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最新专利技术
  • 一种酱肉加工用腌制装置
    一种酱肉加工用腌制装置_安徽徽食食品有限公司_202510703052.3
    本发明公开了一种酱肉加工用腌制装置，包括输送机，腌肉机构，所述腌肉机构包括沿着输送方向等距设置的多个滚筒，多个所述滚筒的表面上沿着输送方向分别设置有针管、压板、环刀以及横刀，分别用于腌制酱料的注入、按压吸收酱料、切条、切块，所述针管的一端贯...
    2025-12-26
  • 一种用于小麦赤霉病治理的甲基硫菌灵-叶菌唑悬浮剂及其制备方法
    一种用于小麦赤霉病治理的甲基硫菌灵-叶菌唑悬浮剂及其制备方法_江苏富鼎化学有限公司_202510699843.3
    本发明公开了一种用于小麦赤霉病治理的甲基硫菌灵‑叶菌唑悬浮剂及其制备方法，属于农药制剂技术领域，所述甲基硫菌灵‑叶菌唑悬浮剂包括以下原料：34‑36wt％甲基硫菌灵、4‑6wt％叶菌唑、3‑5wt％分散剂、3‑5wt％防冻剂、0.1‑0.3...
    2025-12-26
  • 林业育苗全周期碳足迹追踪与节能型循环灌溉系统
    林业育苗全周期碳足迹追踪与节能型循环灌溉系统_宣汉县森华林业有限公司_202510699831.0
    本申请公开了林业育苗全周期碳足迹追踪与节能型循环灌溉系统，包括：碳足迹追踪子系统，具有多源传感网络模块、边缘计算节点模块和区块链存证模块，实时采集育苗全周期的碳排放数据，多源传感网络模块通过异构传感器集群实现育苗全周期碳足迹数据的立体化采集...
    2025-12-26
  • 一种基于梯度施药的加拿大一枝黄花防治方法
    一种基于梯度施药的加拿大一枝黄花防治方法_江苏农林职业技术学院_202510703231.7
    本发明属于生物防治技术领域，具体涉及一种基于梯度施药的加拿大一枝黄花防治方法，包括如下步骤：先将加拿大一枝黄花按照株高分为幼苗期、生长期和花芽分化期三级，按照不同等级的加拿大一枝黄花配制和施用相应浓度的生物酵素除草剂，所述生物酵素除草剂包括...
    2025-12-26
  • 多功能茶园除草、松土、施肥一体化机械设备
    多功能茶园除草、松土、施肥一体化机械设备_广西壮族自治区农业科学院_202510697956.X
    本发明涉及农业机械领域，具体涉及多功能茶园除草、松土、施肥一体化机械设备，包括安装架，安装架底部安装有驱动模块，安装架顶部安装有除草模块、松土模块和施肥模块，除草模块包括动力件，动力件与安装架顶部固定连接，动力件的输出轴连接有滚筒，滚筒外侧...
    2025-12-26
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202510713502.7
    本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列排布的多个第一像素，多个第一像素至少包括蓝色像素，多个第一像素中至少一个像素包括串联的多个发光元件，属于同一像素的多个发光元件用于发出相同颜色的光，即第一像素为串联结构。多个第一像素对应的驱...
    2025-12-26
  • 一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法
    一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法_华中科技大学_202510710972.8
    本发明属于光电器件领域，公开了一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法，其中钙钛矿电致蓝光器件的发光层是基于CsPbBr3量子点发光体系，是以CsBr、PbBr2和MBABr三者独...
    2025-12-26
  • 钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件
    钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510713149.2
    本申请涉及钙钛矿电池技术领域，提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件，至少可以实现低成本和高性能的稳定反式PSCs应用。钙钛矿电池包括空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极，其中，空穴传输层包括空穴传输材料，空穴传输材料的...
    2025-12-26
  • 外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置
    外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置_厦门乾照光电股份有限公司_202510704058.2
    本申请提供外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置。外延结构包括衬底、应力补偿层和外延叠层，衬底包括蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的一种，应力补偿层设于衬底的一侧表面，外延叠层包括GaN材料层和I nGaN材料层，外延叠层和...
    2025-12-26
  • 一种基于等离子体-金属氧化物耦合发光的方法
    一种基于等离子体-金属氧化物耦合发光的方法_武汉大学_202510711604.5
    本发明涉及新型光源技术领域，尤其是公开了一种基于等离子体‑金属氧化物耦合发光的方法，包括以下步骤：S1、选择金属氧化物作为发光载体；S2、搭建包含高压电极、接地电极、发光载体，直流可调电源、限流电阻和导线的放电装置；S3、将所述金属氧化物放...
