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最新专利技术
  • 半导体设备及操作半导体设备的方法
    半导体设备及操作半导体设备的方法_爱思开海力士有限公司_202411365900.6
    本申请涉及一种半导体设备及操作半导体设备的方法。该操作半导体设备的方法，包括：接收编程命令；向存储器单元施加编程脉冲；感测存储器单元的阈值电压；根据存储器单元的阈值电压的感测结果确定编程是否完成，并根据确定编程是否完成的确定结果，将连接到存...
    2025-11-22
  • 管理存储器系统中的编程操作
    管理存储器系统中的编程操作_长江存储科技有限责任公司_202410545481.8
    描述了用于管理存储器系统中的编程操作的方法、系统和设备。示例系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元阵列的外围电路。外围电路获得第一温度，并且响应于确定第一温度处于或高于预定阈值，向耦合存储器单元阵列...
    2025-11-22
  • 存储器的编程方法、存储器及存储系统
    存储器的编程方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202510961952.8
    本申请是中国申请202210187020.9的分案申请。本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。该方法包括：在对选定存储单元进行编程的第一脉冲阶段，以第一脉冲宽度向选定字线施加第一编程电压；在对选定存储单元进行...
    2025-11-22
  • 操作存储控制器的方法、存储系统及相关设备
    操作存储控制器的方法、存储系统及相关设备_长江存储科技有限责任公司_202410545084.0
    本公开提供了一种操作存储控制器的方法、存储系统、电子设备、固态硬盘、存储控制器、主机设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，涉及半导体存储技术领域。该操作存储控制器的方法包括：响应于存储设备的温度满足第二温度条件，记录向存储设备写入数据所...
    2025-11-22
  • 一种组对结构的单管闪存阵列
    一种组对结构的单管闪存阵列_领羚科技(上海)有限公司_202511403642.0
    本发明提供的组对结构的单管闪存阵列中，虚拟存储阵列位于有效存储阵列的外侧，虚拟存储阵列包括行列排布的多个虚拟组对结构，每个虚拟组对结构包括源极相连接的两个虚拟存储管，一列虚拟组对结构对应一列组对存储单元，一列虚拟组对结构连接同一列的组对存储...
    2025-11-22
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410551178.9
    本申请实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统；其中，存储器包括：多条字线；与每条字线耦接的多个存储单元；耦接到多条字线的外围电路，外围电路被配置为：在对多条字线中的至少一条选中字线耦接的存储单元进行刷新操作期间，通过导通第一电压传输...
    2025-11-22
  • 一种存储器和存储设备
    一种存储器和存储设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410546174.1
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储器和存储设备，其中，存储器包括：阵列排布的多个存储单元，被配置为，当存储单元被选中时，存储单元中存储的数据从位线被读出至第一数据总线；置位电路，连接第一数据总线并接收置位信号，被配置为，在存储器处...
    2025-11-22
  • 一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列
    一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列_南京大学_202511389277.2
    本发明公开了一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列，属于半导体技术领域。每个交叉耦合式浮栅型存算一体单元包括两个共轭设置的耦合读写子单元和一个写入开关管，该存算一体单元通过硅衬底耗尽区存储电子信息，相比于传统eDRAM器件栅极存储电荷的...
    2025-11-22
  • 存储器及其访问方法、电子设备
    存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410526347.3
    本公开提供一种存储器及其访问方法、电子设备，涉及存储技术领域。存储器包括：沿垂直于衬底的第一方向堆叠的多层存储单元，每层存储单元包括沿平行衬底的第二方向和第三方向阵列分布的多个存储单元；多条第一写字线，沿第一方向延伸，同一条第一写字线与在第...
    2025-11-22
  • 一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路
    一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路_深圳大学_202510996091.7
    本发明公开一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路，与RRAM所连接的位线和源线相连，RRAM包括若干接入于源线和位线之间的包括一晶体管和一阻变器件的阻变单元，晶体管与阻变器件相连，其控制端与字线相连，限流保护电路包括反馈保护电路和终止信...
