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最新专利技术
  • 一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法
    一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法_湖北台基半导体股份有限公司_202610308207.8
    本发明为一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要解决现有单沟槽芯片存在生产效率低、成本较高和正反向阻断电压提升受限的问题。它的主要特征是：所述沟槽为终端双面沟槽，分别对称设置于N型衬底与阳极P层和阴极P层的P‑...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411570410.X
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法中，在有源区形成MOS器件，并且还在源漏引出区域形成至少一个凹槽，在进行自对准金属硅化工艺时，凹槽内表面以及凹槽外的源漏区表面发生金属硅化反应而形成金属硅化物层，使得位于源漏引出区域的金属硅...
    2026-05-11
  • 沟槽式MOSFET器件及其制造方法
    沟槽式MOSFET器件及其制造方法_深圳真茂佳半导体有限公司_202411585766.0
    本申请公开了一种沟槽式MOSFET器件及其制造方法, 制造方法包括以下步骤：提供上表面形成有第一掺杂类型的外延层的衬底；在外延层内形成第二掺杂类型的基区；在外延层内形成侧边相接于基区的阱区和源区；刻蚀外延层，形成相接于基区的沟槽；在沟槽底部...
    2026-05-11
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411598771.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构及位于鳍状结构之间的隔离结构，鳍状结构凸出于隔离结构。沉积氧化物，氧化物覆盖鳍状结构及隔离结构的表面；对氧化物执行热处理工艺以形成氧化层。...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511902991.7
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该制备方法包括：制作沟道层；在沟道层上制作势垒层；在势垒层上制作第一介质层；在第一介质层上制作第一金属层；采用等离子体能量梯度增加PECVD工艺在第一金属层上制作第二介质层；在第二介质层上制作第二金属层。
    2026-05-11
  • 使用SiC热自剥离工艺的超薄GaN HEMT器件的制造方法及其制造的GaN HEMT器件
    使用SiC热自剥离工艺的超薄GaN HEMT器件的制造方法及其制造的GaN HEMT器件_威弗洛得有限公司_202610014361.4
    本发明一方面涉及一种GaN HEMT器件制造方法，其包括：(a) 在生长有GaN HEMT外延层叠体的SiC生长衬底内部照射隐形激光(内部改质层形成激光)以形成分离层；(b) 将上述GaN HEMT外延层叠体侧第一键合到临时衬底上；(c) ...
    2026-05-11
  • 一种对铁电器件的处理方法及铁电器件和铁电存储器
    一种对铁电器件的处理方法及铁电器件和铁电存储器_福州大学_202610023221.3
    本发明公开了一种对铁电器件的处理方法及铁电器件和铁电存储器，本发明通过控制在超临界条件下将氧原子快速渗透到铁电薄膜的晶格结构中，有效的填补氧空位，能够在低温环境下实现深层次的氧化修复，进而提升器件的铁电特性，增大了剩余极化强度而且有效的提升...
    2026-05-11
  • 电路设计-工艺协同优化方法、制备方法及电路
    电路设计-工艺协同优化方法、制备方法及电路_原集微(上海)电子有限公司_202610443358.4
    本发明提供一种基于边缘接触二维晶体管的电路设计‑工艺协同优化方法、制备方法及电路，通过采用边缘接触工艺来显著提升二维晶体管的负载线性度、输出电阻和开关稳定性，并针对模拟电路的性能需求优化晶体管几何参数。该方法具体包括：边缘接触晶体管的优化设...
