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最新专利技术
  • 一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统
    一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511787690.4
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统。复合焊带包括第一焊带、绝缘带和第二焊带，第一焊带、绝缘带和第二焊带沿第一方向延伸，且沿第二方向依次接触排列；第一焊带包括第一导电件和若干第一绝缘件，第一绝缘件设...
    2026-03-22
  • 一种二类超晶格探测器及其制备方法
    一种二类超晶格探测器及其制备方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511864602.6
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种二类超晶格探测器及其制备方法，包括生长在硅衬底上的锗层，和在锗层上形成的砷化镓层；所述砷化镓层上交替生长有Ⅲ‑Ⅴ族半导体化合物。采用本发明方法制得的二类超晶格材料，应用到红外探测器后能形成高分辨率图像，...
    2026-03-22
  • 光电器件及其制备方法、光电检测装置
    光电器件及其制备方法、光电检测装置_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411294609.4
    本申请提供一种光电器件及其制备方法、光电检测装置，可以降低器件的暗计数率。光电器件，包括：基板；工作区，位于基板中，工作区包括第一导电类型的第一阱区、第二阱区和第一高掺区，以及，具有第二导电类型的第三阱区，第四阱区和第二高掺区，其中，第三阱...
    2026-03-22
  • 一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列
    一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511889642.6
    本发明提供的一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列，包括：电极层，其内设置有第一开窗区；顶部反射镜，其设置于第一开窗区内，顶部反射镜的入射一侧对具有目标波长的光的透过率高于预设的透过率阈值，且出射一侧对目标波长的光的反射率高于预设的反...
    2026-03-22
  • 一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用
    一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用_中国科学院金属研究所_202510802500.5
    本发明涉及智能机器视觉系统中光电探测器的设计与应用领域，具体为一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用。该光电晶体管在栅极结构中引入光电二极管，作为光敏层嵌入器件体系，实现光强驱动下二极管电导的动态调制，进而调控栅电压在器件栅介质层与沟...
    2026-03-22
  • 一种基于LLTO离子栅的光电突触器件及其制备方法
    一种基于LLTO离子栅的光电突触器件及其制备方法_华南师范大学_202511813152.8
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种基于LLTO离子栅的光电突触器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、栅介质、沟道，以及间隔设置在所述沟道上方的源电极和漏电极；所述栅介质的材质为钛酸镧锂，所述沟道的材质为二维半导体薄膜。本发明所述的光电突触器...
    2026-03-22
  • 一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法
    一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法_北京工业大学_202511892079.8
    一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法，涉及二维光电器件技术领域。包括图案化底栅电极、二维铁电材料层、绝缘电介质层、二维半导体沟道层、源漏电极及上层绝缘保护层，形成非对称铁电浮栅结构。利用铁电浮栅与沟道之间的半浮栅耦合作用，器件能...
    2026-03-22
  • 单片三维集成光电探测器及其制备方法
    单片三维集成光电探测器及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610030161.8
    本公开提供了一种单片三维集成光电探测器及其制备方法。制备方法包括：在作为光电探测器的基底的读出集成电路上形成隔离钝化层；在隔离钝化层中形成源极导电通孔、漏极导电通孔和底栅接触孔；沉积导电材料并进行平坦化处理，导电材料填充在源极导电通孔、漏极...
    2026-03-22
  • 雪崩光电探测器芯片及光接收模块
    雪崩光电探测器芯片及光接收模块_华为技术有限公司_202411294274.6
    本公开公开了雪崩光电探测器芯片及光接收模块，属于光电转换技术领域。雪崩光电探测器芯片包括沿着光透射方向依次分布的多层光接收单元，每一光接收单元包括P型接触层、N型接触层以及层叠布置于P型接触层和N型接触层之间的吸收层、电荷层和倍增层。沿着光...
    2026-03-22
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411519387.1
    一种影像感测器，包含相位检测自动对焦单元。相位检测自动对焦单元包含多个光电二极管，以及设置于光电二极管中的一群组上的混合式彩色滤光器。混合式彩色滤光器包含直接接触彼此的第一材料与第二材料，第一材料的消光系数实质上与第二材料的消光系数相同，且...
