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最新专利技术
  • 全包围栅极晶体管的形成方法
    全包围栅极晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488879.2
    一种全包围栅极晶体管的形成方法， 方法包括：提供基底， 所述基底包括第一区和第二区， 所述第一区和第二区的基底顶部凸立有叠层结构， 所述第一区和第二区的相邻所述叠层结构之间形成有第一开口， 所述第一区和第二区交界处的相邻所述叠层结构之间形成...
    2025-11-22
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488942.2
    一种半导体结构的形成方法， 方法包括：提供基底；在基底上形成间隔堆叠设置的沟道层、位于相邻沟道层之间以及最底部的沟道层和基底之间的第一牺牲层、以及位于第一牺牲层和沟道层之间的第二牺牲层；在基底上形成横跨沟道层、第一牺牲层和第二牺牲层的栅极结...
    2025-11-22
  • 具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法
    具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510035206.6
    本公开涉及具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种用于形成包括重结晶源极/漏极区域的半导体器件的方法。重结晶源极/漏极可以在外延工艺之后通过高温处理来形成。
    2025-11-22
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510656701.9
    本公开提供一种半导体装置的形成方法， 包括：在一半导体基底的顶表面上形成一半导体鳍部， 其中前述半导体鳍部包括交替配置的第一半导体层和第二半导体层；形成穿过前述半导体鳍部并进入前述半导体基底的一凹槽；在前述凹槽中形成一底部隔离层， 包括沉积...
    2025-11-22
  • 晶体管结构
    晶体管结构_钰创科技股份有限公司_202510686608.2
    本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区、一第一导电区以及一第一隔离区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构具有一长度。所述第一导电区电耦接所述通道区。所述第一隔离区位于所述第一导电区旁边。所...
    2025-11-22
  • 一种内侧墙的形成方法
    一种内侧墙的形成方法_中国科学院微电子研究所_202510747532.X
    本发明提供一种内侧墙的形成方法， 包括：在所述衬底上形成包含牺牲层和沟道层交替堆叠的叠层结构；在所述叠层结构内， 形成鳍式有源区和浅槽隔离结构；在所述鳍式有源区内， 形成伪栅结构， 并在所述伪栅结构的两侧形成牺牲侧墙， 并在所述鳍式有源区内...
    2025-11-22
  • 制造半导体结构的方法、以及半导体结构
    制造半导体结构的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510903882.0
    形成第一半导体层和第二半导体层的堆叠件。第一半导体层各自具有第一材料组成。第二半导体层各自具有不同于第一材料组成的第二材料组成。堆叠件中的第一半导体层和第二半导体层交错。用多个介电层替换第二半导体层。在第一半导体层的相对侧上形成源极/漏极部...
    2025-11-22
  • MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件
    MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件_浙江大学杭州国际科创中心_202510963556.9
    本发明涉及一种MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件。在所述MOS器件源漏的注入方法中， 增加了第二侧墙的工艺， 并以栅极、第一侧墙和第二侧墙为掩膜进行源漏的注入， 最后再去除第二侧墙的源漏掩膜层。该方法制作的MOS器件...
    2025-11-22
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202510999614.3
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件， 所述方法包括：在半导体层上形成绝缘层， 并且在半导体层中形成第一沟槽和第二沟槽， 第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；在第一沟槽的底部、侧壁， 第二沟槽的底部、侧壁以及绝缘层远离半导体层的表...
    2025-11-22
  • 功率电晶体及其制造方法
    功率电晶体及其制造方法_先进半导体私人有限公司_202511012267.7
    本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法， 包含下列步骤：提供一半导体基板， 其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层， 且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层；以及在...
    2025-11-22
  • 功率电晶体及其制造方法
    功率电晶体及其制造方法_先进半导体私人有限公司_202511012268.1
    本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法， 包含下列步骤：提供一半导体基板， 其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层， 且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层；以及在...
    2025-11-22
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_上海新微半导体有限公司_202511049277.8
    本发明提供一种HEMT器件及其制造方法， 采用IMP溅镀法形成欧姆金属种子层， 通过高密度的等离子体的轰击作用， 一方面可去除N型掺杂区表面的氧化物和杂质等， 降低欧姆金属与N型掺杂区之间的接触电阻；另一方面， 等离子体的轰击作用还可使得形...
    2025-11-22
  • 一种SiC Trench MOSFET器件
    一种SiC Trench MOSFET器件_杭州芯逐半导体有限公司_202511351303.2
    本发明涉及一种SiC Trench MOSFET器件， 所述SiC Trench MOSFET器件将现有技术中栅槽向过渡区延伸的方案调整为栅槽与过渡槽分立的结构， 且所述栅槽和源槽均位于有源区内， 便将所述栅槽置于所述源槽的保护范围内。而且...
    2025-11-22
  • 一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法_安建科技有限公司_202410498223.9
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法， 本发明涉及于半导体器件， 为提高器件的可靠性， 本发明通过在漏极金属层和源极金属层之间设置可形成有水平方向的电流通路的高电阻材料层， 该电流通路位于势垒层上方且在水平方向形成线性电势差且电耦合到下方的半...
    2025-11-22
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410508498.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法， 该半导体结构包括衬底以及位于衬底上的沟道结构， 沟道结构包括依次设于衬底上的沟道层和势垒层；沟道结构包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；源极区域设有第一凹槽， 漏极区域设有第...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202510483639.8
    本发明涉及半导体装置， 得到HEMT， 具有开关速度提高的PSJ结构。具有：第1氮化物半导体层(12)；第2氮化物半导体层(13)， 其具有比第1氮化物半导体层(12)的带隙宽的带隙；以及第3氮化物半导体层(14)， 其具有比第2氮化物半导...
    2025-11-22
  • 晶体管、氮化镓器件及其制备方法
    晶体管、氮化镓器件及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510780004.4
    本公开提供了一种晶体管、氮化镓器件及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、p‑GaN层、栅极、源极和漏极；势垒层位于沟道层， 源极和漏极位于势垒层， 且源极和漏极分别位于势垒层相对的两侧；p‑GaN层位于势垒层且位于源极和漏极之间， p‑...
    2025-11-22
  • 具有低温保护层的硅基四元势垒毫米波器件及其制备方法
    具有低温保护层的硅基四元势垒毫米波器件及其制备方法_华南理工大学_202510895760.1
    本发明公开了具有低温保护层的四元势垒毫米波器件及其制备方法。所述毫米波器件包括在四元势垒外延结构上利用等离子增强沉积技术低温生长的Si‑rich SixN保护层， 及在富Si低温保护层上结合电子束蒸发工艺直接生长的欧姆接触电极及T型栅极。本...
    2025-11-22
  • 基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510906627.1
    本公开实施例提供了一种基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；氢终端层， 设置于金刚石衬底的表面， 用于形成二维电子气；保护层， 设置于氢终端层上， 用于抑制氢终端层氧化...
    2025-11-22
  • 具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件
    具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件_上海宏微爱赛半导体有限公司_202511015501.1
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件。本发明的具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件可以减小反向漏电， 由于反向偏置下耗尽漂移区产生的大部分电位移线通过高k材料填充的缓冲层， 分散了纵向...
    2025-11-22
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