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最新专利技术
  • 一种半导体芯片及其安装方法
    一种半导体芯片及其安装方法_华南理工大学_202511716386.0
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种半导体芯片及其安装方法，半导体芯片包括基板、芯片功能层、绝缘层、塑封体和若干个第一贴装位点，其中基板的两个相对侧面上开设有若干个第一槽，第一贴装位点设置在芯片功能层的两端，塑封体包覆芯片功能层，第一贴装位...
    2026-01-20
  • 接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法
    接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511695815.0
    本发明提供一种接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法，先形成接触插塞的第一部分，接着去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，并在第三电介质层内形成接触插塞的第二部分，接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接构成接触插塞。本...
    2026-01-20
  • 一种脉冲功率模块的低电感叠层装配方法
    一种脉冲功率模块的低电感叠层装配方法_长沙湘电电气技术有限公司_202511327892.0
    本发明属于印刷电路及其组件的制造领域，公开一种脉冲功率模块的低电感叠层装配方法，包括：将功率半导体器件和去耦电容共面置入核心基板的腔体中；叠层绝缘层并利用基于等离子体光谱监测的闭环控制方法选择性开窗；最后通过金属沉积形成直接跨接元件顶部端子...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511293551.6
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底，所述基底上形成有金属层；形成图形化的硬掩膜层于所述金属层上；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属层，以形成贯穿所述金属层的沟槽；对所述沟槽侧壁的所述金属层...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511258233.6
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，采用第一工艺节点制作第一半导体晶圆，采用第二工艺节点制作第二半导体晶圆，并采用混合键合工艺实现第一半导体晶圆及第二半导体晶圆的键合及电连接，从而在实现半导体结构垂直电气互联的前提下，还可降低成本，实现高...
    2026-01-20
  • 介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件
    介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件_华南理工大学_202511234525.6
    本申请公开了一种介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该介质层制备方法包括：在晶圆的金属层上沉积氟硅玻璃以形成第一介质层；在第一介质层上沉积未掺杂硅玻璃以形成第二介质层；在第二介质层上沉积富硅氧化物以形成第...
    2026-01-20
  • 一种TSV通孔的双面电镀填充工艺
    一种TSV通孔的双面电镀填充工艺_北京理工大学_202511143695.3
    本发明涉及微电子制造技术领域，公开了一种TSV通孔的双面电镀填充工艺。所述TSV通孔的双面电镀填充工艺，包括以下步骤：S1、将含有TSV通孔的硅片正面朝上，电镀20‑35min；S2、将经步骤S1处理的硅片翻转至背面朝上，电镀20‑35mi...
    2026-01-20
  • 具有平缓通孔转角坡度的互连结构
    具有平缓通孔转角坡度的互连结构_恩智浦美国有限公司_202510810460.9
    本文描述了一种用于形成在通孔层间介电(ILD)层和互连层间介电层中形成的多层级互连结构的工艺，其中蚀刻终止层位于所述互连ILD层和所述通孔ILD层之间。在形成所述多层级互连结构之前，移除所述蚀刻终止层的紧邻所述蚀刻终止层中与所述通孔ILD层...
    2026-01-20
  • 半导体器件及该半导体器件的制造方法
    半导体器件及该半导体器件的制造方法_三星电子株式会社_202510719508.5
    本公开提供了半导体器件及该半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成包括金属层和布线覆盖层的堆叠的导电布线；形成围绕导电布线的上表面和侧表面的绝缘膜结构；在绝缘膜结构上形成包括第一开口的第一掩模图案以在垂直方向上与导电布线...
    2026-01-20
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置
    半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410783573.X
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置。所述方法包括：提供初始半导体结构；初始半导体结构包括依次形成的基底结构、图案传递层和掩膜层；掩膜层上形成有暴露出图案传递层部分表面的开口结构；按照预设方...
