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最新专利技术
  • 半导体器件、LED显示器件及制备方法
    半导体器件、LED显示器件及制备方法_诺视科技(浙江)有限公司_202510870258.5
    本发明涉及一种半导体器件、LED显示器件及制备方法。该半导体器件包括像素层， 像素层为化合物半导体层， 像素层包括至少一个像素单元， 每个像素单元的外围均至少环绕有一个环形隔槽， 每个像素单元最外围的环形隔槽和相邻像素单元的最外围环形隔槽之...
    2025-11-14
  • LED显示器件及制备方法
    LED显示器件及制备方法_诺视科技(浙江)有限公司_202510870257.0
    本发明涉及一种LED显示器件及制备方法， 该LED显示器件包括基底和像素层， 像素层包括像素单元， 每个像素单元的外围均至少环绕有一个环形隔槽， 每个像素单元和相邻像素单元的最外围环形隔槽之间至少部分重叠， 非重叠区域保留有化合物半导体， ...
    2025-11-14
  • LED显示器件及制备方法
    LED显示器件及制备方法_诺视科技(浙江)有限公司_202510870250.9
    本发明涉及一种LED显示器件及制备方法， LED显示器件包括基底和像素层， 像素层包括像素单元， 每个像素单元的外围均至少环绕有一个环形隔槽， 其中， 像素单元的底部均与对应的第一类电极触点电连接， 像素单元的顶部均通过互连导电件与对应的第...
    2025-11-14
  • 微型LED显示器及制造方法
    微型LED显示器及制造方法_豪威科技股份有限公司_202510467840.7
    本发明提供了一种微型发光二极管(LED)显示器、一种LED显示器以及一种用于制造LED像素对的方法。微型发光二极管(LED)显示器包括第一像素、第二像素和不透明导电元件。第一像素包括第一LED、第三LED以及第一公共互连， 该第一公共互连与...
    2025-11-14
  • 显示设备和包括显示设备的电子设备
    显示设备和包括显示设备的电子设备_三星显示有限公司_202510481062.7
    本申请涉及显示设备和电子设备。显示设备包括：显示部分， 配置为发光；以及传感器部分， 设置在显示部分上并且包括感测电极。显示部分包括：第一电极和第二电极， 彼此间隔开；发光元件， 在平面图中设置在第一电极和第二电极之间并且包括第一端和第二端...
    2025-11-14
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202510883880.X
    本发明涉及半导体制造技术领域， 特别涉及一种发光二极管及发光装置， 其包括衬底、二个发光结构、绝缘结构和桥接电极， 发光结构设置在衬底上， 相邻两个发光结构之间具有一隔离槽， 发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层， 至少部分绝缘结...
    2025-11-14
  • 复合封装膜及使用其的发光装置的制造方法
    复合封装膜及使用其的发光装置的制造方法_隆达电子股份有限公司_202510023554.1
    本发明公开一种复合封装膜及使用其的发光装置的制造方法， 其中该发光装置的制造方法包括：提供基板；提供发光结构， 所述发光结构包括多个固态光源设置在基板上；以及提供复合封装膜用以封装发光结构。所述复合封装膜包括：具有前表面以及背表面的半固化可...
    2025-11-14
  • 一种深紫外LED的近无机封装结构
    一种深紫外LED的近无机封装结构_湖北深紫科技有限公司_202510888612.7
    本发明提供了一种深紫外LED的近无机封装结构， 包括封装支架、光学透镜和至少一个深紫外LED芯片， 封装支架包括支撑基板和围坝， 围坝环形设置于支撑基板的边缘处， 支撑基板的中心处开设有一个放置槽， 深紫外LED芯片固定于放置槽的底部， 光...
    2025-11-14
  • 一种增强现实显示结构、制备方法及设备
    一种增强现实显示结构、制备方法及设备_深圳市华南微电子有限公司_202510954108.2
    本发明涉及一种增强现实显示结构、制备方法及设备， 涉及光电子领域， 该增强现实显示结构包括：图形化缓冲层， 位错密度≤106cm‑2；三维导电层， 包括周期性分布的n‑GaN层以及Al GaN电流阻挡层；发光层， 包括I nGaN/GaN多...
