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最新专利技术
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411291361.6
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，存储单元包括：器件柱，所述器件柱具有沿所述器件柱的轴向相背的第一端和第二端；栅极结构，所述栅极结构沿周向围绕所述器件柱，沿所述器件柱的轴向，所述栅极结构与所述第一端和所述第二端均分离...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其形成方法、存储阵列
    半导体结构及其形成方法、存储阵列_芯盟科技有限公司_202411291370.5
    一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中方法包括：提供衬底；在第一表面上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，形成具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层；以具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层为掩膜，沿第一表面对部分有源区和部分隔离区进行刻...
    2026-03-23
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411294623.4
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数行以及偶数行沿第二方向交替排布；列，包括沿第二方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数列以及偶...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411294633.8
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，该半导体结构包括：有源柱阵列；有源柱阵列的相邻的两行有源柱之间的有源柱、相邻的两列有源柱之间的有源柱均相互错开；每一有源柱包括垂直方向设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线...
    2026-03-23
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411294648.4
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅结构，控制1个第一沟道柱组中的每个第一沟道柱；第二字线栅结构，控制1个第二沟道柱组中的每个第二沟道...
    2026-03-23
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411294655.4
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，所述存储单元包括：器件柱、周向围绕所述器件柱的栅极结构、位于所述器件柱靠近所述第一端的一侧的存储电容以及位于所述器件柱靠近所述第二端的一侧的互连台。所述存储单元的面积较小，能够有效提...
    2026-03-23
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411294662.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干第一有源区和若干第二有源区，第一有源区和第二有源区交替排列，衬底第二面的第一有源区包括相互分立的第一分部和第二分部，衬底第二面的第二有源区包括相互分立的第...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置
    垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526452.3
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式场效应晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线、位于位元线上且嵌入字元线中的多个半导体鳍片、物理性接触各个半导体鳍片的一个侧壁的主体线，以及包覆主体线的绝...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置
    垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526630.2
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元、连接鳍式字元线的鳍片连接件和位于鳍片连接件上的共同字元线...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置
    垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526873.6
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元线和连接鳍式字元线的共同字元线，其中鳍式字元线部分覆盖半导...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及半导体装置
    半导体存储装置及半导体装置_铠侠股份有限公司_202510175262.X
    实施方式提供能够制造高品质的半导体装置的半导体存储装置及半导体装置。实施方式的半导体存储装置具备：氧化物半导体，沿着上下方向延伸；第1电极，包括第1导电体，该第1导电体包含第1氧化物导电材料，且与所述氧化物半导体的上端连接；栅极电极，隔着栅...
    2026-03-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510920240.1
    一种半导体存储器件包括：有源区，在垂直方向上与基板间隔开并在第一方向上延伸，有源区包括掩埋接触、沟道区和直接接触；字线，围绕沟道区并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；电容器，包括第一电极，第一电极包括电极支撑部分和主电极部分，电极支撑部分连...
    2026-03-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510921520.4
    一种半导体存储器件包括：具有上表面的衬底；有源区，在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与衬底间隔开，并且在平行于衬底的上表面的第一横向方向上延伸；字线，至少部分地围绕有源区且在平行于衬底的上表面且垂直于第一横向方向的第二横向方向上延伸；电容器，...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510962756.2
    半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面的模结构、以及在位线上并且分别在模结构的第一侧表面和第二侧表面上的第一垂直半导体图案和第二垂直半导体图案。模结构的第一侧表面和第二侧表...
    2026-03-23
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511173799.9
    一种半导体存储器装置包括衬底、在衬底上在第一方向上堆叠的多条字线、在第一方向上在相邻的字线之间并在第二方向上延伸的沟道区、在沟道区的第一侧的第一源极/漏极区、在沟道区的第二侧的第二源极/漏极区、在衬底上在第一方向上延伸并分别连接到第一源极/...
    2026-03-23
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510253697.1
    本公开提供半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备包括在第1方向上交替地设置的多个电极层和多个第1绝缘膜的层叠膜。所述装置还具备柱状部，该柱状部在所述层叠膜内沿所述第1方向延伸，并且包括隔着第2绝缘膜设置于所述层叠膜的侧面的...
    2026-03-23
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510259251.X
    本发明提供一种能够容易地形成高纵横比的图案的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置1具备：第1结构体；第1柱状体，在所述第1结构体内沿第1方向延伸；第2结构体；第2柱状体，在所述第2结构体内沿所述第1方向延伸；以及贴合面，介...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411290251.8
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括堆叠结构和第一介质层。堆叠结构包括至少两个存储区以及设置在相邻的两个存储区之间的栅极隔槽结构，栅极隔槽结构沿第一方向延伸，并沿第二方向贯穿堆...
    2026-03-23
  • 半导体结构的形成方法及中间结构体
    半导体结构的形成方法及中间结构体_浙江创芯集成电路有限公司_202511878368.2
    本发明提供一种半导体结构的形成方法及中间结构体，所述方法包括：形成基底，基底上具有相互间隔且凸起的控制栅结构；在基底上形成保形覆盖的初始浮栅层；在初始浮栅层的表面旋涂初始抗反射层和初始硬掩模层；沿控制栅结构的延伸方向，间隔刻蚀初始硬掩模层和...
    2026-03-23
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411195282.5
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括第一区；形成位于第一区上的浮栅结构、位于浮栅结构上的控制栅结构以及位于控制栅结构与浮栅结构之间的控制栅介质结构；在衬底上形成掩膜层，具有第一开口，暴露出第一区的部分控制栅结构；去除第一开口...
    2026-03-23
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