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最新专利技术
  • 一种引线框制作方法和引线框结构
    一种引线框制作方法和引线框结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511110677.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种引线框制作方法和引线框结构，包括：在框架基材放置加工台的表面，利用引线框冲压设备对框架基材进行冲压成引线框，基岛表面冲压出放置槽，基岛利用支撑板支撑固定，引线框冲压设备对内引脚表面冲压凹槽和放料槽；有...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511160285.X
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：提供基底；基底包括第一半导体结构、多个与第一半导体结构沿第一方向堆叠排布的第二半导体结构、位于在第二方向上相邻的两个第二半导体结构之间的第一沟槽；第二半导体结构包括衬底和器件...
    2025-11-30
  • 半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法
    半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511127676.1
    本公开提供了一种半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法，该方法包括：在半导体层的正面形成金属层；令所述金属层与硅反应形成金属硅化层；去除未反应的残余所述金属层，保留所述金属硅化层作为扩散源；以及采用微波退火或激光退火对所述金属硅化层进行加...
    2025-11-30
  • 制造具有高品质成核区域的III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法
    制造具有高品质成核区域的III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法_威弗洛得有限公司_202510673624.8
    根据本发明的实施方式提供了一种制造III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法，在该工程化生长衬底中形成有成核区域，该方法包括：籽晶衬底制备步骤(S100)，制备具有设定厚度的由单晶SiC制成的籽晶衬底；成核区域形成步骤(S200)，在籽晶...
    2025-11-30
  • 聚酰亚胺层的去除方法
    聚酰亚胺层的去除方法_无锡华润上华科技有限公司_202410641932.8
    本申请涉及一种聚酰亚胺层的去除方法，包括：刻蚀晶圆表面的聚酰亚胺层；对刻蚀后的晶圆进行第一清洗，去除刻蚀晶圆表面的聚酰亚胺层形成的副产物；对第一清洗后的晶圆进行第二清洗，继续去除副产物。本实施例的聚酰亚胺层的去除方法，在对聚酰亚胺层的去除过...
    2025-11-30
  • 降低能量发散的质量分析器
    降低能量发散的质量分析器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511098433.X
    本发明提供了降低能量发散的质量分析器，沿离子的飞行方向依次设置有：推斥电极，加速电极，分离电极，用于提供分离电场，分离电场沿第二方向设置；分离电场用于减小离子团中质荷比相同的离子之间的距离；分离电场还用于增加离子团中质荷比不同的离子之间的距...
    2025-11-30
  • 一种多功能离子阱芯片快速更换装置、方法及量子计算机
    一种多功能离子阱芯片快速更换装置、方法及量子计算机_合肥幺正量子科技有限公司_202511116421.5
    本发明提供了一种多功能离子阱芯片快速更换装置，所述系统包括：真空组件，包括能依次连通的第一真空腔、桥接机构以及第二真空腔；传送组件，包括送样机构以及设在其传送端的芯片载板架，所述送样机构与第一真空腔连接，且所述的传送端能依次穿过第一真空腔和...
    2025-11-30
  • 一种离子阱芯片快速更换系统、方法及量子计算机
    一种离子阱芯片快速更换系统、方法及量子计算机_合肥幺正量子科技有限公司_202511116331.6
    本发明提供了一种离子阱芯片快速更换系统，所述系统包括：真空组件，包括能依次连通的第一真空腔、桥接机构以及第二真空腔；传送组件，包括送样机构以及设在其传送端的芯片载板架，所述送样机构与第一真空腔连接，且所述的传送端能依次穿过第一真空腔和桥接机...
    2025-11-30
  • 一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统
    一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统_东华理工大学_202510945376.8
    本发明提供一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统，属于质谱分析领域。等离子体解吸电离源系统包括：低压电源，为电弧等离子体的产生提供低电压的能量；能量调节模块，用于调节低电压的能量输出时间和周期；升压模块，用于将低电压转换为高电压；...
    2025-11-30
  • 一种光电倍增管MnOx/MnNx梯度复合增透膜及其制备方法
    一种光电倍增管MnOx/MnNx梯度复合增透膜及其制备方法_南京三乐集团有限公司_202511053313.8
    本发明公开了一种光电倍增管的梯度复合增透膜及其制备方法，该梯度复合增透膜是由MnOx/MnNx构成，本发明通过“焦耳热‑辉光放电”耦合技术，利用辉光放电产生高密度等离子体，促进锰层与反应气体(O2/N2)的原子级混合，实现MnOx/MnNx...
    2025-11-30
  • 一种快速响应端窗反射式光电倍增管
    一种快速响应端窗反射式光电倍增管_南京三乐集团有限公司_202511123371.3
    本发明公开了一种快速响应端窗反射式光电倍增管，属于光电倍增管测试领域，包含包含微曲球面入射窗、聚焦圆盘、平面反射式阴极、栅网、固定片、加速杆、倍增极DY1‑DYn和阳极；本发明优化了光电阴极的有效工作面积，根据电场分布放置加速杆，改变倍增极...