    2026-03-22
  • 一种图像传感器形成方法及图像传感器
    一种图像传感器形成方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202411204829.3
    本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：对应于所述图像传感器的每个像素单元形成至少两个垂直转移晶体管，刻蚀所述图像传感器同一像素单元的两个垂直转移晶体管外侧的半导体衬底，以及与所述垂直转移晶体管相邻的浮置扩散区外侧的半导体衬底，以降低所述浮...
    2026-03-22
  • 光电传感器及探测设备
    光电传感器及探测设备_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411246904.2
    本申请公开一种光电传感器及探测设备，属于光电探测技术领域。光电传感器包括基板、电路板、晶片和封装盖板，基板的表面设有开槽，电路板和晶片均设置于开槽内，晶片设置于电路板背向基板的一侧，封装盖板设置于基板的表面，以封闭开槽，晶片与封装盖板相对；...
    2026-03-22
  • 背照式图像传感器及其制造方法
    背照式图像传感器及其制造方法_DBHiTek株式会社_202411601319.X
    本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，尤其涉及一种通过在基板的相隔空间内形成上部导电膜但是不在所述基板的背面上形成，可以在焊盘区域内使得在基板的背面上形成的结构体的厚度相对变薄并借此事先防止在所述基板上形成带状条纹，而且还可以事先防止...
    2026-03-22
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511000582.8
    公开了图像感测装置。在实施方式中，一种图像感测装置包括：基板，其包括第一表面和与第一表面面对或相对的第二表面；多个光电转换区域，其在基板内彼此相邻布置，并且被配置为将通过第一表面接收的入射光转换为光电荷；像素隔离结构，其被配置为将基板内的光...
    2026-03-22
  • 一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元
    一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元_西安邮电大学_202511907378.4
    本发明提出了一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元及其制备方法，包括半导体衬底、设置于衬底上的多层结构以及偏振响应单元。所述多层结构抗反射层、填平层和微透镜层。偏振响应单元采用基于背向散射技术的全介质型亚波长光栅，其与深沟槽隔离结...
    2026-03-22
  • 一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构
    一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构_上海新微技术研发中心有限公司_202511962817.1
    本申请涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构。该方法包括：S1、对晶圆的背面依次进行光刻、刻蚀处理，形成空腔，空腔的侧壁与晶圆的背面相接处自然形成尖角；S2、对晶圆的整个背面进行刻蚀处理，使尖角转变成圆角；S...
    2026-03-22
  • 一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法
    一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511900707.2
    本申请提供一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法，该探测模块包括管座、陶瓷电路、放大器芯片、硅基板、光电探测器芯片及管帽，通过管座与管帽对光电探测模块进行封装，硅基板通过陶瓷电路与管座电连接，陶瓷电路上设置有多个...
    2026-03-22
  • 光学装置
    光学装置_日月光半导体制造股份有限公司_202511856689.2
    本发明提供一种光学装置，其包括载体、光源、裸片、光导引结构和反射结构。所述载体具有表面。所述光源安置于所述表面上且被配置成发射光束。所述裸片安置于所述表面上且被配置成感测所述光束。所述光导引结构安置于所述表面上且被配置成导引所述光束。所述光...
    2026-03-22
  • 一种光电耦合器制造方法及光电耦合器
    一种光电耦合器制造方法及光电耦合器_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511760050.4
    本申请提供一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，属于光电耦合器制造技术领域，光电耦合器制造方法中，通过第一封装胶封装发光器件形成发射模块，在所述发射模块表面形成出光面；通过第二封装胶封装接收器件形成接收模块，在所述接收模块表面形成入光面；将所...
    2026-03-22
  • 能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法
    能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法_天津工业大学_202411189777.7
    本发明主要研究利用后硒化的方法来改善硫化锑太阳能电池的能带排列。首先，选取适当的原材料和溶剂，利用半水酒石酸锑钾、五水合硫代硫酸钠作为Sb、S的前驱体材料，采用水热沉积法制备硫化锑薄膜。对硫化锑薄膜表面再进行能带工程处理。研究能带工程处理对...
    2026-03-22
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