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  • 本公开涉及用于存储器装置中的交叉温度处置的本征温度测量。一种系统包含:存储器装置;及处理装置,其可操作地与所述存储器装置耦合以执行包含以下的操作:测量与所述存储器装置的分段相关联的读取温度度量;基于所述读取温度度量来估计读取温度;基于所述读...
  • 本发明提供一种数据处理方法、非易失性存储模块及非易失性存储器,所述方法包括:在重新上电后,第五开关元件和六开关元件输入高电平,且第七开关元件和第八开关元件输入的预充信号为高电平,以进行充电;第五开关元件和第六开关元件保持高电平,第七开关元件...
  • 计算机系统、修复存储器模块的方法以及计算机程序产品,用于存储与存储器模块中的存储器横列的后封装修复相关的数据。判断在存储器模块的存储器库组的横列中的错误。在计算机系统的初始启动时,对横列执行软件后封装修复。累加对横列执行的软件后封装修复的次...
  • 本发明公开了一种LPDDR4芯片量产读写性能测试方法及系统,涉及芯片读写性能测试技术领域,先在探针台施加高偏置温压应力并构建热分布图,为激励设定功率边界;再依据热分布图自适应调整占空比,短脉冲读写激励获取通道时序窗口;片上自测试逻辑在脉冲窗...
  • 本发明公开了用于大数据存储的固态硬盘测试方法、装置及存储介质,涉及大数据存储技术领域,本发明通过执行覆盖组件、工艺、功能、可靠性的多维度生产测试并对结果数字化评分,基于预设权重计算综合质量得分Q_total,进而抽取生产样本在模拟客户实际应...
  • 本发明公开了DDR5芯片量产测试的高速时序偏差校准算法,涉及集成电路测试技术领域,包括以下步骤:S001,在眼图扫描过程中,沿时间轴叠加细粒度干扰观测带,基于观测带动态捕捉出现能量突然回撤的微缩眼图波段,并将多个微缩眼图波段顺序拼接为电磁回...
  • 由于一个或多个因素(诸如数据保持问题和编程干扰条件),感测到的读取阈值电压有时可能不同于写入阈值电压。在这种情况下,可使用误码率估计扫描(BES)来校准并优化读取阈值。然而,当引入更多字线时,BES可能不提供合适的校准。在此类情况下,可使用...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质,所述半导体器件包括:存储阵列;所述存储阵列包括第一存储串和第二存储串;所述第一存储串包括至少一个第一虚设存储单元;外围电路,与所述存储阵列耦接,且被配置为:对所述至少一个第...
  • 本发明公开了一种用于DNA数据存储的直接转置编码方法及相关装置;在本发明中,在低码率编码需求下进入第一编码模式,基于矩阵转置框架并借助标记序列作为同步参考点,有效纠正同步和替换错误;在高码率需求下进入第二编码模式,基于矩阵转置框架并在不借助...
  • 本申请实施例提供一种存储器的操作方法及存储器。存储器包括存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路;存储单元阵列包括多条第一地址线、多条第二地址线和多个存储单元;存储器的操作方法包括:在第一写操作的期间,对选定的第一地址线施加第一电压,对选...
  • 本发明实施例涉及存储器技术领域,公开了一种存储单元以及装置、计算存储单元以及装置,存储单元包括第一晶体管、选通组件、反相器、第一过程控制端、第二过程控制端、信号输入端以及信号输出端;其中,选通组件根据第二过程控制信号的信号传输通路或者接地通...
  • 一种三维集成电路,包括第一层级、垂直堆叠在第一层级上方的第二层级,以及存储器电路。该存储器电路包括设置于第一层级中的位单元阵列。该存储器电路还包括列外围电路,该列外围电路具有设置于第二层级中的至少一个细长形第一部分。该存储器电路还包括行解码...
  • 本申请案涉及存储器系统中的交错自刷新操作。一种存储器系统可包含存储器裸片堆叠,所述存储器裸片堆叠包含与衬底耦合的接口存储器裸片和堆叠在所述接口存储器裸片上的至少一个存储器裸片。所述接口存储器裸片可接收自刷新进入命令,触发所述接口存储器裸片以...
  • 本公开涉及一种时钟稳定电路、存储器系统及存储器系统的操作方法。该时钟稳定电路包括:移位寄存器,被配置为通过基于时钟信号对数据和反转标志进行移位来输出一个或多个移位信号;比较电路,被配置为通过将一个或多个移位信号分别与一个或多个密钥进行比较来...
  • 本申请实施例提供了一种读出电路结构,包括:结构层、在结构层顶部堆叠设置的第一互连层和第二互连层;结构层中设置有构成第一感测放大结构的晶体管,结构层包含栅极层,第一感测放大结构与第一存储阵列和第二存储阵列相邻;第一感测放大结构通过第一信号线接...
  • 本申请公开了一种存储设备,包括第一非易失性极化存储器件、第二非易失性极化存储器件、栅极驱动器件、漏极差分检测器件;第一非易失性极化存储器件和第二非易失性极化存储器件的源极均接地,漏极均连接漏极差分检测器件,栅极分别连接栅极驱动器件的第一输出...
  • 本发明的实施例提供一种集成电路及其操作方法。集成电路可以包括物理上形成在衬底上的多个存内计算(CIM)电路。多个CIM电路中的每个可以包括:输入电路,其被配置为接收多个第一数据元素;存储器阵列,其耦合到所述输入电路并被配置为存储所述多个第一...
  • 本发明涉及一种SRAM集成零面积电荷泵的协同控制方法及控制电路,通过在共享主时钟周期内划分SRAM读取窗口与电荷泵高噪声工作窗口,实现时间域上的严格隔离;并引入基于BIST(内建自测试)的自适应时序校准机制,在芯片测试或上电阶段扫描可编程延...
  • 集成电路系统中的存储控制器包括一个接收电路,该接收电路在时间和电压上执行过采样。接收电路通过数据通道从存储模块接收由脉冲幅度调制(pulse amplitude modulation,简称PAM)调制的具有N个信号电平的数据信号,其中N>2...
  • 本发明提供了一种基于多模态语音分析的精神分裂症早期识别与风险预测方法及系统,属于医疗人工智能技术领域。该方法包括:前瞻性采集处于临床高危期个体的自然语音数据,并对其进行为期两年的临床随访,构建首个中文精神分裂症临床高危语音纵向数据集;基于该...
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