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一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法
本发明公开一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法,涉及核聚变装置的壁面处理与镀膜领域;供料系统包括若干沿核聚变装置的环形真空室周向均匀布设的供料机构和至少一个储料机构;供料机构包括供料部、第一加热部和动力部;供料部包括一进料端可控连通...
一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器
本申请提供了一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜,是通过低压化学气相沉积法和射频等离子体组合协同沉积覆盖在金属基底上的氮化硅薄膜,氮化硅薄膜的厚度H≥金属基底表面缺陷的轮廓最大高度Rz。制备方法:选取表面缺陷的轮廓最大高度Rz≤R0的金属基...
一种半导体工艺腔室的钝化方法
本发明提供一种半导体工艺腔室的钝化方法,包括:第一沉积步:硅烷气体和氮源气体气氛下,采用化学气相沉积工艺,在腔室的内壁面沉积第一氮化硅层;第二沉积步:卤代硅烷气体和氮源气体气氛下,采用原子层沉积工艺,例如,该原子层沉积工艺可以为等离子体原子...
一种储气罐及压力调节系统
本申请涉及一种储气罐及压力调节系统,该压力调节系统包括:至少两个内部设置有预压结构的储气罐,该预压结构的形态可发生变化,用于调节所述腔室内的压力;切换装置,用于分别连接各储气罐的流气口与工艺腔体,以控制单个储气罐向工艺腔体内供气;控制装置,...
化学气相沉积方法
本申请公开了一种化学气相沉积方法,涉及半导体制造技术领域,所述化学气相沉积方法包括:S100、提供具有凹槽的衬底,并将所述衬底置于反应腔室内;S200、执行沉积操作,所述沉积操作被配置为向所述反应腔室内提供反应气体,所述反应气体经过反应后的...
用于气体分配的方法和装置
本发明涉及用于气体分配的方法和装置。本技术的各种实施例可以提供一种喷淋头板,该喷淋头板具有:第一表面和相对的第二表面;第二表面中的圆形切口,其中切口包括在第二表面处具有第一直径的开口和从竖直轴线径向向外突出并形成第二直径的凹槽,其中第二直径...
用于处理系统部件表面改性的方法、系统和装置
在一个方面,本文公开了用于改性部件表面的方法、系统和装置,包括:使表面与激光束接触,表面包括半导体工具制造部件;响应于接触而改性表面,其中改性表面包括通过微机械加工、蚀刻、烧蚀、电离、阳极化、氧化、纹理化或粗糙化或者其组合在表面中形成功能特...
一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置
本发明公开了一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置,包括:下腔体、下电极、上腔体、扩散导流分布机构和气体输送部件。上腔体固定设置于下腔体的上方。扩散导流分布机构设置于上腔体内,扩散导流分布机构包括固定设置于上腔体内部下方的扩散导流部...
一种用于镀膜的载具装置
本发明公开了一种用于镀膜的载具装置,包括载具,所述载具的一端固定有用于向载具内输送气体的喷淋板,所述喷淋板内设有用于与工艺腔室内的进气口连通的气道组件。本发明的用于镀膜的载具装置具有使用寿命长、维护便捷性高、维护周期长和稳定性好的优点。
一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法
本发明公开了一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法,反应设备包括反应腔体,反应腔体的上下两侧分别设有进气口和抽气口,反应腔体内侧上方设有喷淋匀流板,且喷淋匀流板与进气口连通,以实现工艺气体经喷淋匀流板匀流扩散后再分布至反应腔体内;反应腔体内设有...
一种气体传输组件和半导体器件的加工设备
本发明公开了一种气体传输组件和半导体器件的加工设备。该气体传输组件包括:进气部,包括第一本体及进气面板,第一本体背向加热盘的第一侧设有进气口以连接工艺气源,进气面板为圆弧形,其被设于第一本体朝向加热盘的第二侧以环绕于加热盘的第一侧,进气面板...
一种工艺冷却水系统、控温方法及设备
本申请涉及一种工艺冷却水系统、控温方法及设备,通过设计热交换块、分水块以及冷却块,热交换块利用分水块流出的第一温度水,将输入的常温冷却水预热为第二温度水;分水块将第二温度水流入目标设备,并接收被加热形成的第一温度水;冷却块接收第一温度水,对...
一种喷淋盘及一种喷淋头
本发明提供了一种喷淋盘以及一种喷淋头。该喷淋盘的第一表面朝向该喷淋头的进气口,喷淋盘的第二表面朝向工艺腔室。该喷淋盘的第二表面设有至少一个凸起部,在凸起部的侧面设有多个第一喷淋孔。
一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备
本发明涉及一种一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备,其中,该喷淋头包括:一体成型的喷淋本体,所述喷淋本体的第一侧被设置为进气侧、第二侧被设置为出气侧,所述喷淋本体位于靠近所述出气侧的内部开设有呈网格状纵横交错、并相互连通以形成...
加热盘、顶针拆装方法及存储介质
本发明提供了一种加热盘、一种顶针拆装方法及一种计算机可读存储介质。所述加热盘包括加热盘本体、加热盘盖体及多个顶针及多个重锤组件。所述加热盘本体上设有多个第一通孔。所述第一通孔的第一尺寸大于重锤组件的第二尺寸。所述加热盘盖体覆盖于所述加热盘本...
基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备
本公开提供一种基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备。所述扩散沉积方法在沉积过程中,每两片晶圆为一组,共同置于晶舟的同一平面的承载位上,同一组的两个晶圆以沉积面相背离的方式叠置,两个晶圆之间放置有预制的隔离材料层,所述隔离材料层为不同于晶圆材...
用于在衬底上涂覆半导体层的方法
本发明涉及一种用于在衬底(4)上制造半导体层的方法,其中,利用通向处理室(1)的进气构件(2)将工艺气体进料到处理室,其中,将一种或多种工艺气体进料到处理室(1),通过一个或多个发射线圈(5)产生交变电磁场,通过所述交变电磁场将承载衬底(4...
一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备
本发明公开了一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备。该加热盘结构包括:第一盘体,用于盛放晶圆;第二盘体,位于所述第一盘体下方,与所述第一盘体间隙配置,所述第二盘体上设有中心抽气口,且所述中心抽气口的抽气中心与所述晶圆同心,用于在沉积工艺结束后...
一种快速CVD涂层一致性AI自控方法
本发明公开的属于CVD涂层技术领域,具体为一种快速CVD涂层一致性AI自控方法,包括具体步骤如下:对CVD过程中的各种物理参数和涂层特性数据进行采集和预处理;对预处理后的数据进行特征重要性分析,确定对涂层厚度、涂层成分造成影响的传感器数据;...
一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法
本发明提出一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法,通过多区静电卡盘承载晶圆,且在静电卡盘的每一温控分区内同时布设温度传感器与加热/制冷执行单元,并利用多通道背吹惰性气体供压模块对各分区背氦压力进行独立调节;再借助工艺功率监测接口...
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