    2025-11-14
  • 改善EOS的发光二极管及其制备方法
    改善EOS的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510720647.X
    本公开提供了一种改善EOS的发光二极管及其制备方法， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、绝缘层和金属反射层；所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层， 所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹...
    2025-11-14
  • 一种LED器件
    一种LED器件_武汉优炜芯科技有限公司_202510924218.4
    本发明提供了一种LED器件， 其通过在光学透镜表面或LED芯片表面/内部设置光调制层， 显著提升了器件性能：若光调制层设置于光学透镜表面， 其微结构可对透镜出射的光线进行二次折射或衍射， 将边缘发散光汇聚至中心， 减少光能散射；若光调制层位...
    2025-11-14
  • 微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板
    微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板_錼创显示科技股份有限公司_202510512484.6
    本发明提供一种微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板， 微型发光芯片包括二个子芯片、绝缘结构、第一电极、第二电极及导电元件。绝缘结构设置在二个子芯片之间而使二个子芯片在绝缘结构处互为电性绝缘。第一电极和第二电极分别连接二个子芯片， 且分别...
    2025-11-14
  • 发光二极管外延结构及其制造方法、显示面板
    发光二极管外延结构及其制造方法、显示面板_江西乾照半导体科技有限公司_202511218541.6
    本发明涉及一种发光二极管外延结构， 包括：衬底；N型层；有源层， 位于N型上；P型层， 位于有源层上；其中， 所述P型层包括P型窗口层， P型窗口层包括若干第一叠层结构， 每个第一叠层结构包括依次叠设的GaInP层、第一GaP层及第二GaP...
    2025-11-14
  • 微发光二极管芯片
    微发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510629820.5
    微发光二极管结构包括第一类型传导层、堆叠在该第一类型传导层上的第二类型传导层、形成在该第一类型传导层与该第二类型传导层之间的发光层。该发光层远离该第一类型传导层的顶边以及该第二类型传导层的底边沿着水平面延伸， 致使该发光层的边缘不接触该第一...
    2025-11-14
  • 发光二极管以及发光二极管的制作方法
    发光二极管以及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510719333.8
    本公开提供了一种发光二极管以及发光二极管的制作方法， 属于发光器件领域。所述发光二极管包括：外延结构、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极和第二电极；所述外延结构包括台阶结构， 所述台阶结构包括台阶底面、台阶顶面以及连接所述台阶底面和所述台阶顶...
    2025-11-14
  • 一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法
    一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202510956081.0
    本发明公开了一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法， 包括：蓝宝石基底；多个海绵凸起微结构， 位于蓝宝石基底在厚度方向上的一侧；海绵凸起微结构包括海绵骨架结构， 海绵骨架结构采用氮化硅材料制备而成， 海绵骨架结构内部具有三维互穿网络孔隙...
    2025-11-14
  • 一种外延结构及其制备方法
    一种外延结构及其制备方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511345279.1
    本发明提供一种外延结构及其制备方法， 采用MOCVD方法沉积生长外延结构， 外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、QW‑QB‑QDs耦合层和P型半导体层；其中， 所述QW‑QB‑QDs耦合层包括由下至上生长至少一周期的QW层...
    2025-11-14
  • 深紫外发光二极管
    深紫外发光二极管_苏州紫灿科技有限公司_202510886263.5
    本申请提供了一种深紫外发光二极管， 包括依次层叠的衬底、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层；所述量子阱有源层包括交替层叠设置的M层势垒层和N层势阱层， M为大于或等于2的整数， N为大于或等于1的整数， 任意相邻两个所述势垒...
    2025-11-14
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511340632.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域， 公开一种太阳能电池组件及光伏系统， 太阳能电池组件包括电池串、汇流条和焊带。电池串包括串联的多个电池片， 多个电池片包括以基准线为起点依次布置的第一电池片和第二电池片；汇流条设于第二电池片的背光面， 并位于靠...
    2025-11-14
  • 一种背接触式光伏组件
    一种背接触式光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511079614.8
    本申请公开了一种背接触式光伏组件， 属于光伏组件技术领域。电池片包括依次叠置的基底、掺杂层和钝化减反层， 第一掺杂层和第二掺杂层均沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布， 相邻的两个第一掺杂层和第二掺杂层之间具有沿第一方向延伸的隔离区；集电...
    2025-11-14
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