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最新专利技术
  • 一种0BB的新型高速测试机构
    一种0BB的新型高速测试机构_广东科隆威智能装备股份有限公司_202511088744.8
    本发明公开一种0BB的新型高速测试机构，包括底板和安装在所述底板上的转盘和IV检测组件，所述转盘的外侧成型有四个工位，每个所述工位的两侧均安装有吸附组件，所述IV检测组件的一侧安装有检测相机，所述IV检测组件的前端安装有XYT调整台，所述X...
    2025-12-01
  • 一种BGA器件的检测方法及系统
    一种BGA器件的检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202511086398.X
    一种BGA器件的检测方法及系统，用于对BGA器件的基底及锡球进行检测；获取待测BGA器件的实时图像；根据所述实时图像得到待测BGA器件的初始检测范围，并结合标准分布参数，得到待测BGA器件的实际检测范围；根据所述实际检测范围对待测BGA器件...
    2025-12-01
  • 一种太阳电池检测装置及检测方法
    一种太阳电池检测装置及检测方法_通威太阳能(眉山)有限公司_202411930175.2
    本申请涉及太阳电池检测装置技术领域，尤其涉及一种太阳电池检测装置及检测方法。该太阳电池检测装置包括多个堆叠容器以及光学检测组件。各堆叠容器被配置为在四周内侧位置上堆叠多个太阳电池，以使多个太阳电池的四周边缘堆叠形成待检测侧面。多个堆叠容器包...
    2025-12-01
  • 间隙贴膜检测方法
    间隙贴膜检测方法_通威太阳能(盐城)有限公司_202411712694.1
    本发明提供一种间隙贴膜检测方法，应用于光伏组件。间隙贴膜检测方法至少包括以下步骤：S100、根据相邻两个第一膜带的中心线之间的间距L、及相邻两个第二膜带的中心线之间的间距D1构造检测函数y；S200、利用检测函数以同时检测多个交点或多个第一...
    2025-12-01
  • 太阳电池漏电检测方法、系统及装置
    太阳电池漏电检测方法、系统及装置_通威太阳能(成都)有限公司_202411708272.7
    本申请涉及一种太阳电池漏电检测方法、系统及装置。本申请的太阳电池漏电检测方法，包括如下步骤：对太阳电池进行点状发亮测试，获取太阳电池的发亮点；获取各发亮点与最靠近其的太阳电池的边缘之间的距离，记为判断距离；比较各判断距离和预设距离，若存在判...
    2025-12-01
  • 掩膜层凹槽的底部宽度的检测方法
    掩膜层凹槽的底部宽度的检测方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410919823.8
    本申请涉及一种掩膜层凹槽的底部宽度的检测方法，包括如下步骤：提供一太阳电池预成品，太阳电池预成品包括依次层叠设置的掺杂硅材料层、金属层以及掩膜层；掩膜层为透光掩膜层；掩膜层上开设有沿掩膜层的厚度方向贯穿掩膜层的凹槽，凹槽的槽底的最大宽度大于...
    2025-12-01
  • 一种优先集成功能芯片的硅桥封装方法
    一种优先集成功能芯片的硅桥封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511231390.8
    本发明提供了一种优先集成功能芯片的硅桥封装方法，其规避了大尺寸高IO密度逻辑芯片和存储芯片倒装工艺引起的焊接不良；且省去了大尺寸IO密度功能芯片的flux清洗工艺和点胶工艺，从而简化了流程，规避了大尺寸高IO密度功能芯片的助焊剂清洗残留与点...
    2025-12-01
  • 用于提高板级封装桥接芯片可靠性的封装方法
    用于提高板级封装桥接芯片可靠性的封装方法_成都奕成集成电路有限公司_202511208912.2
    本发明公开了用于提高板级封装桥接芯片可靠性的封装方法，涉及芯片封装领域，包括S1、制备塑封的桥接芯片组和塑封体；S2、对塑封的桥接芯片组和塑封体进行研磨；S3、塑封体上开设凹槽；S4、将桥接芯片固定放置在凹槽内；S5、在塑封体上制作上层的R...