    2025-11-22
  • 一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法
    一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法_东北师范大学_202510991780.9
    本发明涉及一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法，提出一种忆阻器，从下至上依次包括底电极ITO、非晶碳介质层、顶电极Ag。忆阻器高阻状态下在光照期间光电流逐渐增加，在撤光后回落至基线；而对器件施加正向电压使其转变为低阻时，载流子沿导电细丝重组，重复...
    2025-11-22
  • 一种抗辐照的忆阻器突触电路
    一种抗辐照的忆阻器突触电路_湘潭大学_202510988706.1
    本发明公开了一种抗辐照的忆阻器突触电路，涉及神经网络集成电路技术领域，本发明在四忆阻器突触电路的基础上，保留两个忆阻器实现权重极性的转变，将另两个忆阻器更换为不变的电阻，减小四忆阻器给权重更新曲线带来的非线性与不对称性影响；同时当忆阻器突触...
    2025-11-22
  • 一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及电子设备
    一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及电子设备_海光信息技术(成都)有限公司_202510819819.9
    本申请实施例公开一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及设备，涉及计算机内存技术领域，可以获得接近实际工作状态时的信号眼图。内存控制系统包括：内存控制器，配置为在训练存储颗粒进入可读写状态之后，通过至少一条高速内存信号线发送读写指令信号至...
    2025-11-22
  • 管理半导体装置中的字线
    管理半导体装置中的字线_长江存储科技有限责任公司_202410533583.8
    本公开提供了用于管理半导体装置中的字线的系统、装置和方法。在一方面，半导体装置包括多个块。每个块包括多行存储器单元。每行存储器单元沿第一方向延伸。存储器单元包括具有沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极的晶体管。半导体装置还包括多条字线。字线...
    2025-11-22
  • 一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410532453.2
    本申请提供了一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备，存储阵列可以包括：多个存储单元、位线、板线、以及多条第一字线。每一个存储单元包括：存储电容、选通元件和防串扰元件。选通元件的第一控制极与第一字线电连接，选通元件的第一极与防串扰元件的第二...
    2025-11-22
  • 双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片
    双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510990142.5
    本公开涉及存储技术领域，具体涉及一种双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片。双工艺存储单元包括基于两种不同工艺的第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元的抗磁场干扰能力小于第二存储单元，抗擦写能力大于第二存储单元...
    2025-11-22
  • 差分位元的读取电路
    差分位元的读取电路_浙江驰拓科技有限公司_202410538589.4
    本发明提供一种差分位元的读取电路，包括：差分位元，包括成对设置的存储位元和参考位元；串联的参考电阻和第三MOS管，参考电阻的第二端通过第三MOS管接地；电流源电路，用于产生大小相同的第一读电流、第二读电流和参考电流；电压型灵敏放大器，第一输...
    2025-11-22
  • 一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质
    一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质_浙江驰拓科技有限公司_202410536403.1
    本发明公开了一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质，应用于存储器技术领域，包括：读取第一子阵列；第一子阵列初始为全0矩阵；确定第一子阵列的失效位元数是否大于第一限定值；当确定第一子阵列的失效位元数大于第一限定值时，确定增大参考电...
    2025-11-22
  • 针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化
    针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化_美光科技公司_202510973527.0
    本公开涉及针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化。一种装置包含：存储器单元阵列，其具有耦合到所述阵列的至少一个子集的第一字线；队列；和控制逻辑。所述控制逻辑：检测从所述子集的第一页读取第一数据的第一读取命令；存取所述队列中的第二...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202411711488.9
    一种半导体装置可包括：第一存储器单元阵列，其包括第一源极线、第一位线、第一存储器串和第一字线；第二存储器单元阵列，其包括第二源极线、第二位线、第二存储器串和第二字线；第一互连结构，其包括穿过第一存储器单元阵列并且共同连接到第一位线和第二位线...
    2025-11-22
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