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最新专利技术
  • 图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备
    图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202512032841.1
    本发明提供一种图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备，属于图像传感器技术领域，包括：光电二极管；硅基晶体管单元，用于将光电二极管产生的电荷转化为像素信号；碳纳米管晶体管，分别与光电二极管和硅基晶体管单元电连接，用于控制从光电二...
    2026-05-15
  • 具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素
    具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素_豪威科技股份有限公司_202510612041.4
    本发明提供一种具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素，所述图像传感器包括多个像素及形成在像素之间的多个深沟渠隔离件。深沟渠隔离件包括多个背侧深沟渠隔离件和多个前侧深沟渠隔离件，背侧深沟渠隔离件从衬底的背面延伸并从外部围绕相应的像素的光电二极管和...
    2026-05-15
  • 硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列
    硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列_湘潭大学_202610500701.4
    本发明涉及硅探测器技术领域，具体公开了一种硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列，其中硅漂移探测器，包括：基体、六边形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链；基体的底层整面为阴极，且覆盖有第一电极接触层；六边形阳极位于基体的顶层中心，且覆盖...
    2026-05-15
  • 双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法
    双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法_松山湖材料实验室_202610096307.9
    本发明涉及光电技术领域，具体涉及双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法。本发明中，传感器中的铁电层利用体光伏效应和铁电性，可实现静态灰度成像；同时，铁电层与各向异性光敏层形成的范德华异质结，在偏振光照射下通过电荷重组‑捕获动力学...
    2026-05-15
  • 单光子雪崩二极管器件及其制造方法
    单光子雪崩二极管器件及其制造方法_武汉北极芯微电子有限公司_202610140057.4
    本公开实施例提供了一种单光子雪崩二极管及其制造方法。其中，单光子雪崩二极管器件包括：依次堆叠的感光吸收层和光路层，所述光路层设置于所述感光吸收层的进光侧；所述光路层，用于透过入射光，且所述光路层对入射光中目标波段的光子的透过率大于对非目标波...
    2026-05-15
  • 一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统
    一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统_华为技术有限公司_202512049619.2
    本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪...
    2026-05-15
  • 一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用
    一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用_浙江大学_202610467434.5
    本发明公开了一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用，通过金属层/Ga2O3肖特基结与Ga2O3/ZnO异质结接触的非对称接触工程与缺陷介导的光电导效应，制备了对二端电压(>6 V)信号与深紫外(255 n...
    2026-05-15
  • CuI、α-Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法
    CuI、α-Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法_苏州镓和半导体有限公司_202610196085.8
    本申请涉及光电探测器件领域，公开了CuI、α‑Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法，包括：首先通过水热反应及高温退火工艺在FTO基底上生长结晶性良好的α‑Ga2O3纳米柱阵列；随后将CuI粉末分散于二丙基硫醚与氯苯的特定比例混合溶...
    2026-05-15
  • 一种光电探测器及其制作方法和光谱仪
    一种光电探测器及其制作方法和光谱仪_浙江大学杭州国际科创中心_202610459177.0
    本发明涉及一种光电探测器及其制作方法和光谱仪，所述光电探测器包括：P型半导体衬底，所述P型半导体衬底用于在被测光的作用下产生电子‑空穴对；宽禁带氧化物层，宽禁带氧化物层覆盖在所述P型半导体衬底表面，厚度为1‑20nm，且宽禁带氧化物层的价带...
    2026-05-15
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610488299.2
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：多个电池串包括：沿第一方向排布的多个电池片，电池片包括：第一栅线及第二栅线，沿第一方向相邻的两个电池串中最靠近相邻电池串的电池片为第一边缘电池片；第一导电层，第一导电层包括沿第一方向延伸且沿第二方...
    2026-05-15
  • 光伏组件
    光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610468573.X
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：沿第一方向排布的第一电池单元和第二电池单元；电连接件，电连接件沿第一方向延伸，电连接件与第一电池单元以及第二电池单元电性连接；隔离层，隔离层位于电连接件与第一电池单元之间，且位于电连接件与第二电池...
    2026-05-15
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610442107.4
    本申请提供了一种光伏组件，每个串组包括若干并联的电池串，若干串组相互串联，串组包括至少一个中间串组以及位于若干串组的两端的两个端部串组，至少部分相邻串组之间通过第一汇流件串联，两个端部串组的端部设置有至少一条第二汇流件，第一电连接件电性连接...
    2026-05-15
  • 一种电池串组件及其制作方法
    一种电池串组件及其制作方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610203303.6
    本发明公开一种电池串组件及其制作方法，涉及光伏组件技术领域。该电池串组件包括电池串、汇流条、第一绝缘缓冲层和第二绝缘缓冲层；焊带包括电气连接在电池片背面的连接焊带以及朝向电池片的背面翻折的翻折焊带，多个翻折焊带沿着汇流条的长度方向排列；第一...
    2026-05-15
  • 一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法
    一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610178867.9
    本发明公开一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法。绝缘结构包括：双侧具有胶粘性且包括第一部分和第二部分的绝缘粘固层；设置在绝缘粘固层的第二部分的至少一部分的一侧的附加绝缘层；其中，第一部分的一部分可翻折至附加绝缘层的上方使得附加绝...
    2026-05-15
  • 一种全黑背接触电池及其制备方法和应用
    一种全黑背接触电池及其制备方法和应用_广州高景太阳能科技有限公司_202610182070.6
    本发明涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种全黑背接触电池及其制备方法和应用。所述的全黑背接触电池，由下至上依次包括：层叠设置的黑色边框、黑色背板、背接触电池片层、黑色钝化抗反射层、黑色封装胶膜层、减反射涂层和透明盖板；其中，所述黑色钝化抗反...
    2026-05-15
  • 碲化镉与晶硅叠层BIPV组件
    碲化镉与晶硅叠层BIPV组件_广东明阳薄膜科技有限公司_202610028952.7
    本发明公开了一种碲化镉与晶硅叠层BIPV组件，包括依次叠置的背板、第一封装层、晶硅芯片层、碲化镉芯片层、第二封装层、前板，其中，前板包括基层，基层设置于第二封装层背离碲化镉芯片层的一侧面，基层背离第二封装层的一侧面均匀阵列有多个纳米棱台，纳...
    2026-05-15
  • 一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610451229.X
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触电池包括基底，基底的第一面包括交替排布的第一区、第三区和第二区，第一区至少覆盖有隧穿氧化层和N型多晶硅层，第二区至少覆盖有P型缓变掺杂非晶硅层，第三区覆盖有...
    2026-05-15
  • 一种三端五结太阳电池及其制备方法
    一种三端五结太阳电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512040686.8
    本发明公开了一种三端五结太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括自上而下设置的AlGaInP子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、横向传导层、第一渐变缓冲层、GaInAs子电池、第四隧穿结...
    2026-05-15
  • 一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法
    一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012915.5
    本发明公开了一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法，外沿结构包括衬底，以及依次设置在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、N层GaInP阻挡渐变层、下帽层、GaInP窗口层、GaInAs接触层、N结GaInAs子电池和上帽层，相邻的两...
    2026-05-15
  • 一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法
    一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012914.0
    本发明公开了一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法，太阳电池的外沿结构包括砷化镓衬底，以及设置在砷化镓衬底上的三层GaAs缓冲层、三层GaInP阻挡层、三层GaAs帽层、三层AlGaInP顶电池、第一遂穿结、三层 ...
    2026-05-15
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