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最新专利技术
  • 一种正极极片、电极组件、电池及用电设备
    一种正极极片、电极组件、电池及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311633025.0
    本申请公开了正极极片、电极组件、电池及用电设备，该正极极片包括正极活性层；正极活性层包括依次排布的第一正极活性部、中间正极活性部和第二正极活性部；其中，正极极片在首次之后的充放电循环过程中，中间正极活性部的面容量小于第一正极活性部的面容量和...
    2025-07-20
  • 钠离子电池负极片及其制备方法以及钠离子电池
    钠离子电池负极片及其制备方法以及钠离子电池_江苏海四达电源有限公司_202311620176.2
    本发明涉及钠离子电池技术领域，公开了一种钠离子电池负极片及其制备方法以及钠离子电池。以所述钠离子电池负极片的总重量为基准，所述负极片中硬炭的含量为97‑99重量％，所述固态电解质膜的含量为1‑3重量％。本发明还公开了钠离子电池负极片的制备方...
    2025-07-20
  • 一种PEDOT:PSS@Zn一体化无枝晶负极的制备方法
    一种PEDOT:PSS@Zn一体化无枝晶负极的制备方法_新疆大学_202311633775.8
    本发明设计一种导电聚合物保护层——聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)改性锌负极表面的制作方法，选用良好成膜性和亲锌特性的PEDOT:PSS通过简单涂覆于锌负极表面(PEDOT:PSS@Zn)，构建了一体化P...
    2025-07-20
  • 射频前端模组
    射频前端模组_锐磐微电子科技(上海)有限公司_202311614088.1
    本申请公开了一种射频前端模组包括基板和设置在所述基板上的第一芯片，所述第一芯片包括耦合器；所述耦合器包括补偿部分，所述基板上设置有第一金属区域，所述第一金属区域与所述补偿部分在纵向方向上至少部分交叠，形成第一补偿电容，通过利用基板上的第一金...
    2025-07-20
  • 半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法
    半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法_无锡华润安盛科技有限公司_202311638257.5
    本申请提供一种半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法。半导体结构包括电气连接件、芯片、键合线及塑封层。电气连接件包括承载部及引脚。第一承载部的第一承载面的高度小于第二承载部的第二承载面的高度。第一芯片贴装在第一承载面且背面朝向第一承载...
    2025-07-20
  • 引线框及半导体结构
    引线框及半导体结构_华润润安科技(重庆)有限公司_202311620438.5
    本申请提供一种引线框及半导体结构。所述引线框包括框架体及位于所述框架体内的至少一个连接单元。连接单元包括基岛及位于基岛侧部的多个第一引脚。第一引脚与基岛间隔设置。第一引脚包括顺次相连的键合部、第一连接部及第一端子部。第一连接部位于键合部远离...
    2025-07-20
  • 半导体结构及半导体结构的制造方法
    半导体结构及半导体结构的制造方法_华润润安科技(重庆)有限公司_202311619335.7
    本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括第一引线框、芯片、第二引线框及塑封层。第一引线框包括第一导电部及与第一导电部相连的至少一个第一引脚。芯片贴装在第一导电部上，包括相对的第一表面和第二表面，第一表面设有第一电极，第...
    2025-07-20
  • 封装器件及电子设备
    封装器件及电子设备_超聚变数字技术有限公司_202311621755.9
    本申请实施例提供一种封装器件及电子设备，涉及封装器件技术领域。该封装器件的封装盖包括与该封装器件的封装基板间隔设置的顶板部，顶板部上设置有与该封装器件的发热元件对应的凸台结构。凸台结构包括背离封装基板的第一端面，第一端面用于与散热器压合设置...
    2025-07-20
  • 用于半导体结构的基板及半导体结构
    用于半导体结构的基板及半导体结构_华润润安科技(重庆)有限公司_202311619337.6
    本申请提供一种用于半导体结构的基板及半导体结构。基板包括基板本体及多个散热部。多个散热部位于基板本体一侧且与基板本体相连，多个散热部间隔排布且与基板本体相连；由散热部与本体相连的端部至远离基板本体的端部的方向上，散热部的外围尺寸逐渐减小。半...
    2025-07-20
  • 一种改善晶圆翘曲度的方法及半导体结构
    一种改善晶圆翘曲度的方法及半导体结构_北京智慧能源研究院_202311607393.8
    本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法及半导体结构，改善晶圆翘曲度的方法包括获取存在翘曲变形的晶圆；确定晶圆的第一划片方向和第二划片方向；基于第一划片方向和第二划片方向在晶圆中划分多个元胞区；在第一划片方向和第二划片方向上分别设置多个不同宽度...
