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最新专利技术
  • 一种电气机柜安装装置
    一种电气机柜安装装置_华能新疆能源开发有限公司奥库水电分公司_202511636962.0
    本发明涉及电气机柜技术领域，且公开了一种电气机柜安装装置，包括：柜体，所述柜体的内部后端安装有伸缩折叠支架，所述伸缩折叠支架的前端安装有背板，所述背板上下两端的两侧均设置有侧块，所述侧块的外侧开设有限位孔；所述柜体的内部位于侧块外部的对应位...
    2026-03-24
  • 一种防浸水安全开关柜
    一种防浸水安全开关柜_江苏汇鑫电力科技有限公司_202512042902.2
    本发明属于开关柜技术领域，且公开了一种防浸水安全开关柜，包括开关柜，所述开关柜的一侧安装有联动加压组件，所述联动加压组件包括密封柜门，所述密封柜门内部靠近开关柜的一侧横向活动设置有挤压板，所述密封柜门内部远离开关柜的一侧上下滑动设置有升降板...
    2026-03-24
  • 一种用于户外环境的电能计量箱
    一种用于户外环境的电能计量箱_河南新发电力科技有限公司_202511942732.7
    本发明涉及电能计量箱技术领域，具体地说，涉及一种用于户外环境的电能计量箱。包括机箱和除湿装置，机箱的侧壁转动连接有主门和副门，除湿装置设置在机箱的内部，除湿装置包括插设在机箱内部的框架，框架的内部固定连接有多个圆筒，框架和圆筒的内部插设有加...
    2026-03-24
  • 基于用电曲线分析的配电柜智能配置方法及装置
    基于用电曲线分析的配电柜智能配置方法及装置_深圳市固安特建安工程有限公司_202511744942.5
    本申请涉及配电柜智能配置技术领域，尤其涉及一种基于用电曲线分析的配电柜智能配置方法及装置，其方法包括采集基础电力数据、环境数据以及设备状态数据，生成历史用电曲线及实时用电曲线；通过动态时间规整方法筛选出与实时用电曲线高度相关的多条历史用电曲...
    2026-03-24
  • 一种安防电能计量箱
    一种安防电能计量箱_江西博祥电力有限公司_202511923016.4
    本发明涉及电力设施领域，具体涉及一种安防电能计量箱，包括电表箱和电能表，所述电能表内置于电表箱中，所述电表箱内设置有若干条连接电能表的线缆，所述电表箱内固定有若干组对应线缆分布的导向架，且若干组导向架前侧均竖向滑动设置有穿入并夹持线缆的护罩...
    2026-03-24
  • 柔性电缆临时支承用的横担装置
    柔性电缆临时支承用的横担装置_国网浙江省电力有限公司湖州供电公司_202511607744.4
    本发明公开了柔性电缆临时支承用的横担装置，解决了现有技术中缺乏对于台区低压保电的柔性电缆起可靠支撑的横担装置的技术问题。本发明的柔性电缆临时支承用的横担装置，用于支承短期电连接户外箱式变电站和发电车的柔性电缆，包括横担机构以及固缆机构，所述...
    2026-03-24
  • 电控装置及集装箱储能系统
    电控装置及集装箱储能系统_瑞浦兰钧能源股份有限公司_202511958393.1
    本申请涉及高压电气设备技术领域，公开了电控装置及集装箱储能系统，包括：第一安装梁、第二安装梁、多组保护元件和导电板，第一安装梁与第二安装梁沿第一方向间隔设置；多组保护元件固定于第一安装梁上，每组保护元件分别包括相邻设置的熔断器和浪涌保护器，...
    2026-03-24
  • 一种生态负氧离子高效发生装置
    一种生态负氧离子高效发生装置_四川久清生境生态环境科技有限公司_202610164380.5
    本申请涉及空气净化设备技术领域，具体地，涉及一种生态负氧离子高效发生装置，包括壳体，壳体内部设置有超声波振子，超声波振子连接有多个放电端子，超声波振子连接有用于带动超声波振子发生振动的超声波发生结构，放电端子连接有用于控制放电端子放电的负离...
