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最新专利技术
  • 一种柔性电路板摆动装置、摆动方法及电子元件散热器
    一种柔性电路板摆动装置、摆动方法及电子元件散热器_广东纽恩泰新能源科技股份有限公司_202511285702.3
    本申请公开了一种柔性电路板摆动装置、摆动方法及电子元件散热器， 其中， 该摆动装置包括安装座、柔性电路板、第一永磁铁、第二永磁铁和控制主板；所述第一永磁铁、所述柔性电路板和所述第二永磁铁固定在所述安装座同一侧；所述第一永磁铁的邻近磁极与所述...
    2025-11-22
  • 5G通信基站机房高效节能降温综合智控方法及系统
    5G通信基站机房高效节能降温综合智控方法及系统_西安力邦节能科技发展有限公司_202511292157.0
    本申请涉及机房降温技术领域， 具体涉及5G通信基站机房高效节能降温综合智控方法及系统， 该方法包括：实时获取每个区域在当前时刻的室内温度及其各通信设备的输出功率， 以及当前时刻的室外温度；获取每个热交换风机单独运行时测试时段内各时刻下每个区...
    2025-11-22
  • 冷却系统的控制方法、冷却系统以及电子设备
    冷却系统的控制方法、冷却系统以及电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511299541.3
    本申请提供了一种冷却系统的控制方法、冷却系统以及电子设备， 涉及计算机散热技术领域。冷却系统包括多个冷却支路， 冷却支路用于对节点的设备进行散热， 冷却支路上设置有用于调节冷却支路的流量的控制阀。控制方法包括：在冷却支路的节点以第一功耗运行...
    2025-11-22
  • 一种具有水冷模块的变频器及水冷方法
    一种具有水冷模块的变频器及水冷方法_啸驰电气股份有限公司_202511307944.8
    本发明涉及一种具有水冷模块的变频器及水冷方法， 属于高压变频器技术领域， 包括：换热通道设置于变频器单元柜和冷却单元柜的上方；若干冷却池间隔设置于冷却单元柜的内部；若干换热棒穿接于换热通道和变频器单元柜之间， 换热棒内填充有复合相变填料， ...
    2025-11-22
  • 一种聚合物包裹生物质碳以实现S波段吸收的复合材料制备方法
    一种聚合物包裹生物质碳以实现S波段吸收的复合材料制备方法_四川大学_202410426610.1
    本发明提供了一种聚合物包裹生物质碳以实现S波段吸收的复合材料制备方法， 其包括如下步骤：将生物质碳和聚合物溶液放置在特定环境中；进行处理， 使生物质碳材料均匀分散在聚合物溶液中；在一定温度下， 搅拌溶液以促进反应的进行；反应一段时间后， 停...
    2025-11-22
  • 一种氮掺杂碳气凝胶及其制备方法和应用
    一种氮掺杂碳气凝胶及其制备方法和应用_陕西科技大学_202511034059.7
    本发明公开一种氮掺杂碳气凝胶及其制备方法和应用， 该方法向生物质溶液中加入钴盐和镍盐， 搅拌至溶解， 得到含金属离子的混合溶液；向含金属离子的混合溶液中加入富氮有机物， 持续搅拌， 制得含金属离子和富氮有机物的混合溶液；向含金属离子和富氮有...
    2025-11-22
  • 加工方法
    加工方法_深圳市大族微电子科技有限公司_202510884658.1
    本申请涉及一种加工方法应用于加工装置并对线路板进行加工， 加工装置包括夹持组件、加工组件和抵接组件， 夹持组件能够在第一方向和第二方向上产生相对滑动， 夹持组件和线路板同步运动， 第一方向和第二方向均垂直于线路板的厚度方向且其中一者为重力方...
    2025-11-22
  • 一种贴片机真空切换装置
    一种贴片机真空切换装置_上海爵企电子科技有限公司_202510960548.9
    本发明涉及芯片生产技术领域， 尤其涉及一种贴片机真空切换装置， 包括：底板和限位板， 所述限位板设置在底板上侧， 且限位板上开设有两个开口， 所述底板上设置有多个吸附孔， 多个所述吸附孔分别通过两组通气管连通， 且在限位板的两个开口内部分别...
    2025-11-22
  • 一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统
    一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统_广东力行智能装备有限公司_202511027050.3
    本发明公开了一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统， 涉及贴片元件加工技术领域， 包括基板， 所述基板上方的前侧设置有压板装置， 所述压板装置的后端设置有换面转向平台装置， 所述换面转向平台装置的下方安装有升降装置， 所述换面转向平台装置的后...
