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最新专利技术
  • 晶片加工用片材及晶片的加工方法
    晶片加工用片材及晶片的加工方法_电化株式会社_202480022003.7
    晶片加工用片材，其具备：具有与晶片主面接触的表面的第1层；具有与前述表面相对的背面的第2层；和位于前述第1层与前述第2层之间的中间层，140℃时的储能弹性模量G’(140℃)相对110℃时的储能弹性模量G’(110℃)之比G’(140℃)/...
    2025-11-19
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480024437.0
    基板处理方法包括：准备在主表面具有含有包含磺酸基的聚合物的聚合物膜的基板的步骤；向上述基板的主表面供给氧化剂的氧化剂供给步骤；及通过上述聚合物膜中的上述磺酸基与上述氧化剂的反应产物来去除存在于上述基板的主表面的有机物的去除对象物质的有机物去...
    2025-11-19
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社日立高新技术_202480006255.0
    本发明提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率提高的蚀刻技术。一种蚀刻方法，其对配置于晶片的表面的包含碳化钛的处理对象的膜层进行蚀刻，其中，包括：向膜层的表面供给包含氟、氧且不含氢的反应性的粒子而在该膜层的表面形成反应层的工序；以及对膜层进行...
    2025-11-19
  • 预结合自动光学检验缺陷分类
    预结合自动光学检验缺陷分类_应用材料公司_202380096521.9
    一种用于自动检测及测量经切割晶片上的破裂缺陷的方法、设备及系统包括接收经切割晶片的至少一部分的影像，对准经切割晶片的至少所述部分的所接收影像，确定在对准的所接收影像中描绘的经切割晶片的至少所述部分的边缘，自已确定的边缘自动确定至少一个基线，...
    2025-11-19
  • 探测器
    探测器_株式会社东京精密_202480020092.1
    本发明提供一种探测器，能够迅速检测探针的顶端的位置。本发明的探测器(10)，具备：晶片卡盘(16)，其保持晶片(W)；探针卡(24)，其在与晶片卡盘(16)相向的面具有探针(25)；移动机构(13、14、15)，其使晶片卡盘(16)相对于探...
    2025-11-19
  • 用于从基座冲洗污染物的固定器具
    用于从基座冲洗污染物的固定器具_朗姆研究公司_202480023077.2
    一种用于清洁衬底处理系统的基座的固定器具包含固定器具的第一部分、固定器具的第二部分、多个紧固件和适配器。所述第一部分被配置成耦合至所述基座的基部的第一表面。所述第一部分包含第一端口，所述第一端口被配置成与所述基座的所述基部中的充气室流体连接...
    2025-11-19
  • 基板的自动控制
    基板的自动控制_应用材料公司_202480024507.2
    本技术包括用于改进基板处理的方法及系统。方法及系统包括将基板设置在包括多个加热区的基座上，每个加热区具有独立的加热器，根据包括初始基座温度的初始基板处理配方处理此基板，收集一或多个基板性质的初始基板反馈，及提供数据作为基板控制算法的第一输入...
    2025-11-19
  • 芯片保持具、芯片保持装置和半导体装置的制造装置
    芯片保持具、芯片保持装置和半导体装置的制造装置_雅马哈智能机器株式会社_202380095813.0
    芯片保持具(12)包括：保持面(24)，以非接触方式保持半导体芯片(100)；抽吸路径(33)，对所述保持面(24)赋予负压而抽吸所述半导体芯片(100)；以及超声波产生器(14)，对所述保持面(24)赋予超声波振动，所述保持面(24)的外...
    2025-11-19
  • 集群工具
    集群工具_东京毅力科创株式会社_202480020266.4
    本发明提供一种集群工具，其具有等离子体处理装置、移动式更换装置和控制部，等离子体处理装置具有等离子体处理模块、真空运送模块和位置检测传感器，该等离子体处理模块具有支承构件、消耗环和升降销，移动式更换装置具有保管消耗环的环保管部和运送消耗环的...
    2025-11-19
  • 部件更换系统
    部件更换系统_东京毅力科创株式会社_202480023510.2
    本发明的部件更换系统包括：等离子体处理装置，其包括配置于等离子体处理模块内的消耗部件；可移式部件保管单元，其包括能够收纳消耗部件的壳体，壳体包括底面盖；和移动式更换装置。移动式更换装置包括：构成为能够与底面盖卡合的上表面盖；构成为能够将上表...
    2025-11-19
  • 处理系统
    处理系统_东京毅力科创株式会社_202480023861.3
    本发明的处理系统包括大气输送模块、输送装置和清洁装置。大气输送模块能够在大气下输送基片。输送装置具有末端执行器，该末端执行器包括能够在其上载置基片的至少一个支承部件。输送装置设置在大气输送模块内，能够输送基片。清洁装置能够对至少一个支承部件...
