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最新专利技术
  • 一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用
    一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用_同济大学_202511534836.4
    本发明涉及一种具有双热输运行为的Cs3Bi2I9单晶材料及其制备方法与应用，属于单晶材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将CsI和BiI3按化学计量比混合研磨均匀后转移至石英管中，抽真空封装，依次进行高温熔融、淬火和退火，得到致密度不小...
    2025-12-02
  • 一种双热屏单晶炉
    一种双热屏单晶炉_宁夏大学_202511216318.8
    本发明公开了一种双热屏单晶炉，属于光伏设备单晶硅生长技术领域，本发明在单晶炉内引入双热屏结构，对熔体自由表面附近的氩气流动路径进行导流，进而消除热屏外侧的氩气涡流，避免了挥发的杂质气体在热屏外侧沉积后回落入熔体中造成熔体污染与“断晶”的风险...
    2025-12-02
  • 一种CCZ用新型下料结构及控制方法
    一种CCZ用新型下料结构及控制方法_包头美科硅能源有限公司_202511175858.6
    本发明涉及CCZ下料技术领域，具体涉及一种CCZ用新型下料结构及控制方法，包括导流筒、输料管、下料管、摆动机构和刮料机构，导流筒能够竖直移动的安装于单晶炉内，导流筒侧壁设置有支管，导流筒与下料管顶部一侧通过支管固定连接且相互连通，下料管和导...
    2025-12-02
  • 一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统
    一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统_上海新昇半导体科技有限公司_202511543879.9
    本发明提供一种单晶炉加料卡扣定时回弹系统，本发明的单晶炉加料卡扣定时回弹系统包括加料卡扣机构，包括可相对转动的两个连接板；齿轮组件，包括计时组和闹铃控制组；传动杆组件，传动杆组件一端与加料卡扣机构连接，另一端与齿轮组件联动；其中，当加料卡扣...
    2025-12-02
  • 大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法
    大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511206934.5
    本发明涉及单晶硅棒的制备技术领域，公开了大比例颗粒硅制备N型单晶硅棒的方法，包括：将硅料和掺杂剂于坩埚中化料后进行提拉单晶；硅料包括N型颗粒硅和循环料，二者之比为55~65 : 35~45；化料和补料过程中设置操作参数：温度为1300℃~1...
    2025-12-02
  • 一种防止单晶掉落的引晶工艺
    一种防止单晶掉落的引晶工艺_宁夏中环光伏材料有限公司_202410605245.0
    本发明提供一种防止单晶掉落的引晶工艺，包括以下步骤：在第一引晶阶段内，以第一缩颈速度进行缩颈，直至籽晶缩颈至第一直径；在第二引晶阶段内，以第二缩颈速度进行缩颈，直至所述籽晶缩颈至第二直径；在第三引晶阶段内，保持所述第二直径不变进行引晶，直至...
    2025-12-02
  • 一种氮气加热装置及采用其的抽真空方法
    一种氮气加热装置及采用其的抽真空方法_苏州信越半导体有限公司_202511165941.5
    本发明提供了一种氮气加热装置及采用其的抽真空方法，所述氮气加热装置包括烘烤箱、烘烤组件和氮气加热组件；烘烤箱的一端为敞口端；烘烤箱靠近敞口端的一侧对称设置有至少两个烘烤组件；烘烤箱远离敞口端的一侧设置有进气口，进气口通过进气管路外接有氮气源...
    2025-12-02
  • 畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法
    畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法_北京石墨烯研究院_202410643199.3
    本发明公开了一种畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法。该方法包括：对石墨烯生长基底加热预处理，使所述基底表面出现预熔融状态；通入碳源、含氧助剂，进行石墨烯的生长，得到所述石墨烯晶畴；其中，所述预处理的气氛为惰性气氛；所述预熔融状态是指升温过...
    2025-12-02
  • 一种MOCVD喷淋器
    一种MOCVD喷淋器_中国科学院电工研究所_202511246753.5
    本发明公开一种MOCVD喷淋器。所述MOCVD喷淋器包括喷淋腔、扩散板、隔热板、喷淋板和氧气板，所述喷淋腔、所述扩散板、所述隔热板、所述喷淋板和所述氧气板从上之下依次设置，其中所述喷淋板上设置有多个沿长度方向排列的长条形喷淋孔，所述长条形喷...
