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最新专利技术
  • 一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法
    一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510950529.8
    本发明公开了一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法， 属于晶体生长技术领域。该方法包括：将掺杂剂按预设形状压制成型后置于多晶料中的预留掺杂空间内；沿坩埚中心轴方向对多晶料和掺杂剂进行逐层熔化；将籽晶与熔体熔接并进行提拉法生长；掺杂剂的预设形状满足...
    2026-01-15
  • 一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构
    一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511042938.4
    本发明公开了一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构， 涉及半导体材料制备技术领域， 包括托杆、调节杆、齿轮箱、托盘。齿轮箱外端开设有凹槽， 凹槽内转动连接有主调节齿轮， 主调节齿轮上啮合连接有多个分调节齿轮， 分调节齿轮远离主调节齿轮一端贯...
    2026-01-15
  • 一种锗单晶位错水平控制方法
    一种锗单晶位错水平控制方法_有研国晶辉新材料有限公司_202510943833.X
    本发明提供了一种锗单晶位错水平控制方法， 属于锗单晶位错控制技术领域， 包括制备多个无位错的锗单晶；将多个锗单晶上下分层放置于模具内， 且锗单晶与模具内壁之间具有安装间距；将模具放置于炉体内， 且模具位于炉体中的加热器中心位置；对炉体进行抽...
    2026-01-15
  • 一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置
    一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置_保定景欣智能科技有限公司_202511160381.4
    本申请公开一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置， 涉及半导体和光伏晶棒制造领域， 所述方法包括：获取第一、第二参数组；在预调温工步， 基于第一参数组中的设备运行参数， 将光伏拉晶设备控制为与预调温工步适配的状态；并基于第一参数组中的...
    2026-01-15
  • 适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法
    适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511157651.6
    本发明公开了一种适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法。该生长方法包括：在第一生长容器内置入籽晶以及液相生长原料、在第二生长容器内置入籽晶， 将第一温区的温度保持在第一温度T1， 第二温区的温度保持在第二温度T2， 第三温区的温...
    2026-01-15
  • 用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法
    用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法_硅晶体有限公司_202510290411.7
    本发明提供了用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法， 该多层籽晶被设计成提供几乎无应力的表面， 单晶可以在该表面上生长， 而没有单晶籽晶所承载的内应力的负面影响， 特...
    2026-01-15
  • 分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法
    分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法_硅晶体有限公司_202510290654.0
    本公开涉及分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法。用于在坩埚(1200)中沿生长方向(Y)通过气相生长生长大体积单晶的分层籽晶包括：单晶生长层(110)， 其具有用于生长大体积单晶的生长表面(112)和相对的用于将单晶生...
    2026-01-15
  • 一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体
    一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511211738.7
    本发明公开一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体， 该生长方法包括：提供一坩埚组件；其中， 坩埚组件包括坩埚以及设置于坩埚内的AlN原料、掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件， AlN原料放置于坩埚底部， 掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件依次位于...
    2026-01-15
  • 获得高质量立方碳化硅的方法和系统
    获得高质量立方碳化硅的方法和系统_LPE公司_202510414945.6
    公开了一种方法(200)。该方法(200)包括：提供(205)碳质衬底(S)；使用前体气体混合物在碳质衬底上执行(210)化学气相沉积过程， 前体气体混合物包括：包含三氯硅烷的硅前体气体， 以及选自碳‑碳双键烃和碳‑碳三键烃的碳前体气体；通...
    2026-01-15
  • 晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备
    晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备_一塔半导体(安徽)有限公司_202510926116.6
    本发明公开了一种晶片托环、晶片承载装置、MOCVD外延设备， 所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部， 所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸， 所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸， 所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装...
    2026-01-15
  • 分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法
    分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法_硅晶体有限公司_202510275263.1
    本公开涉及分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法。用于在反应器中沿生长方向(Y)生长外延层的分层衬底包括：单晶生长层(110)， 其具有用于生长外延层的生长表面(112)和相对的用于将单晶生长层(110)结合到散热衬底(14...