    2025-11-22
  • 一种电路板贴片机以及点胶机构
    一种电路板贴片机以及点胶机构_千思跃智能科技(苏州)股份有限公司_202511308229.6
    本发明涉及电路板加工自动化设备领域， 公开了一种电路板贴片机以及点胶机构， 包括支架， 支架的顶部安装有定位器， 定位器的外部通过螺钉安装设置有取料器， 取料器包括安装台与定位板， 安装台的顶部安装设置有气压泵， 且安装台内设有与气压泵输出...
    2025-11-22
  • 一种无干预Mes追溯方法及装置
    一种无干预Mes追溯方法及装置_浪潮智能终端有限公司_202510671377.8
    本发明涉及智能制造与工业物联网技术领域， 具体提供了一种无干预Mes追溯方法及装置， 具有如下步骤：S1、首先使用镭雕机在PCB拼板的每个电路板单元上雕刻一个唯一的SN；S2、镭雕过程中， 根据SOP顺序将SN数据上传至MES服务器；S3、...
    2025-11-22
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811657.4
    本申请提供一种半导体器件的制备方法， 通过在形成隔离材料层之前， 先在沟槽中淀积一层致密且均匀的辅助介质层， 可以避免后续多道湿法清洗工艺损耗有源区边缘区域(浅沟槽隔离结构边缘区域)的隔离材料层中出现凹坑缺陷的情况， 从而避免了后续自对准淀...
    2025-11-22
  • 管理半导体器件中的存储节点接触结构
    管理半导体器件中的存储节点接触结构_长江存储科技有限责任公司_202410431311.7
    本公开涉及半导体器件中的存储节点接触结构及其制造方法。示例性半导体器件包括存储器单元阵列。存储器单元阵列包括沿第一方向布置的第一行存储器单元。第一行存储器单元中的至少一个存储器单元包括沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的第一垂直晶体管、第一存储...
    2025-11-22
  • 半导体装置与其制作方法
    半导体装置与其制作方法_南亚科技股份有限公司_202411098080.9
    一种半导体装置， 包含具有主动区以及在主动区之间的隔离区的基板、设置在主动区上的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上的间隔物结构、设置在位元线结构之间的埋入式接触件、设置在埋入式接触件上以及在间隔物结构的侧壁上的阻障层、设置在埋入式接触件上...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511240346.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、电子设备；其中， 半导体结构的形成方法包括：提供衬底；衬底包括沿第一方向排列的多个存储区域；在存储区域的表面形成堆叠结构；堆叠结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布、且沿第一方向延伸的多个晶体管；沿...
    2025-11-22
  • 存储器装置以及其制作方法
    存储器装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410497025.0
    本发明公开一种存储器装置以及其制作方法， 其中该存储器装置包括半导体基底、浮置栅极以及抹除栅极。浮置栅极与抹除栅极设置在半导体基底之上， 且抹除栅极包括主体部以及第一分支部。主体部沿第一水平方向延伸， 而第一分支部沿第二水平方向延伸且与主体...
    2025-11-22
  • 多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法
    多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779418.5
    本发明公开了一种多晶硅‑绝缘层‑多晶硅堆叠电容结构及其制造方法， 属于半导体制造技术领域。该结构包括：半导体衬底、其上的浮栅、浮栅上的栅间介质层及栅间介质层上的控制栅。浮栅的预定区域表面未形成自对准金属硅化物并形成有至浮栅的接触， 而控制栅...
    2025-11-22
  • 解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法
    解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782354.4
    本申请公开了一种解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法， 旨在解决现有技术中去除单元区硬掩膜层时， 外围逻辑区栅极多晶硅易受损的问题。该方法包括：在栅极多晶硅层上沉积保护层；对单元区处理以去除其内的保护层和栅极多晶硅层；然后去除单元区的硬掩...
    2025-11-22
  • ETOX NOR型闪存器件的制备方法
    ETOX NOR型闪存器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815946.1
    本申请提供一种ETOX NOR型闪存器件的制备方法， 在形成轻掺杂漏区之后， 在存储区的半导体结构表面和外围逻辑区的半导体结构表面涂覆一旋涂介质层， 本申请利用存储区的半导体结构和外围逻辑区的半导体结构之间的高度差以及旋涂介质层在图形化区域...
    2025-11-22
  • 应用于存储器件制作过程中的工艺方法
    应用于存储器件制作过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811718.7
    本申请公开了一种应用于存储器件制作过程中的工艺方法， 包括：提供一衬底， 该衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域， 第一区域用于形成存储单元， 第二区域用于形成逻辑器件， 第一区域的衬底上形成有第一氧化物层， 第二区域的衬底...
    2025-11-22
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