    2025-12-02
  • 半导体设备的温度控制装置和温度控制方法
    半导体设备的温度控制装置和温度控制方法_研微(江苏)半导体科技有限公司_202511143380.9
    本申请提供了一种半导体设备的温度控制装置和温度控制方法。该温度控制装置包括：加热元件组，包括多个加热元件，多个加热元件包括至少一个上加热元件和至少一个下加热元件，加热元件组对应于半导体设备中的一个加热区域；温度传感器，对应于加热区域而设置，...
    2025-12-02
  • 一种单层二硫化钼薄膜的制备方法
    一种单层二硫化钼薄膜的制备方法_西交利物浦大学_202511196863.5
    本申请涉及一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将钼源与钠钙玻璃熔融共混，使钼源嵌入钠钙玻璃的网络结构中，得到具有嵌入式钼源的钠钙玻璃，所述钼源为钼酸钠；S2、清洗具有嵌入式钼源的所述钠钙玻璃表面；S3、将具有嵌入式钼源的所述...
    2025-12-02
  • 一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件
    一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件_中国科学院理化技术研究所_202410640994.7
    本发明涉及磁光晶体技术领域，尤其涉及一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件。所述硼酸锌晶体为Zn4B6O13晶体，所述硼酸锌晶体作为磁光晶体的应用。本发明提供Zn4B6O13晶体的应用，Zn4B6O13晶体具有大的Verdet系数，同时...
    2025-12-02
  • 一种复合材料、半导体材料
    一种复合材料、半导体材料_华东理工大学_202410660498.8
    本发明公开了一种复合材料和半导体材料。所述复合材料包括具有非常规化学计量比的化合物NaCl2和带有正电位的纳米材料基底层。所述半导体材料包含所述的复合材料，其在常温常压条件下具有宽带隙，可应用于高频器件、光电器件、量子材料等多个领域。
    2025-12-02
  • 一种复合材料、半导体材料
    一种复合材料、半导体材料_华东理工大学_202510686663.1
    本发明公开了一种复合材料和半导体材料。所述复合材料包括具有非常规化学计量比的化合物和基底层，所述化合物由Ⅰ‑Ⅶ族元素组成，Ⅰ族元素与Ⅶ族元素的化学计量比为1 : 2，所述基底层为带有正电位的纳米材料。所述半导体材料包含所述复合材料或所述具有...
    2025-12-02
  • 一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用
    一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用_东华大学_202510964471.2
    本发明涉及一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：1)将铝源、串联催化剂、氧化抑制剂、粘结剂经涡流旋转喷雾造粒，获得前驱体颗粒；2)对前驱体颗粒进行负压抽吸，使其均匀分布在孔道型反应衬底上，获得预反应衬底...
    2025-12-02
  • 一种二硒化铂及其制备方法和应用
    一种二硒化铂及其制备方法和应用_季华实验室_202511535388.X
    本发明属于二维薄膜材料生长制备技术领域，公开了一种二硒化铂及其制备方法和应用，该二硒化铂的形貌为四方单晶、具有枝晶特征的纳米结构、薄片或连续薄膜。本发明在形貌与产物形态创新上，不仅制备出形貌为四方单晶的二硒化铂，为充分发挥其潜在的不同光电器...
    2025-12-02
  • 一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法
    一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法_武汉高芯科技有限公司_202511055261.8
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上外延生长缓冲层；S3、在所述缓冲层上依次外延生长若干周期的InAs/GaSb超晶格结构，且一个周期...
    2025-12-02
  • 一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法
    一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202511206528.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上依次外延生长若干周期的InAs/GaSb超晶格结构，其中，每个周期的InAs/GaSb超晶格结构均包括...
    2025-12-02
  • 金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件
    金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件_深圳大学_202510912124.5
    本申请提供了一种金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件。所述制备方法包括如下步骤：选择原材料；对材料进行离子辐照处理；对材料进行等离子体处理；对材料进行退火处理。本申请金刚石衬底的制备方法包括离子辐照处理，通过缺陷诱导导电网络、掺杂协...
    2025-12-02
  • 碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件
    碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件_深圳大学_202510916691.8
    本申请提供了一种碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底和半导体器件，所述制备方法包括如下步骤：对碳化硅衬底原材料进行预处理；对材料进行中子辐照处理；对材料进行退火处理。通过本申请制备方法制备的碳化硅衬底，能够具有比较高的机械性能、导电性、均一性和...
    2025-12-02
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