    2025-11-19
  • 用于致动的纳米精度短行程工作台的设置
    用于致动的纳米精度短行程工作台的设置_德克萨斯系统大学董事会_202480024153.1
    用于将四个或更多个管芯相对于基板对齐的系统。该系统包括用于使四个或更多个管芯相对于基板对齐的四个或更多个工作台模块。对齐以亚50纳米的对齐精度执行，其中四个或更多个工作台模块被沿X方向、Y方向和/或θZ方向致动。沿Z方向、θX方向和/或θY...
    2025-11-19
  • 复合模组单元
    复合模组单元_株式会社FLOSFIA_202480018137.1
    目的在于提供一种翘曲抑制以及散热性得到提升的模组单元。一种复合模组单元，具备：第一模组单元，具有第一布线基板和安装在该第一布线基板上的第一功率元件内置型基板；以及第二模组单元，具有第二布线基板和安装在该第二布线基板上的第二功率元件内置型基板...
    2025-11-19
  • 导热性片和其制造方法
    导热性片和其制造方法_积水化学工业株式会社_202480020088.5
    本发明的导热性片(10)，其含有高分子基质(12)、和沿厚度方向取向的各向异性填充材料(13)，而且所述导热性片的厚度小于0.2 mm，所述导热性片的与表面平行且距表面25 μm的深度位置的截面(S2)中的空隙率为1.0～15.0%，在所述...
    2025-11-19
  • 采用金属柱将管芯热耦合至中介体基板以耗散管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法
    采用金属柱将管芯热耦合至中介体基板以耗散管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法_高通股份有限公司_202480019958.7
    公开了采用金属柱将管芯热耦合到中介体基板以耗散管芯的热能的集成电路(IC)封装。在一个方面，IC封装包括热耦合至管芯的(诸)金属柱。(诸)金属柱附接至中介体基板中的(诸)金属互连(例如，金属迹线、金属焊盘、金属线、金属板)。以此方式，当管芯...
    2025-11-19
  • SiC组件、功率半导体器件以及用于制造用于功率半导体器件的SiC组件的方法
    SiC组件、功率半导体器件以及用于制造用于功率半导体器件的SiC组件的方法_日立能源有限公司_202480017598.7
    提供了一种用于功率半导体器件(10)的组件(1)，其中，组件(1)包括基于SiC的主体(1M)和基于导电材料的多个通孔(1V)。主体(1M)包括具有第一厚度(11T)的第一层(11)和具有第二厚度(12T)的第二层(12)，第二厚度(12T...
    2025-11-19
  • 冷却部件
    冷却部件_株式会社力森诺科_202480020855.2
    冷却部件，其具备：流路部件，其具有隔开间隔配置的一对板材，在一方的所述板材与另一方的所述板材之间形成供流体流动的流路；池，其在所述流路的上游侧遍及所述流路部件的整个宽度地配置在所述流路与所述流体的流入口之间，贮存所述流体，其中，在将所述流路...
    2025-11-19
  • 电极前体组合物
    电极前体组合物_戴森技术有限公司_202480021782.9
    描述了用于碱金属离子二次电池的电极前体组合物。所述电极前体组合物包含：聚合物‑电解质凝胶基体相、包含电化学活性材料和导电添加剂的分散相。导电添加剂包含管状碳材料作为主要组分。还描述了相同组合物的电极、生产所述电极的方法、引入所述电极的电化学...
    2025-11-19
  • 干负极膜以及包括该干负极膜的干负极和锂电池
    干负极膜以及包括该干负极膜的干负极和锂电池_三星SDI株式会社_202480020413.8
    提供了一种干负极膜、包括该干负极膜的负极和锂电池，干负极膜包括干负极活性物质和干粘结剂。干负极活性物质包含复合负极活性物质，复合负极活性物质包括核和位于核的表面上的壳。每个核包括碳类材料、碳类材料和硅类材料的混合物、碳类材料和硅类材料的复合...
    2025-11-19
  • 复合体、正极复合材料、锂离子电池用正极、锂离子电池、复合体的制造方法、活性炭的用途及活性炭的制造方法
    复合体、正极复合材料、锂离子电池用正极、锂离子电池、复合体的制造方法、活性炭的用途及活性炭的制造方法_出光兴产株式会社_202480020166.1
    一种复合体，包含比表面积为1400m2/g以上且满足下述条件(A)及(B)中的一者或两者的活性炭、以及单质硫及单质硫的放电产物中的至少一者。(A)所述活性炭的拉曼光谱中的D带的峰宽为100cm‑1以下。(B)所述活性炭的拉曼光谱中的G带的峰...
    2025-11-19
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