    2026-03-24
  • 氢内燃机及其火花塞
    氢内燃机及其火花塞_潍柴动力股份有限公司_202610068604.2
    本发明公开了一种氢内燃机及其火花塞，其中，氢内燃机的火花塞包括壳体，壳体内设有进水通道、出水通道和散热腔，进水通道和出水通道通过散热腔连通，散热腔位于火花塞的头部，进水通道和出水通道连接于发动机的冷却流道。使用时，冷却水通过进水通道流入壳体...
    2026-03-24
  • 半导体激光器集成结构和光模块
    半导体激光器集成结构和光模块_泉州市三安光通讯科技有限公司_202511917201.2
    本发明实施例提供一种半导体激光器集成结构和光模块，半导体激光器集成结构包括：第一电极；衬底；半导体层，设置在衬底上，半导体层包括边发射激光器区、波导结构和光电探测器区，波导结构包括第一波导区，光电探测器区位于边发射激光器区的出光面远离背光面...
    2026-03-24
  • 一种双波段半导体激光器件及其制备方法
    一种双波段半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511722973.0
    本发明涉及一种双波段半导体激光器件及其制备方法，属于半导体的技术领域。所述双波段半导体激光器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、第一下限制层、第一下波导层、第一量子阱、第一上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二下限制层、第二下波导层、第二量子...
    2026-03-24
  • 一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法
    一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法_山东华光光电子股份有限公司_202511745005.1
    本发明属于半导体激光器技术领域，具体公开提供的一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法，包括衬底、波导结构、有源层及电极结构，在波导结构上方设置脊波导，并在脊波导上形成沿预设方向延伸的吸收调控结构。所述吸收调控结构由通过刻蚀形成的局...
    2026-03-24
  • 一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法
    一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法_四川布鲁镭光科技有限公司_202511869436.9
    本发明提出了一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法，涉及激光器领域，包括由上而下依次设置的n面电极、n型衬底层、n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型接触层、p面电极；采用外延生长法，控制...
    2026-03-24
  • 一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源
    一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源_济南量子技术研究院_202511819559.1
    本申请涉及一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源，包括耦合的半导体激光器以及片上分束器、第一PPLN波导、第二PPLN波导和片上合束器形成的薄膜铌酸锂光子芯片，片上分束器输入耦合半导体激光器，片上分束器输出分束对准第一PPLN波导和第二PPLN...
    2026-03-24
  • 一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片
    一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片_山东华光光电子股份有限公司_202511752132.4
    本申请提供的一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片涉及半导体激光器技术领域。一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片包括芯片本体，芯片本体的上侧通过一次刻蚀形成第一脊条式波导和第二脊条式波导。第一脊条式波导和第二脊条式波导沿出光方向均依次...
    2026-03-24
  • 一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺
    一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺_江苏长光时空光电技术有限公司_202511751111.0
    本发明提供一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺，属于半导体激光器技术领域，包括自下而上的底部电极层、衬底层、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、绝缘层、接触层和顶部电极层；所述下覆盖层、下波导层、有源层、上波...
    2026-03-24
  • 一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法
    一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511721546.0
    本发明提供了一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法。该激光器外延片包括：衬底、缓冲层、N限制层、N无源波导层、N反波导层、N有源波导层、Alx5Ga1‑x5As势垒层、量子阱层、Alx8Ga1‑x8A...
    2026-03-24
  • P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法
    P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法_全磊光电股份有限公司_202610149637.X
    本发明属于半导体光电器件制造技术领域，具体涉及P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法。本发明提供的P型布拉格反射层采用金属有机化合物化学气相沉积‑原位反射监测的方法生长，包括层叠设置的多层单元结构，每1层单元结构...
    2026-03-24
  • 一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法_鲁东大学_202511937455.0
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法，涉及半导体光电子器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括衬底、第一分布式布拉格反射镜、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层、组分渐变的n型半导体电流限制层、绝缘电流限制层、电流扩展层、第二...
    2026-03-24
  • 一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法_鲁东大学_202511937446.1
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法，涉及半导体光电子器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括衬底、第一分布式布拉格反射镜、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层、n型半导体限制层、绝缘电流限制层、电流扩展层，第二分布式布拉格反...
    2026-03-24
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