件的制造方法以及处理方法
    定位装置、安装装置、处理装置、定位方法、电子部件的制造方法以及处理方法_松下知识产权经营株式会社_202480022348.2
    半反射镜(31a)在棱镜(31)配置于头(4)与载台(5)之间的情况下，使从头(4)侧入射的光向摄像机(1)侧反射。半反射镜(31b)在棱镜(31)配置于头(4)与载台(5)之间的情况下，使从载台(5)侧入射的光向摄像机(1)侧反射。摄像机...
    2025-11-20
  • 安装装置
    安装装置_东丽工程株式会社_202480019048.9
    提供安装装置，能够准确地掌握位置调整时的旋转中心坐标，进行在布线基板等基板上安装芯片部件时的高精度对位。具体而言，提供安装装置，其具备：附件工具，其保持所述芯片部件；安装头，其具有在XYθ方向上调整附件工具的位置的头侧台、和从与所述附件工具...
    2025-11-20
  • 转印膜、带转印膜的电磁波屏蔽膜及屏蔽印刷电路板
    转印膜、带转印膜的电磁波屏蔽膜及屏蔽印刷电路板_拓自达电线株式会社_202480018324.X
    本发明提供一种转印膜，其具有形成有凹凸形状的主面，能够充分降低凹凸形状的被转印物的光泽度，且剥离性充分高。本发明的转印膜的特征在于，其具有形成有凹凸形状的第一主面，上述第一主面的突出峰部高度Spk为1.2μm以下。
    2025-11-20
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