    2025-11-30
  • 一种长形RF离子源及其使用方法
    一种长形RF离子源及其使用方法_肇庆市科润真空设备有限公司_202511153185.4
    本发明公开一种长形RF离子源及其使用方法，离子源包括栅网组件、放电室体、挡罩、磁铁和RF线圈，栅网组件设于放电室体顶部，放电室体外周设有RF线圈，栅网组件下方设有磁铁和挡罩，放电室体、磁铁和RF线圈分别位于挡罩内，放电室体底部设有工作气体进...
    2025-11-30
  • 射频馈入结构及等离子体设备
    射频馈入结构及等离子体设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511129825.8
    本申请公开了一种射频馈入结构及等离子体设备，涉及半导体技术领域，射频馈入结构具体包括：射频馈入件、馈入连接组件和弹性导电件；射频馈入件将射频发生组件所产生的射频传导至馈入连接组件，馈入连接组件的第一连接端与射频馈入件连接以接收射频，馈入连接...
    2025-11-30
  • 等离子刻蚀设备顶针结构
    等离子刻蚀设备顶针结构_浙江焜腾红外技术股份有限公司_202511036206.4
    本发明公开了等离子刻蚀设备顶针结构，包括有升降板和若干顶针，升降板上设有活干径向滑轨，径向滑轨上安装有滑块，顶针的下端分别固定连接相应滑块，滑块上靠近升降板的中心的一侧转动安装有滑轮，另一侧设有弹簧，升降板的中心转动连接有转板，转板的外侧具...
    2025-11-30
  • 用于向具有多等离子体状态的腔室传输射频功率的系统和方法
    用于向具有多等离子体状态的腔室传输射频功率的系统和方法_上海原子启智半导体设备有限公司_202510664156.8
    本发明涉及一种用于向具有多等离子体状态的腔室传输射频功率的系统和方法。该系统利用RF功率发生器中的直接频率生成来建立最佳操作频率。通过预先确定不同工艺步骤的谐振频率，该系统消除了传统PID控制回路的需求，从而实现了工艺步骤之间的快速转换，进...
    2025-11-30
  • 一种等离子体处理装置及防止等离子体泄露的方法
    一种等离子体处理装置及防止等离子体泄露的方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410644076.1
    本发明提供一种等离子体处理装置及防止等离子体泄露的方法，所述装置包括：反应腔，其内设有用于承载晶圆的基座，基座电性连接第一非恒压电源；约束环，其环绕设置在基座的外周，将反应腔内的空间分为等离子体处理区域和与外部抽真空装置连通的排气区域；约束...
    2025-11-30
  • 一种离子束加工设备和方法
    一种离子束加工设备和方法_中国兵器科学研究院宁波分院_202510998871.5
    一种离子束加工设备，包括团簇室和控制装置，所述控制装置与团簇室连接，其特征在于：还包括设置在所述团簇室与控制装置之间的抽取组件，所述抽取组件包括离子源和与离子源连接的电场单元，所述电场单元与高压引线连接，所述电场单元在高压引线的作用下能够形...
    2025-11-30
  • 一种电镜成像动态补偿系统、方法以及电子显微镜
    一种电镜成像动态补偿系统、方法以及电子显微镜_无锡亘芯悦科技有限公司_202511108949.8
    本申请涉及电子显微镜技术领域，特别是涉及一种电镜成像动态补偿系统、方法以及电子显微镜。所述系统包括：位移监测模块用于监测位置数据；信号解算模块与位移监测模块相连接，用于接收位置数据并将位置数据转换为位移量信号并输出；主控模块与信号解算模块相...
    2025-11-30
  • 电子束扫描聚焦成像系统及电子束控制方法
    电子束扫描聚焦成像系统及电子束控制方法_无锡亘芯悦科技有限公司_202511157806.6
    本申请涉及一种电子束扫描聚焦成像系统及电子束控制方法。该电子束扫描聚焦成像系统包括：电子束扫描聚焦成像装置和电子束偏转装置。电子束扫描聚焦成像装置用于响应第一探测指令或第二探测指令，聚焦偏转电子束至待测样品。电子束偏转装置用于响应第二探测指...
    2025-11-30
  • 基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备
    基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备_中国人民解放军国防科技大学_202511535651.5
    本发明公开了一种基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备，本发明的一体式中和离子源包括电离室、三栅离子光学组件、双极脉冲电源和直流电压源，所述三栅离子光学组件布置于电离室的离子束流出口处，所述三栅离子光学组件包括相互平行并间隙布置...
    2025-11-30
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