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最新专利技术
  • 包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物_日产化学株式会社_202511039926.6
    本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包...
    2025-11-20
  • 衬底表面缺陷修复方法及装置
    衬底表面缺陷修复方法及装置_上海传芯半导体有限公司_202510954539.9
    本发明提供一种衬底表面缺陷修复方法及装置，该修复方法包括以下步骤：提供一衬底；通过负偏压溅射在衬底表面沉积形成碳层，使碳离子充分填充衬底表面的缝隙；对衬底进行氧等离子体蚀刻，去除衬底表面的碳层，并至少使缝隙表面的碳原子重组强化；对衬底进行加...
    2025-11-20
  • 一种硅片清洗方法、系统
    一种硅片清洗方法、系统_中环领先半导体科技股份有限公司_202510891201.3
    一种硅片清洗方法、清洗系统，步骤包括：药液清洗，按预设比例向加工系统中加入清洗剂和纯水，在所述加工系统的管道中进行内循环清洗，以去除所述加工系统中管道内的絮状物杂质；纯水清洗，向所述加工系统中加入纯水，并在所述加工系统的管道中进行多次内循环...
    2025-11-20
  • 一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法
    一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法_山东大学_202510832078.8
    本发明涉及一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法，本发明的二流体高纯氮气流量、超纯水流量、二流体喷嘴和晶圆之间的距离使SiC晶圆经过二流体清洗后，没有白圈缺陷的产生，不会对晶圆表面造成损伤，进一步提高了SiC晶圆的表面质量。
    2025-11-20
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510777036.9
    本公开实施例公开了一种晶圆清洗方法，可以包括对待清洗晶圆进行加热处理，并对待清洗晶圆供给与待清洗晶圆的温度差在预设范围内的去离子水而进行第一次旋转清洗；第一次旋转清洗之后，对待清洗晶圆依次供给含有HF的清洗液和含有臭氧的清洗液而进行第二次旋...
    2025-11-20
  • 一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法
    一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法_威弗洛得有限公司_202510522515.6
    本发明涉及一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法。具体地，根据本发明的实施方式包括：制备具有导电性的SiC晶种衬底的步骤；器件区域形成步骤；第一制造工艺步骤，其包括用于SiC功率半导体器件的掺杂工艺和器件区域中的电极形成工艺；晶...
    2025-11-20
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202510461835.5
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明的衬底处理方法包括如下工序：将上表面由液膜覆盖的衬底以如下状态收容到处理腔室的内部空间中，所述状态是指所述衬底以水平姿势载置于平板状的支撑部件上的状态；使内部空间充满超临界状态的处理流体；以及...
    2025-11-20
  • 一种多加热棒三自由度可调节离子源及其使用方法
    一种多加热棒三自由度可调节离子源及其使用方法_浙江月旭材料科技有限公司_202510988502.8
    本发明提供一种多加热棒三自由度可调节离子源及其使用方法，涉及离子源产品设计领域。本发明包括包括离子源腔体、离子源主体和至少两个延长加热棒组件；离子源主体设于离子源腔体的侧壁上且其工作端位于离子源腔体的内腔中，离子源腔体的外壁上设有与延长加热...
    2025-11-20
  • 一种可调间距推斥透镜与磁透镜耦合离子源
    一种可调间距推斥透镜与磁透镜耦合离子源_浙江月旭材料科技有限公司_202510988503.2
    本发明提供一种可调间距推斥透镜与磁透镜耦合离子源，涉及粒子分析仪器领域。本发明所提供的可调间距推斥透镜装置，包括推斥透镜组件和微分头组件。本发明所提供的可调间距推斥透镜可针对不同工况下，灵活调整推斥极距离质谱仪的真空接口的位置，保持最佳的推...
    2025-11-20
  • 一种用于离子迁移谱设备的新型TP离子门及制备方法
    一种用于离子迁移谱设备的新型TP离子门及制备方法_北京华泰诺安技术股份有限公司_202510923578.2
    本发明涉及离子迁移技术领域，特别涉及一种用于离子迁移谱设备的新型TP离子门及制备方法。本发明的用于离子迁移谱设备的新型TP离子门包括水平设置且绝缘的结构环、屏蔽栅和控制栅，所述屏蔽栅设置于所述结构环内上部，所述控制栅设置于所述结构环内下部，...
    2025-11-20
  • 等离子刻蚀设备
    等离子刻蚀设备_天津双微电子科技有限公司_202511394043.7
    本申请提供了一种等离子刻蚀设备，包括壳体、两个加工组件、转运机械手和控制单元；壳体内部具有封闭的工作腔，所述壳体靠近所述转运区的侧面外周设有晶圆储存盒；两个所述加工组件分别能对晶圆进行刻蚀加工；所述转运机械手能从所述晶圆储存盒取出晶圆，并将...