    2026-01-15
  • 一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法
    一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法_西南交通大学_202510995595.7
    本发明提供一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法， 涉及GaN薄膜制备领域， 包括以下步骤：S1、将Si衬底置于有机化学气相沉积设备的反应室并抽真空处理， 通过处理气体对Si衬底表面进行预处理；S2：在预处理后的Si衬底上， ...
    2026-01-15
  • 一种金刚石薄膜及其制备方法和应用
    一种金刚石薄膜及其制备方法和应用_北京科技大学_202511286009.8
    一种金刚石薄膜及其制备方法和应用， 所述制备方法包括：采用与金刚石薄膜材料的晶格常数匹配的衬底材料作为衬底， 并对衬底进行表面处理；通入包括80%‑95%氢气、3%‑8%甲烷及2%‑12%辅助气体的混合反应气体， 其中辅助气体包括氩气、氯气...
    2026-01-15
  • 一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统
    一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统_深圳市库比克科技有限公司_202511271105.5
    本发明涉及金刚石薄膜制备技术领域， 一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统， 包括：对种晶硅衬底进行基底表面沉积操作得到金刚石膜；在基底表面沉积操作的过程中， 当金刚石膜厚度小于期望厚度值时， 根据沉降次数变量及预设的分段沉积值， 获取...
    2026-01-15
  • 一种区熔炉单晶棒保温装置
    一种区熔炉单晶棒保温装置_连科半导体有限公司_202510832414.9
    本发明涉及单晶领域， 具体是一种区熔炉单晶棒保温装置， 包括设置在炉体内的高频主加热线圈， 高频主加热线圈下方设有保温单元， 所述保温单元包括保温筒， 保温筒上设置多层加热组件；多层加热组件沿保温筒轴线上下均匀设置， 且每层加热组件包括多个...
    2026-01-15
  • 一种刻蚀用多晶硅的制备方法
    一种刻蚀用多晶硅的制备方法_扬州晶格半导体有限公司_202511193863.X
    本发明公开了刻蚀用多晶硅领域内的一种刻蚀用多晶硅的制备方法。该方法包括以下步骤：S1：先喷涂低浓度氮化硅浆料， 再刷涂高浓度氮化硅浆料， 从而制备坩埚的复合氮化硅涂层；S2：将多晶硅硅料放入坩埚中， 将坩埚置于铸造炉中；S3：关闭铸造炉， ...
    2026-01-15
  • 流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体
    流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体_通威微电子有限公司_202511068977.1
    本发明的实施例提供了一种流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体， 涉及碳化硅晶体生长技术领域， 以改善现有技术中由于气相流量无法精确控制从而影响晶体质量的技术问题。其包括坩埚以及设置在坩埚内的气相流量调节组件；坩埚包括坩埚本体以及坩埚盖...
    2026-01-15
  • 一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途
    一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途_江西师范大学_202510922609.2
    本发明公开了一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途， 属于功能晶体材料领域中的人工晶体材料技术领域。该晶体化学式为(4‑SP)4Pb3Br10·2H2O， 属于正交晶系， 空间群为Aea2， 晶胞参数为：α＝90°， ...
    2026-01-15
  • 一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法
    一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法_中船重工龙江广瀚燃气轮机有限公司_202510978283.5
    本发明提供一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法， 包括：S1， 获取经过预处理的单晶叶片；S2， 将单晶叶片置于化学气相沉积装置中， 通过两步法进行钴铝涂层沉积， 首先进行渗钴处理， 随后进行渗铝处理， 得到内腔带有钴铝涂层的单晶叶片...
    2026-01-15
  • 金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法
    金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510950527.9
    本发明涉及半导体元件制备技术领域， 具体而言， 涉及金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法。该掺杂方法包括：向晶圆1注入掺杂金属离子产生注入损伤形成晶圆1注入体， 晶圆1注入体依次包括薄膜层、损伤层和余质层；其中， 晶圆1为未...
    2026-01-15
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