    2026-01-20
  • 嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备
    嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备_安徽大学_202511704709.4
    本申请涉及一种嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底；衬底上包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的西格玛沟槽；于西格玛沟槽内表面形成缓冲层后，形成覆盖缓冲层的锗烯过渡层；锗烯过渡层包括因初始缓冲层晶格失配及局部应力形成的凸出部；...
    2026-01-20
  • 浅沟槽隔离结构及其形成方法
    浅沟槽隔离结构及其形成方法_合肥皖芯集成电路有限公司_202511337167.1
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，先在浅沟槽内形成第三介质层，第一介质层和第二介质层的侧壁形成隔离层，继续形成第三介质层，然后在第三介质层的顶层部分掺入氮离子形成第四介质层，第四介质层的底表面与衬底的顶表面齐平且第四介质层的顶表面不...
    2026-01-20
  • 一种双层SOI衬底及其制备方法
    一种双层SOI衬底及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202410781417.X
    本发明提供一种双层SOI衬底及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片表面形成第一氧化层；提供第二硅片，将第一氧化层与第二硅片进行一次键合；对键合后的第二硅片表面进行一次减薄、抛光处理，形成第一器件层；提供第三硅片，在第二...
    2026-01-20
  • 一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具
    一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具_连云港太平洋润辉光电科技有限公司_202511608172.1
    本发明公开了一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具，涉及半导体加工领域，包括治具本体，治具本体包括架体和两个转杆，转杆上安装有呈阵列分布的支撑轮，支撑轮周侧具有三个直径依次递增的支撑部，同一个转杆上相邻的两个支撑轮角度不同，支撑同一个空...
    2026-01-20
  • 一种晶圆翻转装置
    一种晶圆翻转装置_华海清科(北京)科技有限公司_202511268737.6
    本发明公开了一种晶圆翻转装置，其包括：支撑组件，以支撑待翻转的晶圆；夹紧组件，其设置于所述支撑组件上方，以侧向夹紧待翻转的晶圆；翻转驱动组件，其连接于所述夹紧组件，以带动夹紧组件及其上的晶圆翻转；所述支撑组件包括多个支撑件，以处理多片待翻转...
    2026-01-20
  • 一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备
    一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185020.5
    本发明提供了一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备，属于半导体设备领域，晶圆移载装置包括设置于减震机架、纵梁机台、Y轴驱动模组、X轴驱动模组和晶圆载台模组，一体式的纵梁机台被实时或定期调平的设置在减震机架上；减震机架包括机架体、隔震器和电涡流传感...
    2026-01-20
  • 基板支承单元以及包括其的基板处理装置
    基板支承单元以及包括其的基板处理装置_细美事有限公司_202510484016.2
    本发明涉及一种基板支承单元以及包括其的基板处理装置，根据本发明的一实施例的基板支承单元，其特征在于，包括：垫盘，被安放基板；基底板，支承所述垫盘；以及制冷剂流路，形成于所述基底板的内部，在所述制冷剂流路的内部形成能够注入气体的管。
    2026-01-20
  • 一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘
    一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘_苏州大族芯科技有限公司_202511433647.8
    本发明公开了一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘，包括真空冷盘组件，所述真空冷盘组件包括真空冷盘主体，所述真空冷盘主体上表面从内到外依次开设有第一真空槽、第二真空槽和第三真空槽，所述真空冷盘主体分别开设有与第一真空槽、第二真空槽和第三真空槽连通的...
    2026-01-20
  • 一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质
    一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质_青岛贝斯兰半导体科技有限公司_202511253536.9
    本申请涉及零件检测领域，具体公开了一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质，其中方法包括：获取安装于晶圆吸附盘上预设安装位的待测Chuck pin的技术规格信息，所述技术规格信息包括所述待测Chuck pin的类型、工艺流程参数；...
    2026-01-20
  • 改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法
    改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511143738.8
    本发明公开了改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法，本发明涉及硅片生产技术领域，包括机械手臂和硅片；所述机械手臂上设置有气泵一，所述气泵一上连通有送气管，所述送气管与固定座连通，所述固定座与机械手臂连接，所述固定座的顶部均匀环向设...
    2026-01-20
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