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最新专利技术
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511309445.2
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-01-19
  • 一种使用交替气体进行刻蚀的等离子体刻蚀方法
    一种使用交替气体进行刻蚀的等离子体刻蚀方法_北京理工大学_202511133026.8
    本发明涉及半导体制造工艺领域，本发明提出了一种在等离子体刻蚀设备上实现高陡直度纳米结构的交替气体刻蚀(AGE)方法，具体为利用交替气体在衬底表面进行循环刻蚀，第一步为向反应腔室通入反应性气体与惰性气体的混合气体，形成等离子体对目标进行物理与...
    2026-01-19
  • 等离子体处理装置及其调节组件、刻蚀、清洗、排气方法
    等离子体处理装置及其调节组件、刻蚀、清洗、排气方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410799229.X
    一种具有调节组件的等离子体处理装置及其刻蚀方法、清洗方法和排气方法，通过调节组件来改变约束环的流导和电势，以改变晶圆边缘区域处的等离子体密度，从而调节晶圆边缘的刻蚀速率，减小晶圆边缘区域和晶圆中心区域之间的刻蚀速率差异，最终提升整个晶圆的刻...
    2026-01-19
  • 等离子体调控装置及半导体工艺设备
    等离子体调控装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410796364.9
    本发明提供了一种等离子体调控装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备技术领域，为解决现有利用磁场对等离子体的分布进行调控的方式，难以获得较好的调控效果的问题而设计。该等离子体调控装置包括磁场发生结构，磁场发生结构的中部开设有射频馈入孔；磁场发生...
    2026-01-19
  • 喷淋头组件、沉积装置及其安装方法
    喷淋头组件、沉积装置及其安装方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410792290.1
    一种喷淋头组件、沉积装置及其安装方法，其中，喷淋头组件包括：顶板，其具有贯穿其厚度的顶板开口；背板，位于所述顶板的下方；连接筒，位于所述顶板与背板之间，其内部的容纳空间与所述顶板开口连通，所述连接筒与顶板之间通过第一紧固件固定连接；进气件，...
    2026-01-19
  • 一种气体喷淋头组件及半导体处理设备
    一种气体喷淋头组件及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410790698.5
    本发明提供了一种气体喷淋头及半导体处理设备，属于等离子体处理领域，为了解决等离子体处理过程中气体分布的调整问题，本发明的气体喷淋头包括：带孔的喷淋板，相对设置的背板，二者之间形成匀气腔，背板上方设置有进气件，通过进气件中的多个气体通道连通匀...
    2026-01-19
  • 半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法
    半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410788806.5
    本发明提供一种半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法，半导体工艺腔室包括腔室本体和与腔室本体连通的进气结构和排气结构，进气结构包括用于分别向腔室本体内输送工艺气体和增压气体的工艺进气组件和增压进气组件，排气结构用于控制腔室本体的排气量...
    2026-01-19
  • 下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法
    下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410783447.4
    本发明公开了下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法。下电极组件包含：基座；静电吸盘，静电吸盘设有若干通孔；及，供气组件，其包含主管道、第一支管及第二支管；主管道连通所述通孔；第一支管一端连通导热气体源，另一端连通主管道，向主管道提供导热气体；...
    2026-01-19
  • 一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆
    一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆_云南大学_202511236914.2
    本发明公开了一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆，属于透射电子显微镜低温技术领域。样品杆包括握把、杆体、液氮预冷罐和样品承载组件；液氮预冷罐内集成有换热通道；杆体内设有同轴换热器、分流室和膨胀室，握把内设有连接冷源和换热通道的管路，换热通道还...
    2026-01-19
  • 一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法
    一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511385039.4
    本申请公开了一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法，所述扫描电子显微镜系统包括：扫描电子显微镜主体、主动消磁系统以及位于样品腔体内的样品台；所述扫描电子显微镜主体与所述样品腔体的上盖固定连接，使得所述样品腔体内部形成密闭空间；在所述样品腔体的...
    2026-01-19
  • 一种扫描电子显微镜
    一种扫描电子显微镜_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511383765.2
    本申请公开了一种扫描电子显微镜，包括：扫描电子显微镜主体以及位于样品腔体内的样品台；所述扫描电子显微镜主体与所述样品腔体的上盖固定连接，使得所述样品腔体内部形成密闭空间；在所述样品腔体的上盖上设有闭环的凹槽；其中，所述凹槽位于所述样品腔体的...
