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  • 本发明提供一种基于米勒平台电压的功率半导体在线结温监测方法及系统。功率半导体在线结温监测方法包括:步骤S1:利用下式计算当前开关周期的米勒平台电压差值ΔVMP:ΔVMP=VMP, on‑VMP, off;其中,VMP, on为功率半导体在当...
  • 本公开实施例中提供了温控系统以及封装测试方法,包括:罩体的底部开口供密闭地接合于测试机;第一仓体,可拆卸地嵌合设置于第一安装缺口且具有可开闭的第一出入口,并设有延伸至罩体外的第一连通部;第二仓体,可拆卸地嵌合设置于第二安装缺口且具有可开闭的...
  • 本发明公开了一种半导体器件用高温高湿反偏试验设备,涉及半导体器件试验技术领域,包括试验箱,所述试验箱的前侧设置有箱门,所述试验箱的内侧设置有试验单元,所述试验箱的内侧固定连接有进风箱,所述试验箱的右侧固定连接有蒸汽发生器、风机一与风机二,所...
  • 提供了用于检测开关电路中功率管是否发生故障的方法和驱动系统,该开关电路包括检测回路,检测回路包括被测器件组和辅助器件组,被测器件组包括被测功率管,并且辅助器件组包括辅助功率管,该方法包括:控制被测功率管导通;以第一电压值控制辅助功率管导通,...
  • 提供了一种用于检测开关电路中功率管是否发生故障的方法和驱动系统。开关电路包括检测回路,检测回路包括被测器件组和辅助器件组,被测器件组包括被测功率管,辅助器件组包括辅助功率管,所述方法包括:控制被测功率管导通;以第一电压值控制辅助功率管导通,...
  • 本申请提供的一种低导通电阻屏蔽栅沟槽MOSFET故障诊断方法及系统,涉及MOSFET故障诊断技术领域,通过在测量MOSFET稳态导通电阻之前,向探针与晶圆焊盘的接触界面以及MOSFET施加预先设定的瞬态电学激励;根据获取的接触界面和MOSF...
  • 本申请公开了一种实时批量检测LD芯片结温的系统、方法,所述系统包括老化和测试设备、MEMS光开关、声光可调谐滤波器以及PD,所述老化和测试设备包括多个老化测试模组,所述系统还包括实时运算、处理和控制单元RTOPCU,还用于控制每个所述老化测...
  • 本发明涉及半导体器件测试技术领域,具体是一种GaN器件动态导通电阻测量误差抑制方法和系统。所述方法包括:基于预定的测试回路,获取GaN器件一个开关周期的导通电压波形、栅压波形和漏极电流波形;基于栅压波形和漏极电流波形分别计算栅极馈通理论误差...
  • 本发明提供一种基于漏源极电压及其变化率的晶体管短路检测电路,包括传感电路、逻辑判断电路、隔离锁存电路、数字信号处理器和栅极驱动器;本发明利用了在故障期间高Vds与正dv/dt同时出现的特性,提出以高vds与正dv/dt同时出现作为短路故障的...
  • 本发明涉及一种功率模块寿命监控装置、方法、电机控制器及车辆,包括输入电源、驱动供电单元、功率开关单元、纹波提取放大单元、温度采集单元及MCU控制器;驱动供电单元用于为功率开关单元提供驱动需求的电压;功率开关单元用于实现高压电路的通断控制;纹...
  • 本发明涉及电子技术领域,本发明公开了一种双脉冲测试方法、装置、设备及存储介质,包括获取被测器件的多源特征信息以生成器件特征码;基于器件特征码进行双脉冲测试,并在测试过程采集被测器件的时频域数据;对时频域数据进行振荡特征识别,以得到振荡特征数...
  • 本发明公开了一种全自动探针平台用的控制系统及其方法,涉及半导体制造与测试设备技术领域,包括接触事件感知处理模块:通过连接测试机信号输出接口,对选定的测试通道施加直流偏压,并持续以高采样率监测回路电流,生成电气反馈信号,并实时计算电气反馈信号...
  • 本发明提供了一种霍尔器件同测方法及系统,该方法包括:构建校准测试环境,使用测试针卡和标准晶圆进行全片测试,获得与所述测试针卡对应的各个测试位的霍尔值;根据各个测试位的霍尔值计算获得各个测试位对应的第一场强系数;构建量产测试环境,并使用所述测...
  • 本发明公开了一种半导体制冷片的功耗检测系统及方法,功耗检测系统包括真空干燥箱和检测装置;检测装置包括支撑立柱、上检测组件、热负载模块、导热块和下检测组件;上检测组件和下检测组件由上至下安装于支撑立柱的同一侧,且上检测组件和下检测组件均相对于...
  • 一种电离辐射总剂量与电磁脉冲协和效应的测试方法、电路、系统和介质,涉及抗核与辐射加固技术领域,其中,方法包括:获取辐照前的待测晶体管的电特性曲线以及在单次电磁脉冲作用下的响应波形;对待测晶体管进行至少一次预设剂量的辐照,直至待测晶体管的累计...
  • 本发明公开了一种GaN MOSFET结温测量方法、装置、电子设备及存储介质,属于半导体器件测试技术领域,所述方法为:根据GaN MOSFET的漏源导通电流和漏源导通压降,计算GaN MOSFET的漏源导通阻抗,匹配与所述漏源导通阻抗对应的第...
  • 本发明公开半导体器件确定两种缺陷沿沟道分布的分析方法和装置,涉及半导体技术领域,以解决传统方法无法同时定位两种缺陷、分析结果失真的问题。方法包括:接收目标半导体器件的脉冲IV快速测试数据;从应力前后对应的正扫IV数据中提取正扫偏置下线性区与...
  • 本发明的名称为一种用于IGBT动态试验的试验平台及测试方法。属于IGBT测试技术领域。它主要是提供一种IGBT全动态测试平台。它的主要特征是:采用由控制单元、主回路单元、频率调节单元和功率循环控制单元构成的试验平台;被测单元为两路设有热敏单...
  • 一种用于变频电机绝缘窄带高压测试的扩边浇筑装置,包括:相对设置的上、下板以及位于其中的绝缘窄带试样,其中:位于绝缘窄带试样上方的上板上设有上腔正压气幕阻渗组件、位于绝缘窄带试样下方的下板上设有下腔真空吸附与防堵维护组件以及温控固化组件,浇筑...
  • 本发明涉及一种绝缘手套流水线全自动试验方法及系统,涉及工业自动化的领域,其包括:采集检测图像信息;从检测图像信息中对手套特征进行扫描识别以得到当前手套型号;响应于当前手套型号以确定内部电极规格和试验参数集;基于内部电极规格以控制机械手将待测...
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