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最新专利技术
  • 一种晶圆处理装置
    一种晶圆处理装置_无锡先为科技有限公司_202410961461.9
    本申请公开了一种晶圆处理装置，属于半导体制造技术领域，包括基座、加热组件和反应空间；基座具有第一表面，加热组件包括加热件，加热件具有第二表面，第二表面与第一表面相对设置；反应空间位于基座和加热件之间，为反应气体提供流通通道。本申请中，基座具...
    2026-01-27
  • 一种晶圆处理装置
    一种晶圆处理装置_无锡先为科技有限公司_202410958477.4
    本申请公开了一种晶圆处理装置，属于半导体制造技术领域，包括用于处理晶圆的反应器，反应器包括基座、支撑组件和加热组件。基座用于承载晶圆，支撑组件与基座连接，用于支撑并带动基座旋转，加热组件与基座相对且间隔设置，以加热基座上的晶圆。本申请中，基...
    2026-01-27
  • 一种单晶硅片的清洗方法
    一种单晶硅片的清洗方法_广东金湾高景太阳能科技有限公司_202511693908.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种单晶硅片的清洗方法。一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：(a)采用纳米气泡水对单晶硅片进行包括超声处理和动态压力梯度喷淋的预处理；(b)采用复合清洗液对所述预处理后的硅片进行清洗，所述复合清...
    2026-01-27
  • 一种碳化硅外延片的清洗方法
    一种碳化硅外延片的清洗方法_深圳市重投天科半导体有限公司_202511691699.5
    本申请公开了一种碳化硅外延片的清洗方法，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，将碳化硅外延片浸于伴随氮气鼓泡的第一SPM中，达到第一预设时长后对碳化硅外延片进行HQDR；第一SPM的温度为第一温度；而后，将碳化硅外延片浸于伴随溶液内循环的第...
    2026-01-27
  • 金属CMP后的清洗方法
    金属CMP后的清洗方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587298.5
    本发明公开了一种金属CMP后的清洗方法，包括：在具有滚动刷的第一清洗模块中对完成了金属CMP的晶圆进行第一次清洗，第一次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第一循环步骤，以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀，采用化...
    2026-01-27
  • 半导体封装结构的切割方法及其相关装置
    半导体封装结构的切割方法及其相关装置_沈阳和研科技股份有限公司_202511936316.6
    本发明提供了一种半导体封装结构的切割方法及其相关装置，涉及半导体制造技术领域，切割方法用于切割半导体封装结构，半导体封装结构上设置有多个芯片组，芯片组包括多个阵列排布的芯片，切割方法包括：对待切割的半导体封装结构进行图像识别，获取多个芯片组...
    2026-01-27
  • 晶片脱胶装置、晶片剥离设备及晶片剥离方法
    晶片脱胶装置、晶片剥离设备及晶片剥离方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511501189.7
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶片脱胶装置、晶片剥离设备及晶片剥离方法。晶片脱胶装置包括脱胶本体；所述脱胶本体上设置有高压进气口、冷媒进口、混合腔以及出口；所述高压进气口用于通入高压气体；所述冷媒进口用于通入冷媒；所述高压进气口和所述...
    2026-01-27
  • 取环的工艺方法
    取环的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511430650.4
    本发明公开了一种取环的工艺方法，对于已经完成减薄工艺的Taiko晶圆，在对晶圆进行环切时，设定入刀参数，切割步骤不少于两步的分步入刀环切；首先平转时设定第一次切割，第一次的入刀深度，实现膜与Ring环预分离；再设定第二次切割，第二次的入刀深...
    2026-01-27
  • 重掺杂晶圆的最终抛光处理方法及经抛光的重掺杂晶圆
    重掺杂晶圆的最终抛光处理方法及经抛光的重掺杂晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511382364.5
    本公开涉及重掺杂晶圆的最终抛光处理方法及经抛光的重掺杂晶圆。在一方面中，该处理方法包括：使用第一抛光液对重掺杂晶圆进行第一抛光；使用第二抛光液对经过第一抛光的重掺杂晶圆进行第二抛光；以及使用第三抛光液对经过第二抛光的重掺杂晶圆进行第三抛光，...
