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最新专利技术
  • 一种交流电弧试验装置
    一种交流电弧试验装置_沈阳变压器研究院有限公司_202511226491.6
    本发明提供了一种交流电弧试验装置，该装置中固定电极和可移动电极为竖直方向布置，在进行电弧试验时，可移动电极自身会有一个向下的重力；可移动电极的上方还连接有导线，因此可移动电极还会存在一个向上的拉力；在燃弧反应中，固定电极和可移动电极之间会产...
    2026-02-06
  • 双脉冲测试方法及测试电路
    双脉冲测试方法及测试电路_华润微电子(重庆)有限公司_202410551624.6
    本发明涉及一种双脉冲测试方法及测试电路，所述方法包括：提供双脉冲测试电路；双脉冲测试电路包括充能电路和谐振电路，谐振电路是半桥型LC谐振电路或全桥型LC谐振电路，充能电路包括电源和母线电容；通过电源对母线电容充能；响应于母线电容充能至目标电...
    2026-02-06
  • 一种用于功率模块的导电性检测装置
    一种用于功率模块的导电性检测装置_江苏芯华睿微电子有限公司_202510785828.0
    本发明公开了一种用于功率模块的导电性检测装置，属于功率模块导电性检测技术领域，包括机身以及安装在机身上的连接组件，连接组件上安装有夹持组件，连接组件上安装有摄像组件，连接组件上安装有支撑架，支撑架上转动安装有显示器，显示器上安装有转块，支撑...
    2026-02-06
  • 基于功率循环测试的半导体器件寿命评估方法及相关设备
    基于功率循环测试的半导体器件寿命评估方法及相关设备_合肥工业大学_202510797931.7
    本申请实施例公开了一种基于功率循环测试的半导体器件寿命评估方法及相关设备，该方法包括将同一厂家同一批次生产的半导体器件分为两份，并对其中一份执行秒级功率循环测试，对另外一份先执行毫秒级功率循环测试再执行秒级功率循环测试；根据其中一份的测试结...
    2026-02-06
  • 一种基于天牛须算法优化粒子滤波的IGBT寿命预测方法
    一种基于天牛须算法优化粒子滤波的IGBT寿命预测方法_桂林电子科技大学_202510812278.7
    本发明公开了一种基于天牛须算法优化粒子滤波的IGBT寿命预测方法，通过拟合失效特征参数老化数据的退化模型，确定模型参数，根据粒子滤波原理构建状态方程和观测方程，根据实时测量数据替换预测时数据来完成观测方程的参数调整，利用天牛须算法优化粒子滤...
    2026-02-06
  • 一种晶圆测试图数据自动转换方法
    一种晶圆测试图数据自动转换方法_东莞市利扬微电子有限公司_202510896783.4
    本发明涉及晶圆测试技术领域，公开了一种晶圆测试图数据自动转换方法，通过引入对测试设备名称、测试流程和探针卡测试点数量的综合判断逻辑，有效解决了现有技术中因测试设备差异导致晶圆测试图数据无法自动转换和整合的问题。首先，通过判断测试设备名称是否...
    2026-02-06
  • 一种功率模块结温估算方法
    一种功率模块结温估算方法_一巨自动化装备(上海)有限公司_202511010410.9
    本发明公开了一种功率模块结温估算方法，包括基于输入的三相电流、三相占空比、母线电压、扇区位置，以及载波频率，计算功率元器件的总损耗；根据得到的总损耗与实时采集的DBC温度，通过温差法估算冷却水流量；基于得到的总损耗、冷却水流量，以及实时DB...
    2026-02-06
  • 一种测试样品及其制备方法、电性测试方法
    一种测试样品及其制备方法、电性测试方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511018583.5
    本发明提供一种测试样品及其制备方法、电性测试方法，测试样品的制备方法包括：提供一待测试样品和载体片，对待测样品进行去层处理至目标器件层，载体片具有光滑的承载面；在承载面上涂抹银浆，以获得银浆层，银浆层包括主体区域和通道区域，通道区域具有连接...
    2026-02-06
  • 一种阵列光电探测器高通量自动测试系统及其方法
    一种阵列光电探测器高通量自动测试系统及其方法_南京邮电大学_202511023793.3
    本发明公开了一种阵列光电探测器高通量自动测试系统及其方法，系统通过主控计算机经USB控制测试源表输出扫描电压信号，并驱动矩阵开关切换通道；每个开关板卡支持40路单线控制，双板卡协同实现40×40阵列的XY寻址测试。测试模式包括：自动化I‑V...
    2026-02-06
  • 抑制陷阱效应的AlGaN/GaN HEMT器件的沟道温度测试方法
    抑制陷阱效应的AlGaN/GaN HEMT器件的沟道温度测试方法_西安电子科技大学_202511062319.1
    本发明公开了一种抑制陷阱效应的AlGaN/GaN HEMT器件的沟道温度测试方法，包括：在黑暗条件，测量室温下被测器件在第一静态偏置点的第一脉冲输出特性曲线、在第二静态偏置点的第二脉冲输出特性曲线，对被测器件施加不同于室温的其他温度，测量该...