    2026-05-11
  • 氮化镓功率器件及其制备方法
    氮化镓功率器件及其制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411546832.3
    本申请公开了一种氮化镓功率器件、氮化镓功率器件的制备方法，氮化镓功率器件包括衬底；缓冲层，设置于衬底的一侧；沟道层，设置于缓冲层的背离衬底的一侧；势垒层，设置于沟道层的背离缓冲层的一侧，且势垒层与沟道层能产生二维电子气；栅极结构、源极和漏极...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511896791.5
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：超晶格结构、第一介质层、源极、漏极和鳍式栅极；超晶格结构包括多个周期交替层叠的沟道层和势垒层；超晶格结构包括两个第一凹槽、多个第二凹槽和一个第三凹槽；源极和漏极位于超晶格结构的顶面在第一方向...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511896849.6
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：超晶格结构、栅极绝缘层、源极、漏极和鳍式栅极；超晶格结构包括多个周期交替层叠的沟道层和势垒层；超晶格结构包括两个第一凹槽和多个第二凹槽；第一凹槽和第二凹槽的开口均位于超晶格结构的顶面，第一凹...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法
    高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511919915.7
    本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括衬底，以及依次叠设在衬底上的交替极化层、第一缓冲层、第二缓冲层、沟道层、势垒层、超结层和盖帽层；交替极化层包括周期性交替叠设的GaN层和AlG...
    2026-05-11
  • 双向导通的晶体管及其制备方法
    双向导通的晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511930556.5
    本公开提供了一种双向导通的晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该晶体管包括：衬底、半导体多层体、第一电极、第二电极、第一栅控结构和第二栅控结构，所述半导体多层体位于所述衬底的表面上，所述第一电极、所述第一栅控结构、所述第二栅控结构和所述第...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管及其制备方法
    高电子迁移率晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511938857.2
    本公开提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管，包括：外延层、栅电极和连接金属；栅电极位于外延层的一侧，栅电极包括栅极母线和多个栅极结构，栅极母线环绕在多个栅极结构之外，多个栅极结构分别与栅极母线相...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938941.4
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括异质结、多个电极和连接结构，所述多个电极均与所述异质结电连接，且沿第一方向平行间隔布置；所述多个电极包括多个栅极、多个源极和多个漏极，所述多个电极中位于两侧的电极为所述源...
    2026-05-11
  • 增强型晶体管及其制作方法
    增强型晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511951686.7
    本公开提供了一种增强型晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述增强型晶体管包括沟道层、势垒层、栅介质层以及多个栅极；所述沟道层、所述势垒层和所述栅介质层依次层叠；所述多个栅极位于所述栅介质层远离所述沟道层的一侧，且沿第一方向间隔布置，相...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管及其制备方法
    高电子迁移率晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511953853.1
    本公开提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管，包括：外延层、栅极结构、源极结构和漏极结构；外延层包括第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层和连通耗尽层，第二沟道层和第二势垒层的一侧具有沟槽...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管装置及其制造方法
    高电子迁移率晶体管装置及其制造方法_英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司_202610203148.8
    一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中高电子迁移率晶体管装置包括通道层、阻障层、栅极结构、介电层、漏极、第一源极场板、及第二源极场板。阻障层设于通道层上。栅极结构设于阻障层上。介电层设于阻障层上。漏极由源/漏极金属层蚀刻而成。第一源极...
    2026-05-11
  • 一种无结晶体管及其制造方法
    一种无结晶体管及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411563094.3
    本申请提供一种无结晶体管及其制造方法，无结晶体管包括衬底、衬底上依次层叠的埋氧层、核层和壳层，还包括壳层上的栅极，位于栅极两侧的源漏，以及位于栅极和源漏之间的侧墙，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，侧墙朝向所述栅极的侧壁包括第一平面，所述侧...
    2026-05-11
  • 半导体装置及其在多晶开口的制造方法
    半导体装置及其在多晶开口的制造方法_深圳真茂佳半导体有限公司_202411585767.5
    本申请公开了半导体装置及其在多晶开口的制造方法, 半导体装置包括衬底、第一掺杂类型的外延层、第二掺杂类型的多个基极、阱区和源极区、栅极、第一掺杂埋层和第二掺杂埋层以及源极金属层，外延层刻蚀有沟槽，基极设置在外延层内，阱区和源极区的侧边相接基...
    2026-05-11
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