    2025-11-20
  • 外置式等离子源刻蚀机
    外置式等离子源刻蚀机_天津双微电子科技有限公司_202511393945.9
    本申请提供了一种外置式等离子源刻蚀机，包括加工组件、离子源组件和等离子电源；加工组件具有加工腔，所述加工腔一侧形成加工口，所述加工腔的底部具有可旋转的放置台；离子源组件设于所述加工组件设有所述加工口的一侧，所述离子源组件包括从下往上顺次衔接...
    2025-11-20
  • 一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备
    一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备_安徽越好电子装备有限公司_202511386146.9
    本发明名称为一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备，属于半导体刻蚀与清洗设备技术领域。所要解决的技术问题为现有设备在处理大面积基板时存在的等离子体分布不均、密度低及深孔刻蚀效果差的问题。技术方案要点为本设备包括一个以电容耦合等离...
    2025-11-20
  • 一种半导体刻蚀设备及颗粒物在线清理方法
    一种半导体刻蚀设备及颗粒物在线清理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511380622.6
    本发明公开了一种半导体刻蚀设备及颗粒物在线清理方法，应用于半导体制造装备技术领域，其中设备包括至少一个工艺腔模块、至少一个辅助处理模块和中央传输机器人；辅助处理模块内设有上下电极板及由驻极体材料制成的模拟晶圆，可通过施加高压电对其充电或放电...
    2025-11-20
  • 远程等离子体鞘层特性调控与刻蚀均匀性优化方法
    远程等离子体鞘层特性调控与刻蚀均匀性优化方法_江苏神州半导体科技有限公司_202511054440.X
    本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，公开了远程等离子体鞘层特性调控与刻蚀均匀性优化方法。该方法步骤如下：采集历史稳定参数建立基准参数库，采集实时监测集并根据数据量确定调控优化周期；采集该周期内所有等离子体鞘层参数并获取平均值作为调控优化阈值，结...
    2025-11-20
  • 等离子体处理设备
    等离子体处理设备_深圳市昇维旭技术有限公司_202511004570.2
    本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种等离子体处理设备，基座包括底座、第一电极、第二电极和第三电极，底座的顶面包括承载区以及环绕承载区的边缘区，第一电极设置在底座中，第二电极自边缘区延伸至底座的侧面，第三电极设置在第二电极远离底座的...
    2025-11-20
  • 具有正偏置衬底的衬底处理系统及其方法
    具有正偏置衬底的衬底处理系统及其方法_ASMIP私人控股有限公司_202510526672.4
    提出了将正偏置DC电压施加到衬底以减少衬底处理期间的离子损伤的方法以及使用该方法的衬底处理系统。为了减少来自离子轰击的离子损伤，衬底处理系统可以包括反应室，反应室包括基座和衬底处理空间，其中基座包括加热器；以及直流(DC)偏置单元，其包括配...
    2025-11-20
  • 一种下电极组件及半导体工艺设备
    一种下电极组件及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410544810.7
    本发明提供了一种下电极组件及半导体工艺设备，该下电极组件包括：基座、控制电路和位于基座上方的内衬导电环；基座包括周壁以及分别位于周壁两侧的底壁和顶壁，顶壁、底壁和周壁围成容纳腔，顶壁具有第一开口，周壁具有第二开口；容纳腔内设有L型屏蔽套筒，...
    2025-11-20
  • 透射电镜原位多场耦合实验平台
    透射电镜原位多场耦合实验平台_北京工业大学_202511397047.0
    本发明涉及透射电镜原位实验技术领域，尤其涉及一种透射电镜原位多场耦合实验平台，本发明提供的透射电镜原位多场耦合实验平台包括样品杆、载台、热电芯片、磁场发生装置和柔性电路板，载台设置于样品杆的活动端，载台上设置有第一安装槽和第二安装槽；热电芯...
    2025-11-20
  • 冷阴极平板X射线源和控制方法
    冷阴极平板X射线源和控制方法_复旦大学义乌研究院_202510770444.1
    本申请提供的冷阴极平板X射线源和控制方法，涉及X射线技术领域。在本申请中，冷阴极平板X射线源包括：阳极基板和阴极基板；设置于阳极基板上的阳极靶材；设置于阴极基板上的阴极组件，其中，阴极组件包括多个呈阵列分布的阴极区块，每一个阴极区块包括多个...
    2025-11-20
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