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最新专利技术
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779483.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法， 在半导体衬底上形成光电二极管区域和栅结构；在栅结构侧壁形成侧墙结构；在半导体衬底中形成源极/漏极区；在半导体衬底上沉积含预定掺杂元素的掺杂介质层；以及对半导体衬底进行热处理， 以使掺杂介质层中的预定掺杂...
    2025-11-21
  • 改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法
    改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780306.1
    本申请公开了一种改善互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器性能的方法。该方法包括：在CMOS图像传感器的像素区域进行高能离子注入以形成阱区后；部分去除所述像素区域上存在的至少一层第一氧化层；以及在部分去除所述至少一层第一氧化层之后， 在...
    2025-11-21
  • 背照式图像传感器的制备方法
    背照式图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510781895.5
    本申请提供一种背照式图像传感器的制备方法， 将网格型隔离沟槽结构分成两步刻蚀， 并且在刻蚀形成沿Y方向设置的第一深沟槽之后， 利用流动性较强的旋涂碳层填充第一深沟槽， 然后再刻蚀形成沿X方向设置的第二深沟槽。本申请通过两步刻蚀且利用流动性较...
    2025-11-21
  • 改善铝金属残留的方法
    改善铝金属残留的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810036.4
    本发明公开了一种改善铝金属残留的方法， 包含：步骤一， 晶圆上包含底层金属层及位于底层金属层之上将其覆盖的金属铝；在进行光刻胶的曝光显影及刻蚀后打开金属铝的刻蚀窗口， 随后进行铝刻蚀， 将刻蚀窗口内的金属铝全部刻蚀；金属铝刻蚀结束后去除剩余...
    2025-11-21
  • 改善CIS硅损伤的方法
    改善CIS硅损伤的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810049.1
    本申请提供一种改善CIS硅损伤的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成衬垫层， 在衬底的外围区域形成多个对准标记， 定义包括像素晶体管区在内的各功能区的位置；步骤二， 形成光阻层后， 对位于像素晶体管区的光阻层进行曝光、显影处理...
    2025-11-21
  • 图像传感器的制备方法
    图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815955.0
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法， 包括：提供一衬底， 衬底表面依次形成有衬垫氧化层、刻蚀停止层、阻挡层和掩膜层；刻蚀掩膜层形成开口；通过开口刻蚀阻挡层形成第一凹槽；形成保护层覆盖掩膜层及第一凹槽的侧壁及底壁；刻蚀去除水平方向上的保护层...
    2025-11-21
  • 图像传感器制造方法
    图像传感器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815959.9
    本发明公开了一种图像传感器制造方法， 采用两次外延层形成工艺形成第一P型外延层及第二P型外延层， 可以分别在第一P型外延层及第二P型外延层先后进行两次N阱离子注入；双层P型外延层结构实现了两次N阱和P阱的离子注入， 可以采用低能量离子注入，...
    2025-11-21
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511263404.4
    本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 包括：提提供像素阵列；基于灰阶掩膜版形成覆盖像素阵列的第一光阻层；灰阶掩膜版包括中心区， 以及环绕中心区且沿中心区的径向分布的多个外围区；中心区及多个外围区的透光率不同；于第一光阻层顶面形成...
    2025-11-21
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511264454.4
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供衬底， 在衬底上依次形成牺牲层和外延层；形成外延层和牺牲层的支撑柱， 并且支撑柱还延第一方向延伸设置， 第一方向垂直于衬底的厚度方向；刻蚀外延层， 以形成露出部分牺牲层的至少一个释放沟槽；以...
    2025-11-21
  • 成像装置
    成像装置_采钰科技股份有限公司_202411021235.9
    一种成像装置， 包括具有隔离区域的基板及像素阵列。像素阵列包括多个感测像素及多个相位检测自动对焦像素， 其中相位检测自动对焦像素中的每一者包括四个光电转换元件、彩色滤光片层及偏转元件。四个光电转换元件在基板内且通过隔离区域分隔开来。彩色滤光...