    2025-07-20
  • 基板夹持装置
    基板夹持装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311616924.X
    本发明提供一种基板夹持装置，包括：基座和多个夹持件，夹持件安装于基座上对应的安装孔中，且被配置为相对于基座自旋转以夹持或者松开基板；其中，夹持件与安装孔之间设置有轴承结构。通过在夹持件与基座上的安装孔之间设置轴承结构，减少在夹持件相对于基座...
    2025-07-20
  • 具旋转与限位功能的基板夹持机构及其基板搬送装置
    具旋转与限位功能的基板夹持机构及其基板搬送装置_三和技研股份有限公司_202311608884.4
    本发明为一种具旋转与限位功能的基板夹持机构，其应用于一基板搬送装置之中，且包括：一壳体、一可旋转支撑模块、一直线驱动模块、一连接模块、包括一第一夹持单元与一第二夹持单元的一夹持模块、一旋转驱动模块、以及一传动模块，其中，该第一夹持单元连接该...
    2025-07-20
  • 一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法
    一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法_苏州芯睿科技有限公司_202311608738.1
    本申请提供了一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法，所述晶圆对准系统包括热盘；限位机构，穿设于所述热盘上，其中所述限位机构包括至少两个并共同形成限位区域以对晶圆进行支撑和限位的支撑组件，所述支撑组件沿垂直于所述热盘的方向作升降的限...
    2025-07-20
  • 清洗装置及湿法设备
    清洗装置及湿法设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311618829.3
    本发明公开了一种清洗装置及湿法设备，清洗装置包括摆臂、喷嘴、流体输送装置和加热装置，摆臂具有容纳腔；喷嘴设置在摆臂的第一端，用于输出流体；流体输送装置设置在容纳腔的内部，流体输送装置包括流道，用于第一流体通过，流道与喷嘴连通，以向喷嘴输送第...
    2025-07-20
  • 半导体清洗工艺设备及半导体清洗工艺检测方法
    半导体清洗工艺设备及半导体清洗工艺检测方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311612210.1
    本发明提供一种半导体清洗工艺设备及半导体清洗工艺检测方法，半导体清洗工艺设备包括清洗部件和检测部件，清洗部件用于输送清洗晶圆的清洗液体，清洗部件具有排液部，清洗部件通过排液部向晶圆排出清洗液体，检测部件与排液部对应设置，用于检测排液部内的清...
    2025-07-20
  • 探测器模块及其制备方法、光子计数探测器和设备
    探测器模块及其制备方法、光子计数探测器和设备_上海联影医疗科技股份有限公司_202311620662.4
    本公开提供了一种探测器模块及其制备方法、光子计数探测器和设备，探测器模块的制备方法包括在第一基板的焊盘上设置第一导电银胶，固化所述第一导电银胶形成银胶突触，在所述银胶突触上设置第二导电银胶，基于所述第二导电银胶连接晶体单元、读出电路和所述第...
    2025-07-20
  • 应用于天线封装的中空天线基板及其制造方法
    应用于天线封装的中空天线基板及其制造方法_恒劲科技股份有限公司_202311620949.7
    本发明公开一种中空天线基板及其制造方法。中空天线基板至少包括三层基板结构。第一层基板具有一第一图案化金属层及一第一介电层，其中第一图案化金属层嵌设于第一介电层，且第一图案化金属层的一第一上表面及一第一下表面暴露于第一介电层。第二层基板叠设于...
    2025-07-20
  • 一种去除晶圆氧化膜表面电荷的预清洗方法
    一种去除晶圆氧化膜表面电荷的预清洗方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202311609360.7
    本发明公开了一种去除晶圆氧化膜表面电荷的预清洗方法，其包括：光照条件下，在清洗槽内用去离子水清洗晶圆后，再进行机台预清洗处理。本发明在RCAA机台预清洗之前增加一次酸槽开灯状态下的去离子水清洗，这一步骤的增加会显著影响表面电荷的去除效果，也...
    2025-07-20
  • 一种用于离子迁移谱的放电电离源及应用
    一种用于离子迁移谱的放电电离源及应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311609125.X
    本发明公开一种用于离子迁移谱的放电电离源，其采用低温等离子体放电的原理设计。放电电离源的射频电极为一根置于单端开口石英玻璃管内腔的棒状金属电极，放电电离源的直流电极采用阵列式、等间距方式置于放电玻璃管管体外壁面上，各直流电极电势可独立调节，...
    2025-07-20
  • 一种复合离子源离子迁移管
    一种复合离子源离子迁移管_中国科学院大连化学物理研究所_202311609121.1
    本发明公开一种复合离子源离子迁移管。离子迁移管同时设置光电离源和低气压平面自持放电离子源，且内腔室的工作气压降低至～0.3bar。一方面，降低离子迁移管内腔室的工作气压，可有效抑制水汽光吸收、化学竞争电离等因素对目标样品单光子电离过程的影响...
    2025-07-20
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