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最新专利技术
  • 一种离子源装置
    一种离子源装置_杭州海康威视元物智科技有限公司_202511149088.8
    本申请公开了一种离子源装置， 属于质谱分析技术领域， 用以提高高浓度离子的传输效率。所述离子源装置包括：离子化室， 所述离子化室是将输入的分子转化为离子的场所；推斥极， 所述推斥极位于所述离子化室内且正对所述离子化室的离子出口， 所述推斥极...
    2025-11-27
  • 外延生长方法及外延结构
    外延生长方法及外延结构_重庆奕能科技有限公司_202510689856.2
    本申请公开了一种外延生长方法及外延结构。该外延生长方法包括：提供衬底；生长具有第一碳硅比的第一缓冲层；生长第二缓冲层；生长具有第二碳硅比的第三缓冲层；以及生长外延层， 其中， 第二缓冲层具有接触第一缓冲层的第一表面和接触第三缓冲层的第二表面...
    2025-11-27
  • 一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法
    一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法_深圳基本半导体股份有限公司_202510695527.9
    本发明涉及半导体功率器件制造技术领域， 公开了一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法。该方法包括：步骤S1：提供衬底层；步骤S2：在衬底层上沉积一层停止层， 并通过光刻工艺在停止层上形成衬底层上的图形， 作为第一图形；步骤S3：第一图形经过...
    2025-11-27
  • 外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置
    外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510744748.0
    本公开提供了一种外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置；该方法包括：根据外延晶圆的外延层的边缘区域的纳米形貌值， 从设定的外延沉积温度范围中按照设定的温度梯度选取多个候选外延沉积温度；分别基于各候选外延沉积温度在衬底晶圆表面沉积外延层， ...
    2025-11-27
  • 硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件
    硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510772621.X
    本发明提供了一种硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件， 涉及半导体制造技术领域， 为解决在硅氧碳氮侧墙生长隔离保护层成本较高的问题而设计。该方法包括：提供基底结构， 基底结构包括衬底、形成于衬底的栅极结构以及形成于栅极结构两侧的硅氧碳...
    2025-11-27
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510829017.6
    本发明提供了一种晶圆清洗方法， 涉及半导体制造技术领域， 为解决相关技术采用在单片清洗工艺中增加背面清洗步骤来减少晶圆背面颗粒的方式， 存在单片清洗效率较低的问题而设计。该晶圆清洗方法包括晶圆背面装载至伯努利吸盘；第一清洗阶段， 晶圆以第一...
    2025-11-27
  • 一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法
    一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202510900004.3
    本发明属于半导体制造技术领域， 具体涉及一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法， 包括以下步骤：S1、将待去胶的晶圆送入第一EKC去胶槽中反应去胶， 再将其送入第二EKC去胶槽中继续反应去胶；S2、将经过S1去胶后的晶圆送入IPA清洗槽中清洗...
    2025-11-27
  • 半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品
    半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品_株式会社国际电气_202510900501.3
    本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品， 即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂， 从而使所述第一基底的表面改性的工序， 其中该第一改...
    2025-11-27
  • 一种氧化膜的退火方法
    一种氧化膜的退火方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510926436.1
    本发明涉及半导体退火技术领域， 尤其涉及一种氧化膜的退火方法， 包括以下阶段：应力释放阶段：在惰性气体气氛下， 以第一升温速率升温至第一温度， 并保温第一时长；结构重组阶段：在氧气和惰性气体的混合气体气氛下， 以第二升温速率从第一温度升温至...
    2025-11-27
  • 一种刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510829009.1
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域， 为解决金属硬掩膜层刻蚀后， 因光刻中出现套刻误差而需要进行返工处理， 在返工处理过程中使薄弱点区域关键尺寸迅速减少， 导致良率降低的问题而设计。该刻蚀方法包括提供半导体器件，...
    2025-11-27
  • 光刻返工方法及半导体工艺设备
    光刻返工方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510839025.9
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种光刻返工方法及半导体工艺设备。光刻返工方法包括：等离子体灼烧步， 向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体， 以使等离子体与工艺腔室内的残留物质反应；无晶圆清洁步， 向工艺腔室内通入工艺气体...