    2025-11-21
  • 像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片
    像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片_武汉高芯科技有限公司_202510894468.8
    本发明涉及一种像元桥面， 包括层叠设置的第一导电层以及敏感层， 第一导电层包括与敏感层电连接的两个电极， 每个电极包括并联的若干电阻， 敏感层采用VxOy材料。还提供一种像元结构， 包括桥腿、像元桥面以及用于支撑桥腿的第二支撑腿， 像元桥面...
    2025-11-21
  • 一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件
    一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件_奕瑞光芯(上海)科技有限公司_202510913091.6
    本发明属于辐射探测技术领域， 具体涉及一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件。本发明提针对现有工艺中电极机械稳定性差、厚度不均及与光刻工艺兼容性差的问题， 通过对碲镉化物晶片进行切割磨抛、Br‑MeOH 腐蚀、负胶光刻图...
    2025-11-21
  • 一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置
    一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置_浙江大学_202510927908.5
    本发明公开了一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置。包括空间相机外壳和DSP芯片， DSP芯片固定安装于空间相机外壳内部， 还包括接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体， 所述接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体均安装在所述空间相机外壳内部，...
    2025-11-21
  • 曲面图像传感器芯片的制造方法
    曲面图像传感器芯片的制造方法_格科微电子(上海)有限公司_202410390452.9
    本发明提供一种曲面图像传感器的制造方法， 通过连接于感光单元阵列之间的金属线经预压处理形成有弯折部， 当多个感光单元阵列形成曲面时， 避免了由于不同视场的感光单元阵列的间距不一致造成的金属线断裂， 可以统一应用于凹面芯片及凸面芯片的制作过程...
    2025-11-21
  • 互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法
    互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410460906.5
    本发明提出了一种具有沟槽电容的互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法， 其中CMOS影像传感器具有一转移栅位于基底正面上、一光电二极管位于该转移栅一侧的该基底中、一浮动扩散区位于该转移栅另一侧靠近该正面的该基底中、一沟槽电容位于由该背...
    2025-11-21
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411068869.X
    一种影像感测器， 包含光电转换层、设置在光电转换层上的彩色滤光层、设置在彩色滤光层上的缓冲层、超颖层， 以及覆盖于超颖层上的抗反射层。超颖层包含设置在缓冲层上的衬里层以及在衬里层上的多个顶部微结构， 顶部微结构自衬里层沿远离光电转换层的方向...
    2025-11-21
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510853425.5
    一种图像传感器包括：基板， 具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的第一有源像素；在基板中的第二有源像素；像素沟槽， 设置在第一有源像素和第二有源像素之间像素隔离膜， 在像素沟槽中， 其中像素隔离膜包括：第一层；第二层， 在第一层...
    2025-11-21
  • 一种红外成像仪
    一种红外成像仪_中芯热成科技(北京)有限责任公司_202511294432.2
    本公开涉及一种红外成像仪， 涉及红外探测技术领域， 该红外成像仪通过设置隔离电阻来减小串扰的影响；红外成像仪包括：衬底基板和多个探测单元， 多个探测单元阵列排布在所述衬底基板的一侧；单个探测单元包括薄膜晶体管、二极管探测器和隔离电阻；薄膜晶...
    2025-11-21
  • 太阳能光电转换系统及形成方法
    太阳能光电转换系统及形成方法_新光科技新加坡有限公司_202510471052.5
    本发明提供了一种太阳能光电转换系统及形成方法， 包括：提供太阳能硅片和若干功能芯片， 太阳能硅片包括相对的正面和背面， 各若干功能芯片均包括相对的正面和背面；将各功能芯片通过塑封层固定， 相邻功能芯片之间具有一定的距离；在各功能芯片的正面和...
    2025-11-21
  • 电池片及其制备方法
    电池片及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202510703656.8
    本申请公开了一种电池片及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域；电池片的制备方法的步骤包括：对电池片进行栅线制备， 并采用LECO进行激光辅助烧结， 在惰性气体环境下， 采用紫外光对电池片进行照射。本申请通过紫外光照射与LECO工艺协同， 有效...
    2025-11-21
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