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  • 本申请提供一种掩模版检测装置及检测方法,涉及光学检测领域,该装置包括承载结构和至少两对夹持组件,承载结构用于承载掩模版并可安装在运动台跟随运动台移动,至少两对夹持组件设置于承载结构相对侧端,任一对夹持组件包括相对的第一夹持组件和第二夹持组件...
  • 公开一种半导体光刻胶组合物及使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法,所述半导体光刻胶组合物包含:有机金属化合物;环状二酮化合物;以及溶剂。
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物、层叠体及图案形成方法。本发明的课题为提供在EB及EUV光刻等使用高能射线的光学光刻中,感度及分辨度优良的抗蚀剂组成物、以及使用了该抗蚀剂组成物的层叠体及图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:...
  • 本发明涉及分离层形成用组合物及层叠体。本发明的课题是提供一种分离层形成用组合物及具备由其形成的分离层的层叠体,所述分离层形成用组合物能够形成可通过光的照射而实现支撑基体从层叠体的分离、并且耐热性得以提高的分离层。本发明的解决手段为:本发明采...
  • 本发明公开一种感光性树脂组合物、感光干膜及印刷线路板,涉及高分子技术领域。按照重量份数计,感光性树脂组合物包括:碱溶性树脂、光聚合单体和光引发剂;感光性树脂组合物在波长为365nm的紫外光下的吸光度为A,感光性树脂组合物在波长为405nm的...
  • 本发明公开了一种光敏树脂组合物及其固化薄膜的延展性调控方法,所述光敏树脂组合物包括光敏树脂体系与弹性改性剂,其中弹性改性剂为邻苯二甲酸酯,且光敏树脂体系与弹性改性剂的质量比为(70‑97) : (3‑30)。调控时,在10‑25 ℃下向光敏...
  • 一种感光性着色树脂组成物,包含着色剂(A)、碱可溶性树脂(B)、光聚合性化合物(C)、光起始剂(D)及溶剂(E)。感光性着色树脂组成物的碘值范围为0.5g/100g至15g/100g,着色剂(A)包括锌酞菁染料(A‑1)。本发明还提供一种包...
  • 一种感光性着色树脂组成物,包含着色剂(A)、碱可溶性树脂(B)、光聚合性化合物(C)、光起始剂(D)及溶剂(E)。感光性着色树脂组成物的碘值范围为0.5g/100g至15g/100g,着色剂(A)包括三苯甲烷系着色剂(A‑1)。本发明还提供...
  • 本发明提供了一种基于铂(II)配合物的化学放大光刻胶及其应用,该化学放大光刻胶包括含保护基团的聚合物树脂、光酸产生剂、酸淬灭剂和溶剂;其中,光酸产生剂包括第一光酸产生剂,第一光酸产生剂包括至少一种铂(II)配合物。本发明通过引入铂(II)配...
  • 本发明涉及低温固化型感光树脂组合物,其包含以下组分:(a)碱水可溶性光固化树脂,30至80重量%;(b)光聚合单体,10至60重量%;(c)光引发剂,0.1至10重量%;(d)偶联剂,0.1至6重量%;(e)其他添加剂,其中各组分的含量均基...
  • 本申请公开一种匀流结构、半导体工艺设备和光刻胶的开口形貌调整方法,其中匀流结构包括第一匀流件、第二匀流件和驱动部;所述第一匀流件包括多个贯通孔;所述第二匀流件活动设置在所述第一匀流件的上方,并与所述第一匀流件之间在竖直方向上具有间隙;所述驱...
  • 本发明涉及图案形成方法。本发明课题为提供将可用于ArF图案化的(甲基)丙烯酸聚合物用于主骨架,借由干式显影而非硅基化得到窄节距的微细图案的图案形成方法。解决手段为图案形成方法,其包含以下步骤:在被加工基板上形成多层、使用ArF准分子用正型化...
  • 本发明提供了检测装置、光刻装置和物品制造方法。一种用于对检测表面的表面位置进行检测的检测装置,包括:具有狭缝的掩模;投影光学系统,其被构造为通过用已经穿过狭缝的光照射检测表面来在检测表面上形成图像;图像传感器;以及光接收光学系统,其被构造为...
  • 一种方法涉及通过从衬底的特性的值中去除光刻设备对所述特性的贡献以及一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献,来确定在已经由一个或多个工艺设备根据图案化工艺处理所述衬底之后的所述一个或多个工艺设备对所述衬底的所述特性做出的贡献。
  • 本发明公开了一种改善光刻线宽均匀性的工艺方法,包括如下步骤:S1:在晶圆上进行多次光刻测试,以获取第一函数、第二函数和第一曝光区S2:提供晶圆,以第一扫描速度、第一曝光量在当前晶圆上进行光刻处理,并获取当前晶圆的每个曝光区域的实际线宽和线宽...
  • 本发明公开了芯片制造技术领域的一种基于亲水脊柱的毫牛级两相流致振动抑制方法,应用于浸没式光刻机的浸没流场,方法包括沿气液两相流负压回收微通道的轴向处设置一条脊柱结构,该脊柱位于微通道内部中心,其长度与微通道相匹配;并将脊柱的表面处理为亲水表...
  • 本申请涉及一种激光直写设备的扫描速度匹配方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括获取量产线宽要求,根据量产线宽要求匹配量产线宽差异值;获取激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸、数字微镜与工件台的夹角以及成像镜头的倍率;根据量产线宽要求、量...
  • 本申请涉及一种激光直写设备的架构匹配方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:采集待曝光板材的量产线宽要求、激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸及数字微镜与工件台的夹角;基于待曝光板材的量产线宽要求、激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸及数字...
  • 本申请公开了一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法,包括:在衬底上依次形成目标光阻层和牺牲光阻层;对所述目标光阻层和所述牺牲光阻层进行浸没式曝光处理;去除所述牺牲光阻层;对剩余的目标光阻层进行显影处理。本申请实施例提供的浸没式光刻图形水浸入...
  • 本发明提供了一种光刻像差动态基准抗噪优化方法及系统,基于门控时序卷积网络的光刻像差动态基准抗噪优化方法,核心流程如下:同步采集非球面镜片表面测量点的实时波前信号与动态基准信号,截取最新50毫秒窗口数据输入门控时序卷积网络;通过因果膨胀卷积提...
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