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最新专利技术
  • 一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法
    一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法_泉镓科技(福州)有限公司_202511779621.9
    本发明提出了一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、沟槽、p型半导体层、阳极金属层、介质层、钝化层。其中阴极金属层沉积在高掺杂...
    2026-03-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510014305.6
    本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备碳化硅层、第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电部、及第二导电部。碳化硅层具备主体部以及突出设置于主体部的突出设置部...
    2026-03-25
  • 一种低电容TSS及制备方法
    一种低电容TSS及制备方法_扬州杰利半导体有限公司_202511846257.3
    一种低电容TSS及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明阳极埋层的设置在1×1014个/cm3‑1×1016个/cm3较低掺杂浓度的情况有效的降低了击穿电压，通过阳极层与靠近阴极层一端的隔离层相接，隔离层掺杂浓度1×1019个/cm3‑1×1...
    2026-03-25
  • 一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法
    一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法_黄山芯微电子股份有限公司_202511548217.0
    本发明公开了一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法，其结构为在重掺N+硅衬底上设置有硅外延层N‑漂移区，在N‑漂移区的上部有源区内设置有一组相互分离的P区，每个P区内设置有一个P+区和两个N+区，P+区在两个N+区之间，两个N+区...
    2026-03-25
  • 一种多层电容结构及其制造方法
    一种多层电容结构及其制造方法_电波微讯(宁波)通信技术有限公司_202511885077.6
    本申请涉及电容技术领域，尤其涉及一种多层电容结构及其制造方法。本申请提出的多层电容结构，通过在衬底通孔中排布金属电极层与电介质层，提供了一种占用面积更小的高容值电容。多层电容结构的电容值与通孔的半径、介质材料及厚度、衬底厚度等参数有关，特别...
    2026-03-25
  • 可调的金氧半电容元件及其半导体装置
    可调的金氧半电容元件及其半导体装置_鲸链科技股份有限公司_202411282528.2
    本申请公开一种可调的金氧半电容元件及其半导体装置。金氧半电容元件包括栅极端、源极端、漏极端及基底端。所述栅极端接收栅极电压。所述源极端接收接地电压。所述漏极端与所述源极端电性连接，接收所述接地电压。所述基底端接收控制电压，所述控制电压与所述...
    2026-03-25
  • 可配置电容
    可配置电容_予力半导体公司_202511911846.5
    本公开涉及可配置电容。一种电容设备包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的电容，包括第一正端子和第二正端子以及第一负端子和第二负端子；在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二负端子，所述钝化层分别在所述第一和第二正...
    2026-03-25
  • 薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备
    薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备_粤芯半导体技术股份有限公司_202610175372.0
    本申请提供一种薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备，涉及半导体制备技术领域，解决了相关技术中所制备的薄膜电阻性能差的问题，本方案能够通过对目标位置刻蚀形成第一通孔时无需保留该目标位置处的第一CrSi膜层，而是直接刻蚀并停留在介质阻挡层，并通过再...
    2026-03-25
  • 一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺
    一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511828792.6
    本发明公开了一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及工艺，结构包括PCB板、锡球、基板、控制芯片、堆叠式存储芯片、模封层、底胶层、凸点、焊线、黏合层及高导热界面材料层；控制芯片倒装焊于基板底部，通过凸点连基板，底部设高导热界面材料层贴PCB板...
    2026-03-25
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202511301838.9
    一种存储器装置，包括：模块基底，具有第一侧表面和与第一侧表面垂直的第二侧表面；半导体封装件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上；无源器件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上，其中，无源器件电连接到半导体封装件；以及保护层...
    2026-03-25
  • 具有在正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯上的再分布层的堆叠半导体管芯架构
    具有在正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯上的再分布层的堆叠半导体管芯架构_英特尔公司_202511101425.6
    提供了包括管芯堆叠体的微电子组件架构，其中每个管芯包括再分布层，并且管芯堆叠体被定位成使得每个管芯的面垂直于基底的面。每个管芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面和第二面之间延伸的边缘。再分布层沉积在每个管芯的第一面上。管芯堆叠体...
    2026-03-25
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510407881.7
    一种半导体封装件包括：第一基底，具有位于距第一基底的顶表面不同的竖直水平处的第一底表面和第二底表面；第一半导体芯片，在第一基底的顶表面上；第二半导体芯片，在第一底表面上，并包括光子集成电路；以及第二基底，在第二底表面上以覆盖第二半导体芯片。...
    2026-03-25
  • 半导体封装件和板上封装件
    半导体封装件和板上封装件_三星电子株式会社_202510399293.3
    本公开提供一种半导体封装件和板上封装件，所述半导体封装件包括：基底；插座，在基底上，并且包括插座主体和插座引脚，插座主体具有安装区域，第一半导体芯片安装在安装区域上，插座引脚穿透插座主体并电连接到基底；以及一个或多个第二半导体芯片，在基底上...
    2026-03-25
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510245449.2
    一实施方式的半导体存储装置具有壳体、衬底、第1电子零件及第2电子零件。所述衬底收纳于所述壳体，具有第1面。所述第1电子零件安装于所述第1面。所述第2电子零件安装于所述第1面。所述第2电子零件具有比所述第1电子零件距所述第1面的高度高的高度。...
    2026-03-25
  • 存储装置
    存储装置_爱思开海力士有限公司_202510232733.6
    本公开涉及存储装置。根据本公开的实施例，一种存储装置可以包括：第一半导体芯片，其包括第一键合绝缘层；第二半导体芯片，其与第一半导体芯片键合并包括第二键合绝缘层；以及贯通接触件，其从第一半导体芯片的内部延伸到第二半导体芯片的内部并穿透第一键合...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411127440.3
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层、键合结构以及连接结构，相...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411125609.1
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长江存储控股股份有限公司_202411125339.4
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个堆叠层通过第一键合结...
    2026-03-25
  • 基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用
    基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用_西安电子科技大学_202511920269.6
    本发明公开基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及其制备和应用，主要解决现有技术存储密度低，应用受限的问题。其自下而上包括衬底(1)、底电极(2)、金属纳米颗粒阵列(3)、氧化物阻变层(4)、顶电极(5)，其中，底电极采用金属Pt材料...
    2026-03-25
  • 实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法
    实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法_南京理工大学_202511869264.5
    本发明公开了一种实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h‑BN基忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括从下至上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极，其中衬底的材料为玻璃；底电极的材料为氧化铟锡；功能层为PVA : h‑BN纳米复合材料；顶电...
    2026-03-25
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