    2026-01-19
  • 射线管、射线管组件和具有其的便携式射线源
    射线管、射线管组件和具有其的便携式射线源_常州华束科技有限公司_202511610005.0
    本发明提供一种射线管、射线管组件和具有其的便携式射线源，射线管包括：绝缘组件，限定有沿其轴向延伸的真空腔；阴极罩，固定在绝缘组件真空腔内的一端；阳极罩，固定在绝缘组件真空腔内的另一端；阴极组件，安装在阴极罩内以用于发射电子束；阳极组件，安装...
    2026-01-19
  • 管芯组件及X射线管
    管芯组件及X射线管_天津三英精密仪器股份有限公司_202511161182.5
    本发明涉及X射线管技术领域，公开了管芯组件及X射线管，管芯组件，包括：第一管体，内部具有第一工作腔；第二管体，内部具有第二工作腔，第二管体的一端与第一管体焊接，第一工作腔与第二工作腔连通，第二管体的另一端具有靶盘组件；阴极部，包括阴极座和灯...
    2026-01-19
  • 硅光电倍增管微单元矩阵上的胶体量子点
    硅光电倍增管微单元矩阵上的胶体量子点_半导体元件工业有限责任公司_202411355201.3
    本公开涉及硅光电倍增管微单元矩阵上的胶体量子点。本技术采用胶体量子点(CQD)，其中，CQD层被布置在用于成像模块的图像传感器的SiPM微单元阵列上。使CQD层以及使微单元阵列单独偏置。一种方法包括使成像模块的CQD层在第一电压下偏置，以及...
    2026-01-19
  • P波段高效速调管多级降压收集极
    P波段高效速调管多级降压收集极_中国科学院高能物理研究所_202511319270.3
    本发明公开一种P波段高效速调管多级降压收集极，包括电极结构、陶瓷绝缘结构和双层水套结构。所述电极结构采用多级电极串联布置，使用部分接地降压收集极(PGDC)结构，其中第一电极与管体同电位，第二、第三电极依次降压以实现电子能量分级回收；陶瓷绝...
    2026-01-19
  • 一种强脉冲光治疗仪用稀土闪光灯管的制备方法
    一种强脉冲光治疗仪用稀土闪光灯管的制备方法_广西扬戈尔生物科技有限公司_202511283397.4
    本发明涉及强脉冲光治疗仪技术领域，公开了一种强脉冲光治疗仪用稀土闪光灯管的制备方法，该方法将有机金属稀土前驱体加热形成蒸气，与氙气及牺牲性反应气体进行气相混合后充入灯管并密封；随后对密封灯管施加初始化脉冲程序。所述程序包含低温热解与纯化阶段...
    2026-01-19
  • 一种长寿命离子源阴极结构
    一种长寿命离子源阴极结构_中国原子能科学研究院_202511178693.8
    本发明属于加速器设备技术领域，具体涉及一种长寿命离子源阴极结构，包括两端开口的筒状外阴极(1)，所述外阴极(1)两端分别与阴极顶盖(6)和灯丝固定座(3)密封连接，围合成中空腔体，所述中空腔体为真空环境，内设内阴极(5)，所述内阴极(5)一...
    2026-01-19
  • 一种新型高分断贴片熔断器
    一种新型高分断贴片熔断器_苏州力特奥维斯保险丝有限公司_202511584552.6
    本发明涉及熔断器技术领域，尤其涉及一种新型高分断贴片熔断器，包括下壳体、熔体和上盖体，所述下壳体的内壁上开设有定位结构，所述熔体的两侧通过定位结构悬挂在下壳体中并将所述下壳体的内腔一分为二，所述上盖体通过定位结构安装在下壳体的上部内腔中并将...
    2026-01-19
  • 一种灭弧系统及断路器
    一种灭弧系统及断路器_上海良信电器股份有限公司_202511158488.5
    本发明涉及断路器技术领域，尤其涉及一种灭弧系统及断路器。该灭弧系统包括动触头、静触头以及灭弧室，灭弧室具有腔口朝向动、静触点的灭弧腔；灭弧腔的腔底面与动触头的最短距离为最小接弧距离D1，断路器在分闸状态下动、静触点之间的最短距离为触头开距D...
    2026-01-19
  • 一种多断点触头系统组合式断路器
    一种多断点触头系统组合式断路器_宁波奇乐电气集团有限公司_202511686844.0
    本发明公开了一种多断点触头系统组合式断路器，属于断路器技术领域。包括：断路器，其内具有断路器触头灭弧系统；触头模块，其内具有模块触头灭弧系统，每一极的模块触头灭弧系统由对称布置的两组单断点触头灭弧结构串联组成，以形成具备双断点的模块触头灭弧...
    2026-01-19
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