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最新专利技术
  • 晶体管结构及其形成方法
    晶体管结构及其形成方法_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411245395.1
    一种晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧壁形成侧墙；在栅极结构两侧的衬底内形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层顶部表面以及侧墙部分侧壁形成半导体层；对半导体层进行金属化处理，形成第一金属接触层。通过...
    2026-03-26
  • AlGaN器件的外延结构及其制备方法
    AlGaN器件的外延结构及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202511979584.6
    本发明公开一种AlGaN器件的外延结构及其制备方法，其中，AlGaN器件的外延结构包括在表面具有近平行的条状周期性形貌的势垒层上外延生长的p型AlGaN帽层；p型AlGaN帽层具有近锯齿形宏台阶形貌，且p型AlGaN帽层的宏台阶的台面上的A...
    2026-03-26
  • 一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件
    一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件_四川大学锦江学院_202511853358.3
    本发明公开了一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件，包括GaAs衬底，设置于所述GaAs衬底上的缓冲层；缓冲层上的背势垒层；背势垒层上的沟道层；沟道层上方的上势垒层；势垒层上方的GaAs盖层；以及在器件表面形成的源极...
    2026-03-26
  • 极化超结场效应晶体管和电气设备
    极化超结场效应晶体管和电气设备_三垦电气株式会社_202511226612.7
    提供极化超结场效应晶体管和电气设备。极化超结场效应晶体管具有第一未掺杂GaN层(11)、AlxGa1‑xN层(12)(0.17≤x≤0.35)、第二未掺杂GaN层(13)、p型GaN层(15)、AlxGa1‑xN层与第二未掺杂GaN层之间的...
    2026-03-26
  • 一种外延结构及其制备方法和半导体器件
    一种外延结构及其制备方法和半导体器件_华为技术有限公司_202411295972.8
    本申请提供了一种外延结构及其制备方法和半导体器件。该外延结构包括衬底和依次层叠设置在其一侧的成核层、高阻缓冲层和沟道层，该高阻缓冲层包括交替层叠于成核层上的第一Ⅲ族氮化物层和第二Ⅲ族氮化物层，且第二Ⅲ族氮化物层的总层数n≥2；其中，第一Ⅲ族...
    2026-03-26
  • 一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法
    一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法_北京大学_202411287212.2
    本发明公开了一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法，所述结构采用键合结构，包括：上层结构和下层结构；所述上层结构，包括上层蓝宝石晶圆、氮化铝外延层；所述下层结构，包括氮化铝外延层、下层蓝宝石晶圆。该键合工艺利用表面重结晶实现了原子尺度上的...
    2026-03-26
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411237855.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；钝化层，位于势垒层远离衬底一侧的非栅极区域；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域，且延伸至势垒层中；间隔层，至少位于P型层和钝化层之间。本公开延伸至...
    2026-03-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202511947226.7
    提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电...
    2026-03-26
  • 一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件
    一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件_杭州富芯半导体有限公司_202511794480.8
    本申请公开了一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件，所述LDMOS的制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一LDMOS器件区域；在形成有所述LDMOS器件区域上形成氧化层；在所述对应于源极区、漏极区之间区域的氧化层上形成栅极...
    2026-03-26
  • 基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法
    基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511733426.2
    本发明公开了一种基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法。该制备方法，包括：在衬底层上依次形成成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在间隙区，形成准单晶钝化层，准单晶钝化层与势垒层的上界面直接接触；间隙区包括源极区与栅极区之间...
    2026-03-26
  • 晶体管的制作方法以及晶体管
    晶体管的制作方法以及晶体管_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511506163.1
    本公开实施例提供了一种晶体管的制作方法以及晶体管，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供HEMT场板的前端结构，所述前端结构包括SiN层以及形成于所述SiN层之上且已图形化的光刻胶掩模层；通过腐蚀液对所述前端结构进行腐蚀，其中，所述腐蚀...
    2026-03-26
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411233850.6
    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该制作方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，在栅极顶部形成倒U形暴露面，之后去除牺牲材料层并同时去除部分第一侧墙而形成空气...
    2026-03-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411231025.2
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。该形成方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，使多晶硅栅极顶部形成倒U形暴露面，第一侧墙高度降低形成第一矮侧墙，之后刻蚀第二...
    2026-03-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411223612.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向，所述半导体衬底包括沿y方向排列的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底上分别形成有若干沿x方向延伸的鳍片；VFET...
    2026-03-26
  • 一种集成门极换流晶闸管及其制备方法
    一种集成门极换流晶闸管及其制备方法_深圳吉华微特电子有限公司_202511723090.1
    本公开涉及半导体领域，提供一种集成门极换流晶闸管及其制备方法，至少可以解决关断软化、过冲控制、工艺窗口与高温稳定性方面的问题。制备方法包括：提供基底；形成初始缓冲层，初始缓冲层位于基底上；对初始缓冲层进行氢注入工艺以得到缓冲层前躯体，氢注入...
    2026-03-26
  • IGBT器件及其制备方法
    IGBT器件及其制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511904173.0
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种IGBT器件及其制备方法。本发明的IGBT器件的栅极沟槽的下部的外周设置有浮置N型区；所述浮置N型区的两侧的上端分别连接P型体区和浮置P区；以及所述浮置N型区的外周设置有浮置P型区。本发明的IGBT...
    2026-03-26
  • 一种电流增强型IGBT器件及其制造方法
    一种电流增强型IGBT器件及其制造方法_南京晟芯半导体有限公司_202511878238.9
    本发明公开了一种电流增强型IGBT器件及其制造方法，涉及半导体功率器件技术领域。所述电流增强型IGBT器件包括栅信号区域和有源区，所述有源区内的不同位置包含有两种及以上元胞设计，不同元胞设计设置有不同的阈值电压，所述设置了不同阈值电压的不同...
    2026-03-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510107640.0
    提供能够减少导通损耗及截止损耗这两者的半导体装置。实施方式的半导体装置具有在第1方向上隔开间隔而配置的第1电极及第2电极。具有在第2方向上隔开间隔而配置的多个控制电极。具有与第1电极电连接的连接电极。具有与第1电极电连接的第1导电型的第1半...
    2026-03-26
  • 一种低结电容SiGe HBT版图排布结构
    一种低结电容SiGe HBT版图排布结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511954538.0
    本发明公开了一种低结电容SiGe HBT版图排布结构，包括硅衬底、第一有源区、第二有源区和外基区，发射极、集电极和基极，发射极通过发射极接触条引出，所述基极通过基极接触孔引出；集电极通过集电极接触条或集电极接触孔引出；每一个所述基极接触孔均...
    2026-03-26
  • 一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法
    一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法_泉镓科技(福州)有限公司_202511779621.9
    本发明提出了一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、沟槽、p型半导体层、阳极金属层、介质层、钝化层。其中阴极金属层沉积在高掺杂...
    2026-03-26
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