    2025-12-26
  • 金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片
    金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708179.4
    本发明公开了一种金属格栅及其形成方法，旨在解决光学串扰问题。该金属格栅包括形成外层结构的介质层，以及被其至少在侧壁包覆并填充内部的金属层。其形成方法包括：在衬底上形成掩模层并在其中形成沟槽；在沟槽内壁沉积介质层；沉积金属层填充沟槽剩余空间并...
    2025-12-26
  • 用于场效应管的场板制作工艺
    用于场效应管的场板制作工艺_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510705936.2
    本申请公开了一种用于场效应管的场板制作工艺，包括：提供一半导体器件，半导体器件的外延层中形成有第一导电类型深阱区和第二导电类型高压阱区，第一导电类型深阱区表层形成有第一导电类型阱区，第二导电类型高压阱区表层形成有第一浅沟槽隔离结构；通过光刻...
    2025-12-26
  • 沟槽型外延结构及其制备方法
    沟槽型外延结构及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510709451.0
    本申请提供一种沟槽型外延结构及其制备方法，在制备方法中，通过在第一外延层中的深沟槽内依次生长第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层，随后再在深沟槽内填充第二外延层，在第一外延层和第二外延层的交界面中引入第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层的组...
    2025-12-26
  • LDMOS器件及其制作方法
    LDMOS器件及其制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708490.9
    本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底，其包括硅衬底和形成于硅衬底中的绝缘层，绝缘层将硅衬底隔离为位于上方的顶层衬底和位于下方的底层衬底；栅介质层，栅介质层形成于顶层衬底上；栅极，栅极形成于栅介质层上；其中，顶层...
    2025-12-26
  • 无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法
    无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510706218.7
    本发明公开了一种无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法，旨在解决现有技术工艺复杂、需背面对准及成本高等问题。该方法包括：在第一导电类型外延层的正面形成深沟槽；对深沟槽底部进行第一离子注入形成第二导电类型环形区域；回填深沟槽；完成正面...
    2025-12-26
  • 降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及结构
    降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及结构_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510717199.8
    本申请公开了一种降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及深沟槽电容结构。该方法包括：在沟槽阵列的预定位置，将至少一个第一沟槽设计为断开结构；通过该断开结构，在第一沟槽原始位置形成至少两个第二沟槽及两者间的间隙，间隙用于应力释放。可选地，在间隙内...
    2025-12-26
  • 沟槽型电容及其制作方法
    沟槽型电容及其制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510706222.3
    本申请公开了一种沟槽型电容及其制作方法，该沟槽型电容包括：衬底，衬底中形成有凹槽，凹槽的深度和宽度的比值大于6；衬底和凹槽表面以下的预定深度的区域内形成有掺杂区，衬底和凹槽的表面形成有介质层，凹槽内填充有多晶硅层，掺杂区为沟槽型电容的第一电...
    2025-12-26
  • 改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法
    改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510709439.X
    本发明提供一种改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法，包括：获取第一氧化层、氮化硅层及沉积后第二氧化层的实测厚度；将氮化硅层实测厚度乘以一转换系数得到其等效氧化物厚度；根据目标电学厚度、第一氧化层实测厚度和氮化硅层等效氧化物厚度，计算...
    2025-12-26
  • 改善闪存读干扰的器件及其制造方法
    改善闪存读干扰的器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708187.9
    本发明提供一种改善闪存读干扰的器件，包括在浮栅多晶硅层上形成的第一氧化硅层；在第一氧化硅层形成的渗氮二氧化硅层；在渗氮二氧化硅层上形成的氮化硅层；在氮化硅层上形成的第二氧化硅层；在第二氧化硅层上形成的控制栅多晶硅层。本发明渗氮后的氧化层介电...
    2025-12-26
  • 形成快闪存储器中ONO介电层的方法
    形成快闪存储器中ONO介电层的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708164.8
    本发明公开了一种形成快闪存储器中氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)介电层的方法，旨在改善Flash读取干扰问题。该方法包括：提供一衬底，并在衬底上(优选在预形成的浮栅上)形成第一氧化物层；在第一氧化物层上形成氮氧化硅(SiON)层，该形成过程...
    2025-12-26
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