    2026-01-27
  • 半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件
    半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511393603.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件。其中，半导体工艺方法包括：提供衬底，衬底具有叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的介质层和金属层；通过原子层沉积工艺在叠层结构的上表面沉积形成第一介质层...
    2026-01-27
  • 表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用
    表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用_浙江晶盛机电股份有限公司_202511294461.9
    本发明涉及一种表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用，所述表面处理方法包括如下步骤：采用酸溶液对碳化硅晶圆进行预处理，使预处理后的碳化硅晶圆表面粗糙度为Ra，单位为nm；采用含氟硅烷溶液对预处理后的碳化硅晶圆进行冲洗反应，其中，含氟硅烷...
    2026-01-27
  • DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法
    DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240614.1
    本发明公开了一种DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法，在半导体衬底中刻蚀形成深沟槽，淀积第一电极层、氧化硅层以及LPCVD多晶硅层；涂布光刻胶并图案化，对所述的LPCVD多晶硅层进行刻蚀以及过刻蚀；进行一次Ar及O22氛围下的i...
    2026-01-27
  • 面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构
    面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构_中国科学院微电子研究所_202511295079.X
    本发明公开面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制备技术领域，以解决现有技术中在制备面向先进节点的半导体结构时，制备流程繁琐且结构图形边缘质量恶化的问题。方法包括：在底层结构上形成叠层；在掩膜层表面形成初始图形，并将初始...
    2026-01-27
  • 一种硅片及其处理方法
    一种硅片及其处理方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511527951.9
    本申请实施例公开了一种硅片及其处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法包括：根据硅片的初始电阻率ρ00进行分类，形成至少一个处理组别，同一所述处理组别内，满足任意两片硅片的初始电阻率差值小于等于10ohm.cm；对同一处理组别所包含的...
    2026-01-27
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410950259.6
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法。该制备方法中，利用第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入在衬底内形成第一注入区和第二注入区，并使此两个注入区的交叠面积减小，甚至可使此两个注入区间隔设置而存在有未注入区，从而可降低离子总量，用于补偿由阱邻近...
    2026-01-27
  • ONO层的制作方法和炉管机台
    ONO层的制作方法和炉管机台_华虹半导体(无锡)有限公司_202511384630.8
    本申请公开了一种ONO层的制作方法和炉管机台，该方法包括：通过传送装置将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟上，晶圆上依次形成有第一氧化物层和氮化物层，在传送晶圆的过程中，使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度；通过CVD工艺在氮化物层上沉...
    2026-01-27
  • 一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用
    一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用_甬江实验室_202511908696.2
    本申请提供了一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。制备方法：提供In掺杂氧化镓靶材，其结构式为(InxxGa1‑x1‑x)22O33, 0＜x≤0.05，其中In掺杂的浓度≤5%摩尔比；将In掺杂氧化镓靶材沉积在衬底上，生长In掺杂氧化镓薄...
    2026-01-27
  • 金属绝缘层金属电容结构及其制备方法
    金属绝缘层金属电容结构及其制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410959910.6
    本发明提供了一种金属绝缘层金属电容结构及其制备方法，所述金属绝缘层金属电容结构包括：半导体基底，其上设有第一电极层；设于所述第一电极层上的第一氧化铝层；设于所述第一氧化铝层上的包括多层介电层的介电叠层，所述介电叠层中任一介电层的厚度均大于所...
    2026-01-27
  • 铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法
    铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法_北京大学_202410963678.3
    本发明涉及集成电路技术领域，提供一种铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法，所述铁电隧道结包括：电极层、铁电层、导电功能层和半导体层，所述铁电层位于所述电极层和导电功能层之间，所述半导体层位于导电功能层背离所述铁电层的一侧，所述导电功能层的...
    2026-01-27
  • 一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型
    一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型_上海芯源创新中心_202511924322.X
    本发明提供一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型，通过控制氧化铪基薄膜层中Zr掺杂的浓度以调控氧空位的浓度，有效调节氧空位的迁移速率，当施加外加电场后，氧离子在强电场作用下向顶电极界面迁移，留下带正电的氧空位，从而在氧化铪基薄膜层中形成由氧...
    2026-01-27
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