    2025-11-27
  • 一种保护碳化硅板的工艺方法
    一种保护碳化硅板的工艺方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202510355092.3
    本发明公开了一种保护碳化硅板的工艺方法， 包括如下步骤：S1、将碳化硅板放置于处理室中， 所述处理室为等离子腔体；S2、将稀释气体导入处理室中， 所述稀释气体为氩气和氦气的组合气体；S3、向处理室中引入射频交变电场， 产生等离子体；S4、向...
    2025-11-27
  • 基于无氧铜表面纳米化界面结构的制备方法
    基于无氧铜表面纳米化界面结构的制备方法_南通威斯派尔半导体技术有限公司_202510744372.3
    本发明公开了一种基于无氧铜表面纳米化界面结构的制备方法， 具体步骤包括：S1.预处理， 去除表面氧化物及杂质， 然后用去离子水冲洗干净， 氮气吹干；S2.Ag纳米颗粒层利用化学还原法在无氧铜表面制备；Au纳米颗粒层利用化学还原法在无氧铜表面...
    2025-11-27
  • 掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备
    掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510828991.0
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备。所提供的掺杂多晶硅的刻蚀方法， 包括：预刻蚀步， 采用第一工艺气体对掺杂多晶硅表面上的自然氧化层进行刻蚀， 以去除所述自然氧化层；主刻蚀步...
    2025-11-27
  • 深硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    深硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812803.5
    本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括循环步骤， 循环步骤包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的氧化步， 其中， 去除步所采用的工艺气体包括碳...
    2025-11-27
  • 一种刻蚀工艺开发方法、刻蚀工艺及半导体产品
    一种刻蚀工艺开发方法、刻蚀工艺及半导体产品_江苏昕感科技有限责任公司_202511276786.4
    本发明涉及一种刻蚀工艺开发方法， 所述方法包括：步骤1：在同一晶圆的不同区域， 采用不同的光罩进行曝光， 形成不同工艺层图案；步骤2：光刻完成后， 采集光刻关键尺寸数据；步骤3：根据所述光刻关键尺寸数据调整刻蚀参数， 进行刻蚀作业；步骤4：...
    2025-11-27
  • 去除刻蚀栅栏的方法
    去除刻蚀栅栏的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510809954.5
    本发明公开了一种去除刻蚀栅栏的方法， 应用于半导体双大马士革结构制造。该方法在沟槽及接触孔刻蚀与底部抗反射涂层回刻蚀之后、光刻胶去除之前， 包括：步骤一， 执行第一去栅栏步骤， 调整底部抗反射涂层塞的高度， 优选采用氧气等离子体；步骤二， ...
    2025-11-27
  • 一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质
    一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质_珠海宝丰堂半导体股份有限公司_202511271215.1
    本发明实施例提供了一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质， 方法包括：通过上下料模块将待处理晶圆从上料位置移送至反应机构；控制生成机构将等离子体输送至反应机构；控制抽真空装置对反应机构进行抽真空处理， 以使等离子体均匀蚀刻待处理晶圆表面的第一光...
    2025-11-27
  • 一种金属硬掩膜层的刻蚀方法
    一种金属硬掩膜层的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510764198.9
    本发明提供了一种金属硬掩膜层的刻蚀方法， 该方法包括：提供预设基底；其中， 预设基底包括自上向下依次形成的图案化后的光阻层、抗反射层和金属硬掩膜层， 抗反射层包括有机抗反射层；重融步骤， 向腔室中通入含氩气体刻蚀光阻层使光阻层进行重融；修复...
    2025-11-27
  • 一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置
    一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置_南京航空航天大学_202510942941.5
    本发明公开了一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置， 包括以下步骤：S1：在半导体基材的表面沉积铂薄膜；S2：将沉积铂薄膜后的半导体基材置于密闭容器中， 并通入含氢气的气氛；S3：加热所述密闭容器至100～300℃， 保持5分钟...
    2025-11-27
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