    2026-02-06
  • 一种柔性薄膜器件测试装置及系统
    一种柔性薄膜器件测试装置及系统_季华实验室_202511209434.7
    本申请涉及柔性薄膜器件测试技术领域，具体提供了一种柔性薄膜器件测试装置及系统，该装置包括：机箱，其内设有循环换气通道和实验腔体；加热组件，设置在循环换气通道内且位于实验腔体下方；冷却组件，设置在循环换气通道内且位于实验腔体上方；载物台，转动...
    2026-02-06
  • 一种晶圆检测系统及方法
    一种晶圆检测系统及方法_英汉思(苏州)技术有限公司_202511222971.5
    本发明公开了一种晶圆检测系统及方法。该系统包括：运动控制组件、探针检测平台及控制模块；所述运动控制组件上设置晶圆；所述探针检测平台上包括多个探针；所述运动控制组件，用于在所述控制模块输出的电流控制指令下带动所述晶圆向所述探针检测平台靠近以使...
    2026-02-06
  • 一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台
    一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台_浙江广芯微电子有限公司_202511349114.1
    本发明公开了一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台，涉及半导体器件老化测试相关领域，包括：获取COOLMOS的规格信息并部署物理测试场景；连接自动化测试平台并引入逻辑测试插件，基于物理测试场景初始化逻辑测试插件，自动化测试平台对COO...
    2026-02-06
  • 一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统
    一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511366721.9
    本发明公开了一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统，涉及半导体领域，解决了现有半导体器件测试数据分析系统存在分析效果不佳的问题，包括：电学指标模块：对处于电学指标测试周期的样本半导体器件进行多种电学指标测试，根据测试结果获取周期电学指标排序队...
    2026-02-06
  • 一种双脉冲测试方法
    一种双脉冲测试方法_武汉羿变电气有限公司_202511368404.0
    本发明公开了一种双脉冲测试方法，涉及功率模块测试技术领域，包括下述步骤：S1、搭建双脉冲测试平台；S2、参数设置；S3、执行双脉冲测试；S4、导出测试参数；S5、参数验证。该双脉冲测试方法，通过优化测试平台设计，有效减少电磁干扰，确保波形与...
    2026-02-06
  • 氧传感器片芯及涂层的微裂纹检测方法、装置及介质
    氧传感器片芯及涂层的微裂纹检测方法、装置及介质_中国第一汽车股份有限公司_202510752746.6
    本发明实施例公开一种氧传感器片芯及涂层的微裂纹检测方法、装置及介质，属于氧传感器技术领域。本发明实施例一方面集成有热循环、水环境、机械振动三模态激励，能够覆盖氧传感器90%以上的真实应用工况，并满足大规模生产中的快速质检需求，优化的检测流程...
    2026-02-06
  • 芯片测试方法、装置、系统及半导体测试设备
    芯片测试方法、装置、系统及半导体测试设备_深圳市辰卓科技股份有限公司_202510835378.1
    本申请提供了一种芯片测试方法、装置、系统及半导体测试设备，涉及半导体测试领域。该方法包括：获取上位机发送的测试指令，并基于测试指令确定待测试的至少一个被测芯片；在半导体测试设备与各被测芯片之间建立相应的测试通道；基于已建立的对应于不同被测芯...
    2026-02-06
  • 自动控温的芯片测试系统
    自动控温的芯片测试系统_广东东勤科技有限公司_202510880325.1
    本申请实施例提供一种自动控温的芯片测试系统。该系统包括：主机设备、温控板、以及至少一个筛片背板；其中，筛片背板设置有芯片；主机设备分别与温控板、筛片背板连接，温控板与筛片背板连接；温控板，用于根据主机设备传输的控制指令控制筛片背板上的芯片达...
    2026-02-06
  • 芯片老化预测方法、装置、设备和存储介质
    芯片老化预测方法、装置、设备和存储介质_飞腾信息技术有限公司_202510883849.6
    本申请提供了一种芯片老化预测方法、装置、设备和存储介质，所述方法应用于芯片硅后测试阶段或芯片使用阶段，所述方法包括：获取所述芯片处于工作状态的电压、环境温度、运行时长，以及频率退化率趋势影响因子，所述频率退化率趋势影响因子与测试芯片频率时所...
    2026-02-06
  • 芯片老化补偿方法、装置、设备和存储介质
    芯片老化补偿方法、装置、设备和存储介质_飞腾信息技术有限公司_202510885142.9
    本申请提供了一种芯片老化补偿方法、装置、设备和存储介质，所述方法应用于芯片硅后测试阶段或芯片使用阶段，所述方法包括：获取所述芯片的频率退化率；在所述芯片的频率退化率大于预设阈值的情况下，基于所述芯片的频率退化率与补偿电压之间的对应关系，获取...
    2026-02-06
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