    2025-12-01
  • 封装方法、以及转接板
    封装方法、以及转接板_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410659247.8
    一种封装方法、以及转接板，封装方法包括：提供转接板，转接板包括中心区、以及环绕中心区的边缘区，转接板具有相背设置的第一面和第二面，转接板中形成有位于中心区中且靠近第一面一侧的互连结构；通过第二面，对转接板的中心区进行减薄处理，以暴露互连结构...
    2025-12-01
  • 一种二极管引线一体成型机
    一种二极管引线一体成型机_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202410645565.9
    一种二极管引线一体成型机。涉及二极管加工领域。包括工作台，还包括浇注装置，所述工作台的中间设有凹槽，所述凹槽内设有治具；所述工作台上位于凹槽的两端分别设有X向轨道，所述X向轨道内滑动设有立柱，一对立柱之间设有横杆，所述横杆上设有Y向移动的出...
    2025-12-01
  • 电子器件及其形成方法
    电子器件及其形成方法_星科金朋私人有限公司_202410639960.6
    本申请提供了一种形成电子器件的方法。所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板具有形成于其上的第一组导电衬垫；在所述封装基板上形成多个支撑元件，所述多个支撑元件不覆盖所述第一组导电衬垫；将焊料材料沉积到所述第一组导电衬垫上；将具有第二组导电衬...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511176202.6
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供基底结构；所述基底结构包括第一区域；在第一区域上形成图案化的复合铝垫层；复合铝垫层包括复合铝垫结构，复合铝垫结构包括沿第一方向依次层叠的第一阻挡层、第一铝垫层、第二...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511176173.3
    本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底结构；基底结构包括沿第一方向并列排布的第一区域和第二区域；第一方向垂直于基底结构的厚度方向；在第一区域上形成第一铝垫结构，并在第二区域上形成第二铝垫结构；第一铝垫结构包括第一阻挡层、第...
    2025-12-01
  • 电子装置和制造电子装置的方法
    电子装置和制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510557325.8
    本发明公开了电子装置和制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包括下基板、上基板、内部互连件、桥接部件、下包封体和电子部件。内部互连件将下基板的上侧耦接到上基板的下侧。桥接部件包括耦接到上基板的桥接第一互连件、耦接到下基板的第二互连件...
    2025-12-01
  • 一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构
    一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511198619.2
    本申请公开了一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。该方法包括提供一基板和一载板，载板具有贯穿载板的多个第一通孔和多个第二通孔；在基板的一侧形成多个第一导电柱和多个芯片组件，芯片组件包括芯片、位于芯片远离基板一侧的引...
    2025-12-01
  • 嵌埋封装结构及其制作方法
    嵌埋封装结构及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510929143.9
    本发明公开了一种嵌埋封装结构及其制作方法，涉及封装基板技术领域。该方法包括：准备框架；在空腔内放置至少一个第一器件，并从框架的第一面对空腔内的第一器件进行塑封；在框架的第二面设置第一线路层，通过第一线路层将第一器件的第一信号端子扇出至第一器...
    2025-12-01
  • 玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构
    玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511115317.4
    本申请提供一种玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构。首先，提供一待制作玻璃芯板，待制作玻璃芯板包括第一导电走线、玻璃基板以及贯穿玻璃基板的基板通孔，第一导电走线填充在基板通孔内，填充于基板通孔内的第一导电走线的长度小于基板通孔深度。接...
    2025-12-01
  • 一种引线框制作方法和引线框结构
    一种引线框制作方法和引线框结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511110677.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种引线框制作方法和引线框结构，包括：在框架基材放置加工台的表面，利用引线框冲压设备对框架基材进行冲压成引线框，基岛表面冲压出放置槽，基岛利用支撑板支撑固定，引线框冲压设备对内引脚表面冲压凹槽和放料槽；有...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511160285.X
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：提供基底；基底包括第一半导体结构、多个与第一半导体结构沿第一方向堆叠排布的第二半导体结构、位于在第二方向上相邻的两个第二半导体结构之间的第一沟槽；第二半导体结构包括衬底和器件...
    2025-12-01
  • 半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法
    半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511127676.1
    本公开提供了一种半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法，该方法包括：在半导体层的正面形成金属层；令所述金属层与硅反应形成金属硅化层；去除未反应的残余所述金属层，保留所述金属硅化层作为扩散源；以及采用微波退火或激光退火对所述金属硅化层进行加...
    2025-12-01
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